東方晶源

• 計算光刻進(jìn)入3.0時代，東方晶源ILT引領(lǐng)技術(shù)變革

  在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，計算光刻技術(shù)是推動芯片制程不斷突破的關(guān)鍵因素之一。隨著集成電路的尺寸不斷縮小，計算光刻技術(shù)應(yīng)運而生，成為提升光刻精度和芯片性能的重要手段。在國內(nèi)尖端光刻設(shè)備受限的背景下，其重要性更是不言而喻。 在這一技術(shù)革新的浪潮中，東方晶源以其前瞻性的布局和強(qiáng)大的研發(fā)能力，成為推動計算光刻技術(shù)發(fā)展的先鋒，以及國內(nèi)半導(dǎo)體制造行業(yè)實現(xiàn)技術(shù)飛躍的關(guān)鍵力量。 從基于規(guī)則、模型到基于ILT，計算光刻進(jìn)入

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  10/23 07:22

  芯片 光刻技術(shù)

  
• 東方晶源PanGen?平臺再添新成員 套刻標(biāo)記優(yōu)化工具PanOVL上線

  引言 當(dāng)半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)到22nm及以下節(jié)點時，隨著多重圖形技術(shù)的引入，對不同工藝層之間套刻（Overlay）誤差的要求變得越來越高。套刻測量技術(shù)可分為基于像面圖像識別測量技術(shù)和基于衍射原理的DBO（Diffraction Based Overlay）測量技術(shù)。相比于基于圖像識別的方法，基于衍射的套刻誤差測量具有更好的測量結(jié)果重復(fù)性、更低的設(shè)備引起測量誤差TIS（Tool Introduced

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  10/23 07:18

  集成電路 半導(dǎo)體制造

  
• 攻克關(guān)鍵技術(shù) 東方晶源ILT技術(shù)劍指先進(jìn)制程

  計算光刻作為現(xiàn)代芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心技術(shù)之一，其發(fā)展經(jīng)歷了從規(guī)則導(dǎo)向到模型驅(qū)動的轉(zhuǎn)變。然而，隨著制程邁向7nm乃至5nm節(jié)點，傳統(tǒng)方法因規(guī)則局限、優(yōu)化自由度不足等制約，難以滿足復(fù)雜芯片設(shè)計的高要求。在此背景下，反向光刻技術(shù)（ILT）以其獨特的優(yōu)化思路應(yīng)運而生。 ILT即從目標(biāo)芯片圖案出發(fā)，逆向推導(dǎo)獲得最優(yōu)化掩模圖案，極大地提升優(yōu)化的靈活性和精準(zhǔn)度，更能滿足先進(jìn)制程對圖形精度的苛刻需求。因此，在探

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  09/23 07:09

  人工智能 芯片

  
• 東方晶源PanGen DMC?完成驗證 基于快速工藝反饋可提前發(fā)現(xiàn)版圖潛在壞點

  隨著技術(shù)節(jié)點的演進(jìn)，集成電路制造工藝本身變得越來越復(fù)雜，設(shè)計者愈發(fā)難以對工藝有全面、系統(tǒng)的認(rèn)識，導(dǎo)致新產(chǎn)品在工藝端流片時需要反復(fù)迭代，經(jīng)歷長時間的Yield Ramping，增加了投產(chǎn)的成本，也延長了產(chǎn)品面市的時間。據(jù)麥肯錫統(tǒng)計，目前半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)新產(chǎn)品從導(dǎo)入流片到量產(chǎn)，大概需要12 ~ 18個月反復(fù)迭代，進(jìn)行良率提升。 如果設(shè)計者能提前獲得更多、更全面的工藝信息，則這個過程可以大大簡化和加速，進(jìn)而

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  09/18 07:08

  芯片 eda

  
• 強(qiáng)勢入局芯粒技術(shù)鏈 東方晶源PanSys產(chǎn)品重磅發(fā)布

  隨著芯片制程不斷逼近物理極限，摩爾定律的延續(xù)將更依賴于系統(tǒng)級優(yōu)化和工藝革新?；谙冗M(jìn)封裝技術(shù)的芯粒（Chiplet）系統(tǒng)是除晶體管尺寸微縮之外，獲取高性能芯片的另一個重要途徑。然而，芯粒系統(tǒng)集成不是一個簡單的堆疊過程，其設(shè)計面臨巨大的挑戰(zhàn)和困境。由于芯粒間的密集排布導(dǎo)致電磁、散熱、翹曲問題突出且互相關(guān)聯(lián)，為此必須通過大規(guī)模、精準(zhǔn)高效的多物理場耦合仿真來驅(qū)動芯粒系統(tǒng)設(shè)計，預(yù)測并調(diào)控工藝、成本和良率。

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  08/30 07:19

  eda 晶體管

  
• 東方晶源深耕電子束量測檢測核心技術(shù) “三箭齊發(fā)”新一代EOS上“機(jī)”

  電子束量測檢測設(shè)備是芯片制造裝備中除光刻機(jī)之外技術(shù)難度最高的設(shè)備類別之一，深度參與光刻環(huán)節(jié)、對制程節(jié)點敏感并且對最終產(chǎn)線良率起到至關(guān)重要的作用。其最為核心的模塊為電子光學(xué)系統(tǒng)（Electron?Optical?System，簡稱EOS），決定設(shè)備的成像精度和質(zhì)量， 進(jìn)而決定設(shè)備的性能。 作為電子束量測檢測領(lǐng)域的先行者、領(lǐng)跑者，東方晶源始終堅持自主研發(fā)，不斷深化研發(fā)投入、加速技術(shù)創(chuàng)新步伐，致力于為客

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  08/21 07:17

  半導(dǎo)體工藝 電子束

  
• 東方晶源YieldBook 3.0 “BUFF疊滿” DMS+YMS+MMS三大系統(tǒng)

  良率是芯片制造中的重要指標(biāo)。如果說先進(jìn)制程代表晶圓廠技術(shù)的領(lǐng)先性，那么產(chǎn)品良率就代表著其產(chǎn)品的可靠性和經(jīng)濟(jì)性。在制造成本固定的情況下，良率越高單顆芯片成本越低。晶圓設(shè)計制造的每一步都影響著芯片的良率，因此芯片良率提升的關(guān)鍵在于對制造過程進(jìn)行完整有效地監(jiān)控檢測，同時結(jié)合制造過程中的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，及時發(fā)現(xiàn)問題和潛在風(fēng)險，并反饋至集成電路制造端和設(shè)計端，改進(jìn)工藝和設(shè)計。 針對行業(yè)這一需求和痛點，東方晶源

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  07/18 07:16

  晶圓廠 存儲

  
• 三大產(chǎn)品線全力升級 東方晶源引領(lǐng)國內(nèi)電子束量測檢測發(fā)展

  電子束量檢測是半導(dǎo)體量檢測領(lǐng)域的主要技術(shù)類型之一，在半導(dǎo)體制程不斷微縮，光學(xué)檢測對先進(jìn)工藝圖像識別的靈敏度逐漸減弱的情況下，發(fā)揮著越來越重要的作用。電子束量檢測設(shè)備對于檢測的精度、可適用性、穩(wěn)定性、吞吐量等要求很高，其研發(fā)和設(shè)計非常具有技術(shù)挑戰(zhàn)性。 作為布局該領(lǐng)域最早的國內(nèi)企業(yè)之一，東方晶源已先后成功推出電子束缺陷檢測設(shè)備EBI，關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備CD-SEM（12英寸和6&8英寸），電子束

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  06/26 07:18

  半導(dǎo)體 ADC

  
• 東方晶源亮相SEMICON China 2024 以創(chuàng)新引領(lǐng)良率管理發(fā)展與變革

  2024年3月20日至2024年3月22日，半導(dǎo)體行業(yè)盛會SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心舉辦，為業(yè)界呈現(xiàn)一個全面覆蓋最新技術(shù)熱點的半導(dǎo)體行業(yè)盛會。作為國內(nèi)集成電路領(lǐng)域良率管理領(lǐng)軍企業(yè)，東方晶源攜產(chǎn)品矩陣亮相大會，向業(yè)界全面展現(xiàn)公司在電子束檢測量測、芯片制造EDA工具等領(lǐng)域的新產(chǎn)品、新成果、新突破，彰顯出以持續(xù)創(chuàng)新引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的技術(shù)實力和創(chuàng)新活力。 為期三天的展會上，東方晶

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  03/27 07:20

  半導(dǎo)體行業(yè) eda

  
• 專訪東方晶源俞宗強(qiáng)：獨樹一幟的計算光刻方案

  根據(jù)市場側(cè)統(tǒng)計，2022年計算光刻市場的規(guī)模約為10億美元左右。當(dāng)前，計算光刻軟件產(chǎn)品核心供應(yīng)商為ASML、Siemens EDA、Synopsys等國際廠商，而中國的計算光刻產(chǎn)業(yè)還處于初期階段。

  夏珍

  1.1萬

  2023/10/30

  與非觀察 計算光刻

  
• ASML指控東方晶源侵犯其知識產(chǎn)權(quán)，將適時采取法律行動

  當(dāng)?shù)貢r間2022年2月9日，ASML發(fā)布了2021年度報告。報告顯示其2021年度營收186億歐元，毛利率52.7%，研發(fā)支出25億歐元，凈利潤達(dá)59億歐元，各項業(yè)績指標(biāo)都大幅增長，員工總數(shù)也達(dá)到了3.2萬多人。

  芯智訊

  377

  2022/02/10

  ASML

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