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碳化硅

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碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。收起

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  • 英飛凌:30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù),成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴
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    2024年,全球極端天氣頻發(fā),成為有氣象記錄以來(lái)最熱的一年,颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下,推動(dòng)社會(huì)的綠色低碳轉(zhuǎn)型,提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識(shí)。在經(jīng)濟(jì)社會(huì)踏“綠”前行的過(guò)程中,第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐,如何破局飛速發(fā)展的市場(chǎng)與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾,除了當(dāng)下熱門(mén)的新能源汽車(chē)應(yīng)用,如何在工業(yè)儲(chǔ)能等其他應(yīng)用市場(chǎng)多點(diǎn)開(kāi)花?在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì)上,英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)
  • 昔日明星企業(yè)破產(chǎn),碳化硅市場(chǎng)出清加速
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    日前,據(jù)全國(guó)企業(yè)破產(chǎn)重整案件信息網(wǎng)披露,北京市第一中級(jí)人民法院受理了北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司破產(chǎn)清算案件,并指定北京華信清算服務(wù)有限公司擔(dān)任管理人。昔日明星企業(yè),如今卻破產(chǎn)清算,其背后也折射出目前碳化硅乃至第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的窘境。
  • 平面技術(shù)PK溝槽技術(shù):探索碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)
    平面技術(shù)PK溝槽技術(shù):探索碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)
    在電力電子應(yīng)用中,功率密度固然重要,但可靠性也同樣至關(guān)重要,甚至在某些應(yīng)用中可能更為關(guān)鍵。盡管工程師通常專(zhuān)注于性能局限性問(wèn)題,但可能導(dǎo)致計(jì)劃外停機(jī)或維修的實(shí)際故障則較難接受,因?yàn)樗鼈兛赡軙?huì)對(duì)業(yè)務(wù)產(chǎn)生不可預(yù)見(jiàn)的重大影響。因此,溝槽技術(shù)的潛力需要進(jìn)行更全面的評(píng)估。雖然溝槽技術(shù)有望成為電力電子工程工具箱的標(biāo)準(zhǔn)配置,事實(shí)上也已經(jīng)被采納使用,但采用這種技術(shù)的人對(duì)其提供可靠性能的能力還抱有相當(dāng)多的"大膽一試"的想法。
  • 降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法
    降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法
    一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋(CMP)等幾個(gè)關(guān)鍵工序。每一步都對(duì)最終產(chǎn)品的TTV有著重要影響。 切割:將SiC晶棒沿特定方向切割成薄片。多線(xiàn)砂漿切割是目前常用的切割方式,關(guān)鍵在于確保切割后的晶片厚度均勻、翹曲度小。 粗磨:去除切割過(guò)程中產(chǎn)生的表面損傷和刀紋,修復(fù)變形。此過(guò)程需使用高硬度磨料,如碳化硼或金剛石粉,以達(dá)到穩(wěn)定的去除速率。 精磨:進(jìn)一步降
  • 激光退火后,碳化硅襯底TTV變化管控
    激光退火后,碳化硅襯底TTV變化管控
    一、激光退火在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 激光退火是一種先進(jìn)的熱處理技術(shù),通過(guò)局部高溫作用,能夠修復(fù)碳化硅襯底中的晶格缺陷,提高晶體質(zhì)量,優(yōu)化摻雜元素的分布,從而改善材料的導(dǎo)電性能和表面結(jié)構(gòu)。然而,激光退火過(guò)程中,由于激光能量分布的不均勻性、退火參數(shù)的精確控制難度以及襯底材料的初始狀態(tài)等因素,往往會(huì)導(dǎo)致襯底表面TTV的變化,進(jìn)而影響后續(xù)加工工序和最終產(chǎn)品的性能。 二、影響激光退火后TTV變化的關(guān)