氧化鎵

• 【“源”察秋毫系列】下一代半導(dǎo)體氧化鎵器件光電探測器應(yīng)用與測試
  

  氧化鎵（Ga2O3）探測器是一種基于超寬禁帶半導(dǎo)體材料的光電探測器，主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學(xué)特性使其在多個應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結(jié)構(gòu)不同、制備工藝以及應(yīng)用場景的不同的區(qū)別會有較大的性能差異。而性能指標(biāo)之間往往存在制約，例如暗電流和輸出電流、靈敏度和響應(yīng)度、可靠性和靈敏度等需要權(quán)衡和折中。對于性能表征也是如此，高響應(yīng)度一定無法和高精度電流表征同時進(jìn)行。

  與非網(wǎng)編輯

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  11/12 09:04

  探測器 氧化鎵
• 第四代半導(dǎo)體，初露鋒芒
  

  今年，鎵、鍺相關(guān)物出口管制觸發(fā)多股漲停，第四代半導(dǎo)體發(fā)展初露鋒芒。公開資料顯示，鎵和鍺都是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，均已被列入國家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄中。兩種 金屬礦產(chǎn)無論是在儲量還是在出口上，中國均在全球占據(jù)領(lǐng)先地位。2022 年我國鎵產(chǎn)品的出口數(shù)量大幅增長。海關(guān)總署數(shù)據(jù)表明，2022 年 1 至 11 月，我國累計出口鎵產(chǎn)品 89.35 噸，比 2021 年 同期增加 44.1%。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  11/12 09:30

  半導(dǎo)體材料 氧化鎵
• 半導(dǎo)體全面分析（九）：四代半，氧化鎵，2025襯底外延，2030器件應(yīng)用！
  一般用禁帶寬度來區(qū)分半導(dǎo)體代際，不知道禁帶是啥的請移步半導(dǎo)體全面分析（一）：兩大特性，三大政策，四大分類！

  史晨星

  2.4萬

  09/21 08:50

  半導(dǎo)體材料 氧化鎵
• 淺談光電探測器與圖像傳感器（四）
  光電探測器是能夠?qū)⒐庑盘栟D(zhuǎn)化為電信號的器件，通常都是通過光電效應(yīng)進(jìn)行直接轉(zhuǎn)化。其也通過其他信號進(jìn)行間接轉(zhuǎn)化，比如光-熱-電，光-磁-電，光-聲-電等。光電探測器廣泛應(yīng)用于通信、成像、傳感和醫(yī)學(xué)診斷等領(lǐng)域。 1. 按照波長分類 光電探測器按照波長可以分為可見光探測器，紅外探測器，紫外探測器，X射線探測器、高能粒子探測器等。 可見光探測器 其中可見光波段的范圍是400-700nm，在消費類產(chǎn)品最為常見

  Semlsee

  3163

  08/20 07:58

  探測器 CMOS圖像傳感器
• 第四代半導(dǎo)體材料龍頭又有新突破！
  

  近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。據(jù)了解，NCT成立于2015年6月， 是一家專注研發(fā)和生產(chǎn)新一代半導(dǎo)體技術(shù)的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合資成立，公司的主要研究方向為氧化鎵材料。

  化合物半導(dǎo)體市場

  2652

  2023/12/27

  半導(dǎo)體材料 氧化鎵
• 產(chǎn)業(yè)調(diào)研：氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)狀與未來趨勢分析
  

  引言 在數(shù)字化和智能化趨勢的推動下，半導(dǎo)體市場的發(fā)展熱度持續(xù)攀升。特別是隨著量子信息、人工智能等高新技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體新體系及其微電子等多功能器件技術(shù)也在迅速更新迭代。為了滿足新的高性能和低成本的需求，行業(yè)內(nèi)開始關(guān)注第四代半導(dǎo)體，其中最引人矚目的就是氧化鎵。 這種材料具有許多優(yōu)越的特性，被視為可能顛覆目前的化合物半導(dǎo)體市場，并讓國產(chǎn)芯片商實現(xiàn)彎道超車的材料。但氧化鎵也有不少挑戰(zhàn)需要面對和克服。

  李堅

  1萬

  2023/08/08

  SiC 碳化硅
• 第四代半導(dǎo)體氧化鉀，被忽略的商機
  

  三菱電機公司于7月30日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.（以下簡稱“NCT”），一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借耐高溫、抗高壓、開關(guān)速度快、效率高、節(jié)能、壽命長等特點，近年來業(yè)界熱度一路飆升。然而，在寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展勢如破竹的同時，學(xué)術(shù)界和科研界不約而同地展望下一代半導(dǎo)體材料——氧化鎵（Ga?O?），并將其視為“替代碳化硅和氮化鎵”的新一代半導(dǎo)體材料的代表。

  全球半導(dǎo)體觀察

  5893

  2023/07/31

  氧化鎵
• 碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢待發(fā)
  近期，媒體報道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。

  全球半導(dǎo)體觀察

  1510

  2023/04/16

  SiC 碳化硅
• 熱點丨“第四代半導(dǎo)體” 迎重大突破！能否改變行業(yè)新技術(shù)？
  隨著信息時代的發(fā)展，量子信息、人工智能等高科技領(lǐng)域?qū)τ诎雽?dǎo)體的需求也是有更高要求，體積小、低功耗的第四代半導(dǎo)體將成為主力軍。更為重要的是，目前第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域全球國家都還在同一起跑線，因此，我國在第四代半導(dǎo)體的重大突破，有望助力芯片實現(xiàn)彎道超車，從而掀起一場資本盛宴。

  AI芯天下

  1605

  2023/03/21

  半導(dǎo)體材料 氧化鎵
• 國內(nèi)第一！這顆6英寸氧化鎵單晶擊碎“卡脖子”
  2月27日，中國電子科技集團有限公司（中國電科）宣布，近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國際最高水平。

  化合物半導(dǎo)體市場

  1888

  2023/03/04

  SiC 碳化硅
• 中國首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來
  據(jù)“中國電科”消息，中國電科46所氧化鎵團隊從大尺寸氧化鎵熱場設(shè)計出發(fā)，成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

  全球半導(dǎo)體觀察

  1053

  2023/03/02

  半導(dǎo)體材料 氧化鎵
• 今日要聞 | 利楊完成全球首顆北斗短報文SoC芯片的測試方案開發(fā)；中國首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備
  利楊完成全球首顆北斗短報文SoC芯片的測試方案開發(fā) 利揚芯片披露調(diào)研紀(jì)要顯示，公司已完成全球首顆北斗短報文SoC芯片的測試方案開發(fā)并進(jìn)入量產(chǎn)階段，短報文芯片由戰(zhàn)略合作伙伴西南集成設(shè)計研發(fā)，公司為該芯片獨家提供晶圓級（CP）測試服務(wù)。預(yù)計北斗短報文芯片將陸續(xù)在中高端智能手機搭載，有助于提振低迷的智能手機消費市場。目前該芯片的測試技術(shù)服務(wù)對公司2022年營業(yè)收入貢獻(xiàn)影響較小，對公司未來營業(yè)收入和盈利能

  與非網(wǎng)記者

  1709

  2023/02/28

  筆記本電腦 SoC芯片
• 第四代半導(dǎo)體，接力準(zhǔn)備中？
  近日，力積電與日本研發(fā)機構(gòu)合作，開發(fā)出全球獨家第四代氧化物半導(dǎo)體材料制程技術(shù)，可生產(chǎn)分辨率超過5000ppi的顯示驅(qū)動芯片，突破既有元宇宙裝置顯示技術(shù)分辨率、亮度技術(shù)不足限制。力積電預(yù)計新制程技術(shù)的AR/VR產(chǎn)品可能在明年小量試產(chǎn)，將有機會成為全球第一家擁有此技術(shù)的廠商。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1407

  2023/02/06

  半導(dǎo)體材料 氧化鎵
• 中國芯光榮的桂冠上，必有美國制裁的荊棘
  8月12日，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布公告，將四項“新興和基礎(chǔ)技術(shù)”納入新的出口管制，其中有半導(dǎo)體材料氧化鎵和金剛石及專門用于3納米及以下芯片設(shè)計的EDA/ECAD軟件等。

  芯謀研究

  1077

  2022/08/16

  eda 中芯國際
• 氧化鎵VS三代半優(yōu)劣勢明顯，產(chǎn)業(yè)鏈尚不健全+下游應(yīng)用待解
  后摩爾時代，具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出，以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，即第三代半導(dǎo)體材料（以下簡稱“三代半”）憑借其大幅降低功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率及縮小產(chǎn)品體積的顯著優(yōu)勢，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域大放異彩，成為全球半導(dǎo)體行業(yè)研究的焦點。

  步日欣

  1898

  2022/06/09

  氧化鎵
• 中國研發(fā)再突破，15億美元的氧化鎵市場如何引發(fā)多國博弈？
  近日，國內(nèi)對第四代半導(dǎo)體材料——氧化鎵的研發(fā)迎來了新的突破。

  全球半導(dǎo)體觀察

  680

  2022/05/12

  氧化鎵
• 氧化鎵：第四代半導(dǎo)體材料走進(jìn)風(fēng)口
  從定義上看，寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料。其中，以碳化硅、氮化鎵器件的技術(shù)和應(yīng)用最為成熟，然而，近年來，提到寬禁帶半導(dǎo)體，氧化鎵逐漸走進(jìn)人們的視線，成為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域新的發(fā)展方向之一。

  TechSugar

  1096

  2022/04/28

  半導(dǎo)體材料 氧化鎵
• 氧化鎵：“鎵族”新勢力
  近日，有報道稱，韓國30家半導(dǎo)體企業(yè)、大學(xué)以及研究所組建了碳化硅產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，目的是為了應(yīng)對急速增長的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（Ga2O3）等寬禁帶半導(dǎo)體所引領(lǐng)的新型功率半導(dǎo)體市場。

  中國電子報

  381

  2022/04/18

  氧化鎵
• 功率器件 | 日本團隊合作開發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片
  由日本電子零部件企業(yè)田村制作所和AGC等出資成立的Novell Crystal Technology，與佐賀大學(xué)合作成功開發(fā)出第三代氧化鎵100mm外延片。這次研發(fā)屬于NEDO戰(zhàn)略節(jié)能技術(shù)創(chuàng)新計劃中, "β-Ga2O3肖特基勢壘二極管商業(yè)化開發(fā) "項目的一部分。

  CINNO Research

  214

  2022/03/29

  功率器件 氧化鎵
• 蘋果推出M1 Ultra，半導(dǎo)體到了第幾代？
  于3月9日凌晨召開的蘋果春季發(fā)布會帶來了M1 Ultra，它可以定義為M1系列的最后一款芯片，也是當(dāng)前系列性能最強的M1芯片。半導(dǎo)體芯片的發(fā)展離不開材料的支持，半導(dǎo)體材料的變化也經(jīng)歷了好幾代的更新。

  安富利

  495

  2022/03/11

  半導(dǎo)體材料 氧化鎵

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