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德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍。
德州儀器技術和制造集團高級副總裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片設計和制造領域數(shù)十年的專業(yè)知識，我們已成功驗證了德州儀器 8 英寸 GaN 技術并將開始大規(guī)模生產(chǎn)。這種 GaN 制造方式在目前階段擁有顯著的可擴展性和成本優(yōu)勢，頗具里程碑意義，可助力我們不斷擴大 GaN 芯片的自有制造。到 2030 年，我們的自有制造產(chǎn)能將增至 95% 以上，同時實現(xiàn)從多個德州儀器工廠供貨，從而確保我們高功率、高能效 GaN 半導體產(chǎn)品全系列的可靠供應?！?/p>
GaN 技術：功能強大，潛力無限
作為硅的替代品，GaN 是一種在能源效率、開關速度、電源解決方案尺寸和重量、總系統(tǒng)成本以及高溫和高壓性能方面頗具優(yōu)勢的半導體材料。GaN 芯片可提供更高的功率密度，即在較小的空間內提供更大功率，因此可用于筆記本電腦和手機中的電源轉換器以及暖通空調系統(tǒng)和家用電器中的更小型、更高能效電機驅動。
如今，德州儀器提供品類齊全的 GaN 集成功率半導體，涵蓋低壓和高壓類別，可助力打造高能效、高可靠性且高功率密度的電子產(chǎn)品。
德州儀器高壓電源部門副總裁 Kannan Soundarapandian 表示：“借助 GaN 技術，德州儀器可以更高效地在緊湊空間內提供更大功率，這也是驅動我們很多客戶進行創(chuàng)新的主要市場需求。服務器電源、太陽能發(fā)電和交流/直流適配器等系統(tǒng)的設計人員面臨著降低功耗并提高能效的挑戰(zhàn)，他們越來越需要德州儀器穩(wěn)定供應基于 GaN 的高性能芯片。德州儀器的集成式 GaN 功率級產(chǎn)品系列可助力客戶實現(xiàn)更高功率密度、更好易用性和更低系統(tǒng)成本?！?/p>
此外，德州儀器 GaN 芯片采用了德州儀器專有的硅基氮化鎵 (GaN-on-silicon) 工藝，經(jīng)過超 8 千萬小時的可靠性測試并具有集成保護特性，可保持高壓系統(tǒng)的安全性。
GaN 制造技術：卓越性能，引領前沿
德州儀器采用了當今市面上先進的 GaN 芯片制造設備，其新增產(chǎn)能可提升產(chǎn)品性能、制造工藝效率并帶來成本優(yōu)勢。
此外，德州儀器在提升 GaN 產(chǎn)能過程中采用了更先進、更高效的機臺，可以生產(chǎn)出體積更小但是功率更大的芯片。這種設計創(chuàng)新可在制造中使用更少的水資源、能源和原材料，采用 GaN 芯片的終端產(chǎn)品也能擁有同樣的環(huán)境效益。
面向未來，不斷擴展
德州儀器新增的 GaN 產(chǎn)能所帶來的性能優(yōu)勢還包括，可以支持公司將GaN芯片應用擴展到更高的電壓范圍，起始電壓為900V，并隨時間推移擴展至更高電壓，進一步推動機器人、可再生能源和服務器電源等應用在功效和尺寸方面的創(chuàng)新。
德州儀器的擴大投資還包括今年年初成功開展的在 12 英寸晶圓上開發(fā) GaN 制造工藝的試點項目。此外，德州儀器擴展后的 GaN 制造工藝可全面轉為采用 12 英寸技術，使公司可根據(jù)客戶需求迅速擴展規(guī)模并為未來轉為 12 英寸技術做好準備。
致力于負責任、可持續(xù)的制造
擴大GaN 技術的芯片供應和創(chuàng)新應用，是德州儀器踐行負責任、可持續(xù)制造理念的新一舉措。德州儀器還承諾了 2027 年美國業(yè)務全面實現(xiàn)可再生電力使用，并在 2030 年全球業(yè)務全面實現(xiàn)該目標。
