GaN

• 瑞薩電子推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力，適用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)應用

  基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電

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  2小時前

  電阻 GaN

  
• 在華發(fā)展三十載，英飛凌深化本土化戰(zhàn)略

  中華區(qū)市場在英飛凌全球營收中占比約三分之一（34%），是英飛凌全球占比最大的單一市場。

  夏珍

  904

  06/27 11:43

  與非觀察 MCU

  
• 拆解報告：大疆Mavic 4 Pro原裝240W氮化鎵桌面充電器

  充電頭網第3638篇拆解報告。

  充電頭網

  1114

  06/24 12:58

  GaN 氮化鎵

  
• 儲能采用GaN，出貨超120萬臺

  近期，氮化鎵在儲能、充電樁等領域的應用熱度持續(xù)攀升，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，鉑科電子、得力工具、科樂新能源以及英諾賽科等企業(yè)紛紛發(fā)力，接連推出基于氮化鎵技術的創(chuàng)新產品。

  行家說三代半

  312

  06/20 09:50

  GaN 氮化鎵

  
• 本土功率器件上市公司營收top10 | 2024年

  2024年，全球功率器件市場整體呈萎靡態(tài)勢。然而，中國市場受益于本土新能源汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心等領域的需求增長，市場規(guī)模仍呈現(xiàn)上漲態(tài)勢。本土廠商整體實力顯著提升，不斷加大研發(fā)投入，加快技術創(chuàng)新與產品迭代，逐步突破高端領域瓶頸，國產化進程顯著加快。 一年一統(tǒng)計，本期與非網聚焦本土功率器件上市公司，詳盡梳理頭部上市公司的2024年營業(yè)收入規(guī)模和企業(yè)動態(tài)。往期可參考《本土功率器件上市公司營收top1

  史德志

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  06/19 10:00

  SiC MOSFET

  
• 產能超25萬片！2個GaN項目加速推進

  近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內新增2個GaN項目動態(tài)，分別涉及譽鴻錦、聯(lián)晶通半導體。據(jù)不完全統(tǒng)計，今年以來一共有13個GaN項目透露進展，其中第二季度出現(xiàn)了6個，占比約50%：

  行家說三代半

  1000

  06/13 15:08

  GaN

  
• 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動電源設計創(chuàng)新

  當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此，設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓撲。 GaN 可實現(xiàn)高頻開關，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術相比，GaN 還可降低開關、柵極驅動和反向恢復損耗，從而提高電源設計效率。 您可以使用 650V GaN FET 進行 AC/DC 至 DC/DC 轉換，或使用 100V 或 200V GaN FE

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  823

  06/04 11:10

  SiC GaN

  
• 納芯微高壓半橋驅動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

  納芯微發(fā)布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中

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  06/03 15:17

  GaN 納芯微

  
• 意法半導體推出針對消費類和工業(yè)電源轉換器和電機控制器

  意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發(fā)者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產品為電源轉換和電機控制設計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費電子和工業(yè)應用的能效、功率密度和魯棒性。 STDRIVEG610主打那些要求啟動時間300ns級別的柵極驅動應用，啟動時間是LLC或ACF電源轉換拓撲的

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  05/28 08:10

  意法半導體 GaN
• ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅動的隔離型柵極驅動器IC開始量產

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 新產品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅動器IC。在電壓反復急劇升降的開關工作

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  1153

  05/27 09:47

  GaN ROHM

  
• 大聯(lián)大詮鼎集團推出基于立锜科技產品的140W電源適配器方案

  致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E芯片的140W電源適配器方案。 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產品的140W電源適配器方案的展示板圖 隨著游戲本、高性能創(chuàng)作本等高配電腦設備市場的蓬勃發(fā)展，電源適配器的需求也在不斷升級。一方面，消費者希望充電器能夠快速為設備補充電量，減少等待時間

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  873

  05/20 17:49

  GaN 電源適配器

  
• Nexperia公布2024年業(yè)績表現(xiàn)穩(wěn)健，逆勢下市場前景積極向好

  安世半導體今日公布了2024財年財務業(yè)績。在宏觀經濟持續(xù)不確定和市場周期性疲軟的背景下，公司展現(xiàn)出強大的抗風險能力，通過強化執(zhí)行力和堅持創(chuàng)新投入，實現(xiàn)了營收穩(wěn)定并保持盈利。Nexperia在2024財年結束時總營收達到20.6億美元。在我們界定的市場范圍內，市場份額從2023年的8.9%提升至9.7%。展望來年業(yè)績，得益于毛利率與現(xiàn)金流的持續(xù)改善，公司保持樂觀預期。此積極趨勢在2024年第四季度已

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  937

  05/16 08:23

  SiC GaN

  
• 幾種基于Doherty結構的GAN氮化鎵功放設計方法介紹

  功率放大器是現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)中最重要的組件之一。理想情況下，它們能夠以高線性度和高效率提供高輸出功率。但通常在這三個關鍵的功率放大器性能參數(shù)之間需要進行權衡取舍，而且具有最高輸出功率和線性度的放大器往往會犧牲效率。

  通信射頻老兵

  1662

  05/07 13:06

  功率放大器 GaN

  
• GaN FET 在人形機器人中的應用

  引言 人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、

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  793

  04/29 08:44

  GaN 人形機器人

  
• 特斯拉專家訪談：GaN車載應用已成趨勢

  2024年10月，特斯拉技術專家接受了國外咨詢機構的調研，其深度解析了氮化鎵技術在汽車領域的應用前景與挑戰(zhàn)，同時還對D-mode / E-mode/直驅/單片集成等技術路線以及氮化鎵主流玩家進行了點評?！靶屑艺f三代半”對該訪談進行了全文翻譯，由于整個采訪多達7000字，為此這篇訪談將分拆成2篇發(fā)布。

  行家說三代半

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  04/23 10:45

  GaN 車載應用

  
• 人形機器人中的電機控制

  制造業(yè)和服務行業(yè)對更高自動化水平的需求不斷增長，推動了人形機器人的開發(fā)。人形機器人變得更加復雜和精確，自由度 (DOF) 變得更高，并且對周圍環(huán)境的響應時間（按毫秒計）縮短，從而能更好地模人形類的動作。圖 1 展示了人形機器人的典型電機和運動功能。 圖 1. 顯示人形機器人 DOF 變得更高的位置 具有更高的 DOF 意味著人形機器人需要更多的電機驅動器。機器人設計中的驅動器位置決定了不同的驅動器

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  971

  04/21 18:00

  GaN 電機控制

  
• 意法半導體披露公司全球計劃細節(jié),重塑制造布局和調整全球成本基數(shù)

  服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計劃細節(jié)，進一步更新了公司此前發(fā)布的全球計劃。2024年10月，意法半導體發(fā)布了一項覆蓋全公司的計劃，擬進一步增強企業(yè)的競爭力，鞏固公司全球半導體龍頭地位，利用公司的技術研發(fā)、產品設計、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產，保障公司的垂直整合制造 (I

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  1121

  04/17 08:03

  意法半導體 GaN

  
• 面向數(shù)據(jù)中心需求，TI推出全新的eFuse和集成式 GaN 功率級

  在高效的配電系統(tǒng)中，而智能電子保險絲在其中發(fā)揮了重要作用。以往，工程師會采用分立式熱插拔控制器加上外部場效應晶體管(FET)的傳統(tǒng)保護方案，然而這種方案下，由于漏電導通電阻(RDS (ON))、PCB 走線電阻和比較器閾值不匹配的問題，會給電子保險絲的傳統(tǒng)并聯(lián)運行帶來巨大挑戰(zhàn)，這些不匹配會導致電子保險絲之間的電流共享不均（某些電子保險絲承載的電流比其他電子保險絲多），且通常會導致各個電子保險絲過早跳閘，即使系統(tǒng)總電流低于跳閘閾值也是如此。因此，為了減少因這種誤跳閘帶來的系統(tǒng)關斷、運行效率低下等問題，這種分立方案的設計功率一般只能達到4kW。

  夏珍

  1399

  04/10 14:41

  與非觀察 GaN

  
• 美媒熱炒：洛馬最新GaN雷達真能“鎖定”殲20？

  近日，一則軍事新聞引發(fā)國際關注：當?shù)貢r間4月7日，美國軍工巨頭洛克希德·馬丁向美國空軍交付首套L波段的TPY-4氮化鎵（GaN）有源相控陣雷達。據(jù)其發(fā)布的宣傳片宣稱，該型號AESA雷達能夠有效探測中國殲20等第五代隱形戰(zhàn)斗機。美國有線電視新聞網（CNN）等美媒也對此事大肆渲染，似乎在為美國的軍事優(yōu)勢搖旗吶喊。

  射頻學堂

  1611

  04/10 08:45

  GaN 雷達
• 德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護級別、功率密度和效率水平

  德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數(shù)據(jù)中心需要更高功率密度和更高效的解決方案。德州儀器發(fā)布的新款 TPS1685 是具有電源路徑保護的 48V 集成式熱插拔電子保險絲，可幫助客戶滿足數(shù)據(jù)中心硬件和處理需求。為了簡化數(shù)據(jù)中心設計，德州儀器還推出了采用行業(yè)標準 TOLL

  與非網編輯

  965

  04/09 07:20

  GaN 德州儀器

  

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