3D NAND

超盈智能科技蟄伏存儲(chǔ)行業(yè)13年，專注于產(chǎn)品封測(cè)和嵌入式存儲(chǔ)解決方案，強(qiáng)勁的產(chǎn)品篩選能力對(duì)產(chǎn)品的來(lái)料有著嚴(yán)格的把控，產(chǎn)品穩(wěn)定性得到高度保證。現(xiàn)旗下科摩思品牌首次推出消費(fèi)類存儲(chǔ)固態(tài)硬盤(pán)赤霄白帝KM7000，搭載PCIe 4.0 NVMe 2.0協(xié)議，以高性能和超大容量存儲(chǔ)為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者提供高速存儲(chǔ)新體驗(yàn)。 科摩思消費(fèi)類存儲(chǔ)產(chǎn)品研發(fā)以問(wèn)天戰(zhàn)甲為理念，從南天門(mén)計(jì)劃構(gòu)思中研發(fā)出赤霄白帝、天河玄女及承

最近，鎧俠首席技術(shù)官 (CTO) Hidefumi Miyajima表示，計(jì)劃將在2031年批量生產(chǎn)超過(guò) 1,000 層的 3D NAND 存儲(chǔ)器。不少人感嘆，NAND終究是卷到了1000層。其實(shí)，在去年的IEEE論壇上，三星也提出了類似的觀點(diǎn)，預(yù)測(cè)到2030年將出現(xiàn)1000層NAND。1000層NAND，是“勇者”的游戲。

每年春天，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最讓人期待的盛會(huì)莫過(guò)于閃存大會(huì)和SEMICON。今天來(lái)聊聊閃存大會(huì)（CFMS | MemoryS 2024）。3月20日，2024年閃存大會(huì)在深圳前海舉行，大會(huì)匯集了全球三大存儲(chǔ)原廠以及眾多產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。據(jù)主辦方透露，今年大會(huì)總參與企業(yè)超過(guò)1500家，預(yù)計(jì)到場(chǎng)人數(shù)超過(guò)4000人。

從目前公開(kāi)的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？

SEMulator3D 工藝建模在開(kāi)發(fā)早期識(shí)別工藝和設(shè)計(jì)問(wèn)題，減少了開(kāi)發(fā)延遲、晶圓制造成本和上市時(shí)間 現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝極其復(fù)雜，包含成百上千個(gè)互相影響的獨(dú)立工藝步驟。在開(kāi)發(fā)這些工藝步驟時(shí)，上游和下游的工藝模塊之間常出現(xiàn)不可預(yù)期的障礙，造成開(kāi)發(fā)周期延長(zhǎng)和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) (DOE) 功能來(lái)解決這一問(wèn)題。 在 3D NAND 存儲(chǔ)器件的制造中，有