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近日，國(guó)內(nèi)2家碳化硅IDM廠商實(shí)現(xiàn)了晶圓廠和車規(guī)級(jí)SiC MOS產(chǎn)品方面的突破：9月20日，昕感科技官微宣布，他們于當(dāng)日順利完成晶圓廠首批投片，標(biāo)志著昕感晶圓廠正式進(jìn)入全面營(yíng)運(yùn)階段。

行家說(shuō)三代半

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09/24 08:34

晶圓廠 SiC-MOSFET

58.97億元！芯聯(lián)集成并購(gòu)碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)子公司

今年6月20日晚間，芯聯(lián)集成曾發(fā)布公告稱，其擬收購(gòu)控股子公司芯聯(lián)越州集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱：芯聯(lián)越州）剩余72.33%股權(quán)。歷時(shí)2個(gè)多月后，芯聯(lián)集成收購(gòu)芯聯(lián)越州剩余72.33%股權(quán)的并購(gòu)案迎來(lái)了最新進(jìn)展。9月4日晚間，芯聯(lián)集成發(fā)布公告稱，其收購(gòu)芯聯(lián)越州剩余72.33%股權(quán)的重組草案通過(guò)了董事會(huì)決議。

化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

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09/06 08:43

碳化硅碳化硅MOSFET

國(guó)家隊(duì)加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

據(jù)南京發(fā)布近日消息，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí)4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國(guó)在這一領(lǐng)域的首次突破。

全球半導(dǎo)體觀察

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09/03 10:20

芯片制造第三代半導(dǎo)體

國(guó)產(chǎn)SiC實(shí)現(xiàn)3大技術(shù)突破：溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)

近期國(guó)內(nèi)多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術(shù)突破，涉及溝槽技術(shù)、大尺寸制備等：●?青禾晶元：實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級(jí)SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)模化生產(chǎn)。●?國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）：成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)●?上海漢虹：使用自行研發(fā)制造的碳化硅長(zhǎng)晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體。

行家說(shuō)三代半

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09/03 08:32

SiC 碳化硅MOSFET

4家SiC相關(guān)企業(yè)獲融資

近日，“行家說(shuō)三代半”發(fā)現(xiàn)，國(guó)內(nèi)又有4家SiC相關(guān)企業(yè)獲得融資：新瀝半導(dǎo)體：完成A輪融資，已量產(chǎn)1200V 80毫歐碳化硅MOS；矽迪半導(dǎo)體：完成數(shù)千萬(wàn)天使輪融資，將新建試產(chǎn)線工廠；盈鑫半導(dǎo)體：完成天使輪投資，加速CMP進(jìn)口替代；蓋澤科技：完成數(shù)千萬(wàn)融資，SiC設(shè)備已量產(chǎn)交付。

行家說(shuō)三代半

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04/06 08:25

SiC 碳化硅

碳化硅MOSFET

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