柵極

• 驅(qū)動電路設(shè)計（九）——柵極鉗位

  驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點，涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動器的相關(guān)功能。

  英飛凌

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  04/08 10:10

  電路設(shè)計 驅(qū)動電路

  
• 柵極（Gate）的基本原理、材料選擇和工藝方法

  在晶體管世界里，如果將晶體管比作一個可控的“水龍頭”，那么柵極（Gate）就如同控制龍頭開關(guān)的閥門，其重要性不言而喻。隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米時代，柵極的材料與制造工藝不斷進(jìn)步，成為提升器件性能的關(guān)鍵之一。

  老虎說芯

  3682

  03/24 09:42

  晶體管 柵極

  
• 為什么采用多晶硅作為柵極材料？

  學(xué)員問：為什么柵極的材料采用多晶硅？多晶硅柵的優(yōu)勢有哪些？柵極材料的變化？如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。

  TOM聊芯片智造

  1553

  02/07 08:57

  多晶硅 柵極
• 柵極電荷

  在功率半導(dǎo)體器件中，柵極電荷（Gate Charge）是一個關(guān)鍵參數(shù)，直接影響器件的開關(guān)性能、驅(qū)動電路設(shè)計以及整體效率。無論是MOSFET、IGBT還是寬禁帶半導(dǎo)體器件（如SiC和GaN），柵極電荷的大小和特性都決定了器件在高頻、高功率應(yīng)用中的表現(xiàn)。

  eefocus_4150286

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  07/01 08:42

  柵極 電荷
• MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判斷方法

  MOS場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的器件。它由柵極（Gate）、源極（Source）、漏極（Drain）三個主要引腳組成。

  eefocus_3901714

  1.1萬

  2024/11/06

  場效應(yīng)晶體管 MOS場效應(yīng)管

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