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霍爾器件是一種利用霍爾效應的固態(tài)電子器件。E.H.霍爾于1879年發(fā)現(xiàn):一塊矩形導體或半導體材料在磁感應強度為Bz的磁場中,在垂直于磁場的方向有電流Ix通過試件(圖1),在既垂直于磁場Bz、又垂直于電流Ix的方向將產(chǎn)生電場Ey,這就是霍爾效應。這個電場在電極3和4之間產(chǎn)生電動勢UH,稱為霍爾電動勢。
霍爾器件是一種利用霍爾效應的固態(tài)電子器件。E.H.霍爾于1879年發(fā)現(xiàn):一塊矩形導體或半導體材料在磁感應強度為Bz的磁場中,在垂直于磁場的方向有電流Ix通過試件(圖1),在既垂直于磁場Bz、又垂直于電流Ix的方向將產(chǎn)生電場Ey,這就是霍爾效應。這個電場在電極3和4之間產(chǎn)生電動勢UH,稱為霍爾電動勢。收起
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