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氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。收起

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    英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產品陣容，為設計人員提供了隔離式柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現非對稱輸出電壓，以經濟高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極驅動器供電。因此，2EP1xx
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    11月25日，匯川聯合動力在官微宣布，他們正式推出了新一代6.6 kW GaN車載二合一電源產品，該產品將車載充電器與車載直流變換器集成，采用GaN功率器件，達到了業(yè)內領先的96%充電效率和4.8 kW/L整機功率密度。
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    在當今科技飛速發(fā)展的時代，電子器件的性能提升備受關注，而散熱問題始終是制約其發(fā)展的關鍵因素之一。 氮化鎵（GaN）作為高頻、高功率微波功率器件的理想材料，在眾多領域有著廣泛應用。 然而，隨著GaN HEMT（高遷移率晶體管）器件功率密度及頻率的不斷提高，散熱問題日益凸顯，已成為性能進一步提升的瓶頸。 在此背景下，金剛石基GaN技術應運而生，其憑借金剛石超高的熱導率，有望解決散熱難題，為電子器件的發(fā)展帶來新的曙光。
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    雙方合作將Qorvo的高性能BLDC/PMSM電機控制器/驅動器與CGD易於使用的ICeGaN IC結合於新的評估套件（EVK）中。 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱 CGD）是一家專注於研發(fā)高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環(huán)保的電子元件。近日，該公司與全球領先的連接和電源解決方案提供商 Qorvo?（Nasdaq: QRVO）合
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    作為當下熱門的第三代半導體技術，GaN在數據中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應用場景。和傳統(tǒng)的Si器件相比，GaN具有更高的開關頻率與更小的開關損耗，但對驅動IC與驅動電路設計也提出了更高的要求。按照柵極特性差異，GaN分為常開的耗盡型（D-mode）和常關的增強型（E-mode）兩種類型；按照應用場景差異，GaN需要隔離或非隔離、低邊或自舉、零伏或負壓關斷等多種驅動方式。針對不同類型的GaN和各種應用場景，納芯微推出了一系列驅動IC解決方案，助力于充分發(fā)揮GaN器件的性能優(yōu)勢。
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    近日，山東、浙江及中國臺灣地區(qū)共新增了4個GaN相關項目，10月18日，據“投資濟南”官微消息，濟南市半導體、空天信息產業(yè)高價值技術成果本市轉化對接會于17日在歷城區(qū)國家超級計算濟南中心舉辦，會上簽約了一個GaN單晶項目。
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    近日，一家GaN企業(yè)宣布了其在高壓氮化鎵功率器件領域的突破，電壓等級達3300V——10月18日，據“泰克科技”官微消息，近日，遠山半導體發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并送往泰克科技進行了測試。
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    繼宣布將出售部分股權后，羅姆還公布了在GaN領域的新合作；此外，“行家說三代半”還匯總了近期GaN行業(yè)的多起合作案，詳情請看：
  • 總投資超36億，新增6個GaN項目
    總投資超36億，新增6個GaN項目
    氮化鎵行業(yè)最近很是熱鬧，英飛凌宣布實現了12吋晶圓突破；近日，國內外多家GaN也傳來了項目、研發(fā)等新動態(tài)：●?冠鼎半導體：投資1.055億人民幣，推進第三代氮化鎵功率半導體生產新建項目?！?華通芯電：旗下封裝產線正式通線，專注于氮化鎵射頻功率器件模組的封裝與測試?！?新鎵能半導體：氮化鎵功率芯片項目簽約落戶無錫惠山。
  • 英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革
    英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革
    英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規(guī)模生產環(huán)境中掌握這一突破性技術的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產不僅在技術上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數量增加了 2.3
  • 12英寸氮化鎵，新輔助？
    第三代半導體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。
  • 這家GaN企業(yè)將上市，募資近1億
    這家GaN企業(yè)將上市，募資近1億
    8月23日，據韓媒報道，韓國氮化鎵企業(yè)Wavice 宣布在22日向韓國金融服務委員會提交了上市申請報告，將在 KOSDAQ 市場（韓國創(chuàng)業(yè)板市場）上市，并開始正式公開募股。
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    08/29 08:34
    GaN
  • GaN功率半導體市場發(fā)展提速，行業(yè)首波整合潮出現
    GaN功率半導體市場發(fā)展提速，行業(yè)首波整合潮出現
    自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導體市場可謂熱鬧非凡。英飛凌、瑞薩電子、格芯等頭部大廠紛紛開始并購GaN技術公司，強化在GaN領域的技術儲備。雖然GaN在快充領域應用已經日漸成熟，但隨著新興產業(yè)如電動汽車、人工智能、機器人等逐漸發(fā)展，對更高功率更低能耗的要求，將促發(fā)氮化鎵器件逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件，氮化鎵在這些高價值場景的商業(yè)化應用漸次鋪開，也因此驅使半導體大廠在氮化鎵領域紛紛積極布局。
  • Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設計，可將溫度降低30%
    Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設計，可將溫度降低30%
    位于英國劍橋的電力電子技術創(chuàng)新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN優(yōu)化參考設計，該設計旨在解決電源中的復雜熱性能挑戰(zhàn)。這一備受期待的突破性開發(fā)成果將提供其他設計中所未有的獨特功能和優(yōu)勢組合，必將徹底改變USB-C快速充電領域。 PSV-RDAD-65USB參考設計將Pulsiv OSMIUM技術與行業(yè)標準的準諧振反激變換器和高度優(yōu)化、超緊湊的磁性組件相結合
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