GaN

• GaN“上車”進(jìn)程提速：1200V MOS、800V模塊
  

  氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用潛力在日益顯現(xiàn)，研發(fā)熱度不斷上漲。近日，國(guó)外多家企業(yè)/機(jī)構(gòu)向公眾展示了“GaN上車”的最新研究成果：

  行家說(shuō)三代半

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  12/25 14:20

  GaN 氮化鎵
• Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級(jí)高隔離反激式變壓器系列
  

  美國(guó)柏恩 Bourns 全球知名電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，全新擴(kuò)展其產(chǎn)品線，推出符合 AEC-Q200 標(biāo)準(zhǔn)車規(guī)級(jí) HVMA03F40C-ST10S 反激式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實(shí)現(xiàn)高功率密度與更高效率而設(shè)計(jì)，Bourns 持續(xù)推出具備更高能力的高隔離反激式及柵極驅(qū)動(dòng)變壓器系列產(chǎn)品，以因應(yīng)當(dāng)今汽車、工業(yè)以及能源儲(chǔ)存設(shè)計(jì)對(duì)于功率密度的不斷增長(zhǎng)需求。Bourns? HVMA 型號(hào)變壓器的多項(xiàng)特性

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  12/24 08:39

  GaN 柏恩Bourns
• 邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響
  

  作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級(jí)總監(jiān) 校對(duì)：宋清亮 英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)高級(jí)首席工程師 過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)

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  12/23 08:17

  GaN 氮化鎵
• 無(wú)輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題
  

  人們對(duì)更小、更高效電源的需求不斷增長(zhǎng)，進(jìn)而推動(dòng)著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級(jí)快速普及。在交流/直流適配器市場(chǎng)中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過(guò)功能越來(lái)越強(qiáng)大但尺寸越來(lái)越小的適配器，幫助擴(kuò)大 USB Type-C? 接口的市場(chǎng)規(guī)模。 雖然這令人振奮，但與此同時(shí)，電源設(shè)計(jì)人員必須降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。借助反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的最新創(chuàng)新成果，無(wú)需使用輔助繞組即可實(shí)現(xiàn)器件偏置（無(wú)輔助繞組

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  449

  12/11 08:43

  GaN EMI
• 英飛凌推出新型EiceDRIVER? Power全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動(dòng)器電源的EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列。2EP1xxR系列擴(kuò)大了英飛凌功率器件產(chǎn)品陣容，為設(shè)計(jì)人員提供了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源解決方案。該系列半導(dǎo)體器件可以幫助實(shí)現(xiàn)非對(duì)稱輸出電壓，以經(jīng)濟(jì)高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器供電。因此，2EP1xx

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  1166

  12/06 08:47

  英飛凌 GaN
• 貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書
  

  專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。 《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家暢談

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  12/03 08:08

  貿(mào)澤電子 GaN
• 國(guó)產(chǎn)OBC采用GaN！可節(jié)省1500元
  

  11月25日，匯川聯(lián)合動(dòng)力在官微宣布，他們正式推出了新一代6.6 kW GaN車載二合一電源產(chǎn)品，該產(chǎn)品將車載充電器與車載直流變換器集成，采用GaN功率器件，達(dá)到了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的96%充電效率和4.8 kW/L整機(jī)功率密度。

  行家說(shuō)三代半

  2424

  11/26 09:00

  GaN GaN功率器件
• 他們都在“搶”金剛石熱管理！
  

  在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，電子器件的性能提升備受關(guān)注，而散熱問題始終是制約其發(fā)展的關(guān)鍵因素之一。 氮化鎵（GaN）作為高頻、高功率微波功率器件的理想材料，在眾多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。 然而，隨著GaN HEMT（高遷移率晶體管）器件功率密度及頻率的不斷提高，散熱問題日益凸顯，已成為性能進(jìn)一步提升的瓶頸。 在此背景下，金剛石基GaN技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，其憑借金剛石超高的熱導(dǎo)率，有望解決散熱難題，為電子器件的發(fā)展帶來(lái)新的曙光。

  DT半導(dǎo)體

  1101

  11/21 11:20

  GaN 金剛石
• CGD和Qorvo將共同革新電機(jī)控制解決方案
  

  雙方合作將Qorvo的高性能BLDC/PMSM電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器與CGD易於使用的ICeGaN IC結(jié)合於新的評(píng)估套件（EVK）中。 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡(jiǎn)稱 CGD）是一家專注於研發(fā)高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導(dǎo)體公司，致力於打造更環(huán)保的電子元件。近日，該公司與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案提供商 Qorvo?（Nasdaq: QRVO）合

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  527

  11/15 08:00

  Qorvo GaN
• 納芯微提供全場(chǎng)景GaN驅(qū)動(dòng)IC解決方案
  作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等市場(chǎng)都有著廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。和傳統(tǒng)的Si器件相比，GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的開關(guān)損耗，但對(duì)驅(qū)動(dòng)IC與驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)也提出了更高的要求。按照柵極特性差異，GaN分為常開的耗盡型（D-mode）和常關(guān)的增強(qiáng)型（E-mode）兩種類型；按照應(yīng)用場(chǎng)景差異，GaN需要隔離或非隔離、低邊或自舉、零伏或負(fù)壓關(guān)斷等多種驅(qū)動(dòng)方式。針對(duì)不同類型的GaN和各種應(yīng)用場(chǎng)景，納芯微推出了一系列驅(qū)動(dòng)IC解決方案，助力于充分發(fā)揮GaN器件的性能優(yōu)勢(shì)。

  納芯微電子

  1312

  11/14 09:58

  GaN 納芯微
• 超3.3億！新增4個(gè)氮化鎵項(xiàng)目
  

  近日，山東、浙江及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)共新增了4個(gè)GaN相關(guān)項(xiàng)目，10月18日，據(jù)“投資濟(jì)南”官微消息，濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價(jià)值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對(duì)接會(huì)于17日在歷城區(qū)國(guó)家超級(jí)計(jì)算濟(jì)南中心舉辦，會(huì)上簽約了一個(gè)GaN單晶項(xiàng)目。

  行家說(shuō)三代半

  1586

  10/22 08:44

  GaN 氮化鎵
• 英飛凌攜手AWL-Electricity通過(guò)氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線功率
  

  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關(guān)系，后者是兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發(fā)先進(jìn)的無(wú)線功率解決方案，為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。 此次合作將英飛凌的先進(jìn)氮化鎵（GaN

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  988

  10/21 09:32

  英飛凌 GaN
• 這家GaN突破3300V！投資15億建3條芯片線
  

  近日，一家GaN企業(yè)宣布了其在高壓氮化鎵功率器件領(lǐng)域的突破，電壓等級(jí)達(dá)3300V——10月18日，據(jù)“泰克科技”官微消息，近日，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并送往泰克科技進(jìn)行了測(cè)試。

  行家說(shuō)三代半

  1219

  10/21 11:50

  GaN 氮化鎵
• GaN主驅(qū)電控即將面世？這幾家企業(yè)聯(lián)手了
  

  繼宣布將出售部分股權(quán)后，羅姆還公布了在GaN領(lǐng)域的新合作；此外，“行家說(shuō)三代半”還匯總了近期GaN行業(yè)的多起合作案，詳情請(qǐng)看：

  行家說(shuō)三代半

  778

  10/11 09:00

  GaN 功率半導(dǎo)體
• 總投資超36億，新增6個(gè)GaN項(xiàng)目
  

  氮化鎵行業(yè)最近很是熱鬧，英飛凌宣布實(shí)現(xiàn)了12吋晶圓突破；近日，國(guó)內(nèi)外多家GaN也傳來(lái)了項(xiàng)目、研發(fā)等新動(dòng)態(tài)：●?冠鼎半導(dǎo)體：投資1.055億人民幣，推進(jìn)第三代氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新建項(xiàng)目?！?華通芯電：旗下封裝產(chǎn)線正式通線，專注于氮化鎵射頻功率器件模組的封裝與測(cè)試?！?新鎵能半導(dǎo)體：氮化鎵功率芯片項(xiàng)目簽約落戶無(wú)錫惠山。

  行家說(shuō)三代半

  2246

  09/18 10:48

  GaN 氮化鎵
• 英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)突破將極大地推動(dòng)GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因?yàn)榫A直徑的擴(kuò)大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3

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  790

  09/12 07:13

  英飛凌 GaN
• 12英寸氮化鎵，新輔助？
  第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來(lái)新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(zhǎng)帶來(lái)了有力輔助。

  全球半導(dǎo)體觀察

  2061

  09/11 15:26

  GaN 氮化鎵
• 這家GaN企業(yè)將上市，募資近1億
  

  8月23日，據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)氮化鎵企業(yè)Wavice 宣布在22日向韓國(guó)金融服務(wù)委員會(huì)提交了上市申請(qǐng)報(bào)告，將在 KOSDAQ 市場(chǎng)（韓國(guó)創(chuàng)業(yè)板市場(chǎng)）上市，并開始正式公開募股。

  行家說(shuō)三代半

  1396

  08/29 08:34

  GaN
• GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展提速，行業(yè)首波整合潮出現(xiàn)
  

  自去年以來(lái)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)可謂熱鬧非凡。英飛凌、瑞薩電子、格芯等頭部大廠紛紛開始并購(gòu)GaN技術(shù)公司，強(qiáng)化在GaN領(lǐng)域的技術(shù)儲(chǔ)備。雖然GaN在快充領(lǐng)域應(yīng)用已經(jīng)日漸成熟，但隨著新興產(chǎn)業(yè)如電動(dòng)汽車、人工智能、機(jī)器人等逐漸發(fā)展，對(duì)更高功率更低能耗的要求，將促發(fā)氮化鎵器件逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件，氮化鎵在這些高價(jià)值場(chǎng)景的商業(yè)化應(yīng)用漸次鋪開，也因此驅(qū)使半導(dǎo)體大廠在氮化鎵領(lǐng)域紛紛積極布局。

  芯智訊

  1446

  08/24 08:55

  GaN 功率半導(dǎo)體
• Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設(shè)計(jì)，可將溫度降低30%
  

  位于英國(guó)劍橋的電力電子技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN優(yōu)化參考設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)旨在解決電源中的復(fù)雜熱性能挑戰(zhàn)。這一備受期待的突破性開發(fā)成果將提供其他設(shè)計(jì)中所未有的獨(dú)特功能和優(yōu)勢(shì)組合，必將徹底改變USB-C快速充電領(lǐng)域。 PSV-RDAD-65USB參考設(shè)計(jì)將Pulsiv OSMIUM技術(shù)與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的準(zhǔn)諧振反激變換器和高度優(yōu)化、超緊湊的磁性組件相結(jié)合

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  1411

  08/23 07:59

  電源 GaN

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