加入星計劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權(quán)保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

硅材料

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

硅材料,重要的半導(dǎo)體材料,化學(xué)元素符號Si,電子工業(yè)上使用的硅應(yīng)具有高純度和優(yōu)良的電學(xué)和機械等性能。

硅材料,重要的半導(dǎo)體材料,化學(xué)元素符號Si,電子工業(yè)上使用的硅應(yīng)具有高純度和優(yōu)良的電學(xué)和機械等性能。收起

查看更多
  • 晶圓材料的生產(chǎn)工藝比較
    晶圓材料的生產(chǎn)工藝比較
    硅片是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心材料,廣泛應(yīng)用于集成電路、太陽能電池、MEMS等領(lǐng)域。硅片(wafer)的生產(chǎn)工藝對其質(zhì)量、性能和后續(xù)的應(yīng)用至關(guān)重要。硅基集成電路工藝中,硅片的純度、摻雜濃度、晶體結(jié)構(gòu)等參數(shù)會直接影響到器件的性能。在硅片生產(chǎn)中,最常用的兩種工藝是直拉法(Czochralski,簡稱CZ法)和區(qū)熔法(Float-Zone,簡稱FZ法)。
  • 碳化硅功率晶體的設(shè)計發(fā)展及驅(qū)動電壓限制
    傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設(shè)計中,采用硅材料的功率晶體要達到低通態(tài)電阻,必須采用超級結(jié)技術(shù),利用電荷補償?shù)姆绞绞估诰觾?nèi)的垂直電場分布均勻,有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。
  • 有研半導(dǎo)體擬IPO
    與非網(wǎng)7月29日訊 據(jù)北京監(jiān)管局披露,中信證券股份發(fā)布關(guān)于有研半導(dǎo)體硅材料股份公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)基本情況表。
  • 中環(huán)集團110億賣身,TCL欲接盤卻面臨兩大難
    TCL 科技發(fā)布公告稱,公司將參與公開摘牌收購中環(huán)集團 100%股權(quán),中環(huán)集團轉(zhuǎn)讓底價約為 109.74 億元。
  • 半導(dǎo)體硅材料
    半導(dǎo)體硅材料是一種常用的半導(dǎo)體材料,廣泛應(yīng)用于電子學(xué)和微電子學(xué)等領(lǐng)域。它具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,是目前制造集成電路的主要材料。
    1527
    2022/12/26