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3D NAND Flash，劍指1000層堆疊！

閃存進(jìn)入立體堆疊時(shí)代之后，在存儲(chǔ)大廠推動(dòng)下，閃存堆疊層數(shù)越來(lái)越高，目前已經(jīng)突破200層大關(guān)。不過(guò)，大廠對(duì)于層數(shù)的追求永不止步，根據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)高管近日對(duì)外表示，2030年V-NAND可以疊加到1000多層。閃存市場(chǎng)層數(shù)堆疊競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，未來(lái)存儲(chǔ)產(chǎn)品容量有望持續(xù)提升。

全球半導(dǎo)體觀察

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2023/07/06

SSD 閃存
韓國(guó)Wonik IPS｜供應(yīng)三星西安3D Nand molding設(shè)備

根據(jù)韓媒 Etnews 報(bào)道，雖 Wonik IPS 公司的供應(yīng)數(shù)量暫無(wú)具體資訊，但業(yè)界預(yù)測(cè)對(duì)公司業(yè)績(jī)貢獻(xiàn)巨大。

CINNO Research

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2020/02/24

dram 三星電子
大陸存儲(chǔ)器 53 年發(fā)展史

本文中的存儲(chǔ)器包括DRAM、SRAM、EPROM、Flash和新型存儲(chǔ)器（MRAM、PRAM、RRAM）產(chǎn)品。

趙元闖

112

2019/10/10

存儲(chǔ)器 flash
東芝已正式更名為“鎧俠”，公司將投資 3 億擴(kuò)大生產(chǎn)3D NAND Flash

與非網(wǎng)10月2日訊，作為NAND閃存的發(fā)明人，雖然市場(chǎng)地位已經(jīng)被三星超越，但東芝的地位仍然不容小覷。

與非網(wǎng)記者

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2019/10/02

NAND 內(nèi)存
長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D閃存芯片量產(chǎn)在即，國(guó)產(chǎn)芯片替代趨勢(shì)下還存在哪些挑戰(zhàn)？

據(jù)報(bào)道，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃于今年年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng)，目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。

李晨光

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2019/05/08

國(guó)產(chǎn)芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ)

與非星榜

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