ALD技術(shù)

• ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢(shì)？
  學(xué)員問(wèn)：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢(shì)？如上圖，先說(shuō)第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對(duì)比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進(jìn)出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

  TOM聊芯片智造

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  12/20 16:07

  ALD ALD技術(shù)

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