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GaN技術(shù)

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  • 德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模， 產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍
    德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模， 產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍
    德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開(kāi)始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn)，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來(lái)的四倍。 德州儀器技術(shù)和制造集團(tuán)高級(jí)副總裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域數(shù)十年的專業(yè)知識(shí)，我們已成功驗(yàn)證了德州儀器 8 英寸
  • Qorvo? 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器
    Qorvo? 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器
    全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）宣布，率先推出面向 DOCSIS 4.0 寬帶和有線電視（CATV）的 24V 功率倍增放大器——QPA3390。該款全新 1.8GHz 表面貼裝模塊帶來(lái)卓越的效率和性能，且尺寸比傳統(tǒng)混合解決方案縮小 30-40%，非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。 得益于先進(jìn)的 GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 技術(shù)，此次發(fā)布的 QP
  • 這家GaN公司正式被收購(gòu)，買方竟是它！
    這家GaN公司正式被收購(gòu)，買方竟是它！
    近年來(lái)，GaN（氮化鎵）技術(shù)得益于高頻率、高功率、耐高溫、低功耗等特性，迅速滲透消費(fèi)電子市場(chǎng)，并進(jìn)一步向更高功率的應(yīng)用市場(chǎng)探索。然而，在消費(fèi)電子市場(chǎng)的發(fā)展空間不斷縮小之際，GaN在高壓高功率市場(chǎng)的發(fā)展不如預(yù)期，在此背景下，多家廠商因經(jīng)營(yíng)不佳，相繼選擇調(diào)整業(yè)務(wù)，或并入實(shí)力雄厚的功率半導(dǎo)體大廠，或直接退出市場(chǎng)。
  • 又一款GaN充電樁，供應(yīng)商是它？
    近日，英飛凌聯(lián)手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術(shù)的V2X 充電樁。據(jù)“行家說(shuō)三代半”了解，國(guó)內(nèi)外還有4家企業(yè)也將GaN技術(shù)應(yīng)用在新能源汽車充電樁，詳細(xì)情況請(qǐng)往下看。
  • 6500V+1200V！國(guó)內(nèi)氮化鎵技術(shù)再破瓶頸
    6500V+1200V！國(guó)內(nèi)氮化鎵技術(shù)再破瓶頸
    近日，國(guó)內(nèi)2家機(jī)構(gòu)先后在超高壓 GaN技術(shù)領(lǐng)域上取得重要成果：●?北京大學(xué)：新研發(fā)4500V GaN，可實(shí)現(xiàn)低動(dòng)態(tài)電阻，實(shí)現(xiàn)大于6500V 耐壓；●?能華半導(dǎo)體：開(kāi)發(fā)超薄緩沖層外延技術(shù)，發(fā)布1200V增強(qiáng)型GaN單片集成平臺(tái)；