進入8月,有傳聞稱,韓國存儲芯片巨頭三星電子(以下簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(高帶寬內(nèi)存新一代產(chǎn)品)已通過英偉達(dá)測試。對此,三星回應(yīng):與事實相距甚遠(yuǎn)。其相關(guān)人員表示:“我們不能證實與我們客戶相關(guān)的傳聞,但這個報道不是真的。正如我們上個月電話會議上所說的,質(zhì)量測試還在進行中,在那之后還沒有取得更多進展?!边@番解釋中,依然能看到HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品是三星打入英偉達(dá)產(chǎn)品鏈的“敲門磚”。