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GaN

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氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。收起

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  • GaN“上車”進(jìn)程提速：1200V MOS、800V模塊
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    作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級(jí)總監(jiān) 校對(duì)：宋清亮 英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)高級(jí)首席工程師 過去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)
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