国产sm精品全国,上课同桌吃我的小兔子作文

緯湃科技采用英飛凌CoolGaN?晶體管，打造功率密度領(lǐng)先的DC-DC轉(zhuǎn)換器

直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中都是必不可少的，用于連接高壓電池和低壓輔助電路。這包括12 V電源的前大燈、車內(nèi)燈、雨刮和車窗電機(jī)、風(fēng)扇，以及48 V電源的泵、轉(zhuǎn)向驅(qū)動(dòng)裝置、照明系統(tǒng)、電加熱器和空調(diào)壓縮機(jī)。此外，DC-DC轉(zhuǎn)換器對(duì)于開(kāi)發(fā)更多具有低壓功能的經(jīng)濟(jì)節(jié)能車型也十分重要。TechInsights1的數(shù)據(jù)顯示，2023年全球汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器的市場(chǎng)規(guī)模為40億美元，預(yù)

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880

08/16 08:32

英飛凌轉(zhuǎn)換器

名古屋大學(xué)諾獎(jiǎng)團(tuán)隊(duì)Nature：GaN新型超晶格結(jié)構(gòu)，為增強(qiáng)GaN器件性能提供選擇！

近日，日本名古屋大學(xué)（Nagoya University）的一項(xiàng)新研究發(fā)現(xiàn)，將氮化鎵（GaN）和鎂（Mg）簡(jiǎn)單熱反應(yīng)就會(huì)形成獨(dú)特的超晶格結(jié)構(gòu)。這是研究人員首次發(fā)現(xiàn)可以將二維金屬層插入塊狀半導(dǎo)體中，這有望提高GaN半導(dǎo)體器件性能。同時(shí)這項(xiàng)新結(jié)構(gòu)的發(fā)現(xiàn)，打開(kāi)了半導(dǎo)體材料新型摻雜機(jī)制和薄膜材料新型形變機(jī)制的兩扇新窗。研究人員將這一發(fā)現(xiàn)稱為“大自然的饋贈(zèng)”，它可能會(huì)開(kāi)辟新的途徑并激發(fā)該領(lǐng)域更多的基礎(chǔ)研究。

DT半導(dǎo)體

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07/22 12:25

GaN GaN器件

梁劍波教授：金剛石是GaN最好的朋友！實(shí)現(xiàn)GaN與金剛石的直接鍵合，有望解決半導(dǎo)體發(fā)熱問(wèn)題

自從2012年梁劍波教授加入大阪市立大學(xué)（2020年，大阪市立大學(xué)和大阪府立大學(xué)進(jìn)行合并，更名為日本大阪公立大學(xué)）以來(lái)，“GaN/金剛石/Ga2O3、鍵合工藝、界面研究、異質(zhì)結(jié)、界面熱阻、熱管理……”成為其主頁(yè)標(biāo)簽。

DT半導(dǎo)體

1萬(wàn)

04/09 10:10

GaN 氮化鎵

降本25%！GaN進(jìn)軍汽車、醫(yī)療等市場(chǎng)

近日，GaN領(lǐng)域新增4起應(yīng)用案例，涉及汽車、電源及驅(qū)動(dòng)器等。1月25日，據(jù)外媒消息，納微與知名汽車供應(yīng)商Shinry成立了一個(gè)聯(lián)合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，旨在加速開(kāi)發(fā)以納微GaNFast技術(shù)為基礎(chǔ)的新能源汽車（NEV）電源系統(tǒng)。

行家說(shuō)三代半

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02/23 08:37

GaN 氮化鎵

三安半年報(bào)：SiC業(yè)務(wù)增長(zhǎng)178.86%，900V GaN器件完成開(kāi)發(fā)

8月4日晚間，三安光電公布了2023年半年報(bào)，報(bào)告期內(nèi)整體營(yíng)收約64.69億元，同比下降4.33%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.7億元，同比下降 81.76%；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤(rùn)為-5.55億元，總體情況大致與7月份公布的業(yè)績(jī)預(yù)告相符。

化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

1898

2023/08/08

SiC 碳化硅

這家GaN器件廠在意大利設(shè)立電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中心

???????9月14日，專注于開(kāi)發(fā)增強(qiáng)型硅基GaN FETs器件的電源轉(zhuǎn)換公司EPC宣布，已在意大利都靈（Turin, Italy）附近設(shè)立了新的設(shè)計(jì)應(yīng)用中心，聚焦GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，面向電動(dòng)出行、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)及工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)。

化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

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2022/09/21

EPC GaN器件

ROHM確立柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT的量產(chǎn)體制

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓*2高達(dá)8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。

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2022/03/24

ROHM GaN器件

GaN器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中具有更高性價(jià)比

為了獲得更高的系統(tǒng)效率， GaN器件用于智能電機(jī)驅(qū)動(dòng)成為發(fā)展方向。在GaN器件中引入一個(gè)線性電容能夠有效控制開(kāi)關(guān)速率，以最大程度地降低EMI和電壓應(yīng)力，同時(shí)保持高效率。

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2021/09/15

GaN 氮化鎵

什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件氮化鎵半導(dǎo)體器件特點(diǎn)是什么

氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件是一種在射頻（RF）、微波、功率電子和光電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。