872
引言
當半導體制造工藝演進到22nm及以下節(jié)點時，隨著多重圖形技術的引入，對不同工藝層之間套刻（Overlay）誤差的要求變得越來越高。套刻測量技術可分為基于像面圖像識別測量技術和基于衍射原理的DBO（Diffraction Based Overlay）測量技術。相比于基于圖像識別的方法，基于衍射的套刻誤差測量具有更好的測量結果重復性、更低的設備引起測量誤差TIS（Tool Introduced Shift）、可適應更小的特征尺寸等特點，成為大規(guī)模集成電路22 nm及以下工藝技術節(jié)點所廣泛采用的套刻測量方式。
為了測量套刻誤差，在晶圓上需要專門設計特定的套刻標記，套刻誤差裝置測量的性能很大程度上取決于套刻標記的設計?；谟嬎愎饪痰腄BO套刻標識優(yōu)化工具可以仿真套刻誤差測量的關鍵指標，從而基于仿真結果可以給出具有更佳表現(xiàn)的套刻標記設計方案，進而縮短標記研發(fā)的周期并提高整個光刻過程的效率和質(zhì)量。
產(chǎn)品簡介
東方晶源基于堅實的計算光刻平臺PanGen?推出了DBO套刻標記仿真優(yōu)化產(chǎn)品PanOVL，可以對套刻標記從多個關鍵指標維度展開計算仿真。同時考慮大規(guī)模仿真海量套刻標記的應用場景，PanOVL引入了分布式的計算框架，大大加速了通過仿真尋找更優(yōu)套刻標記的效率。
產(chǎn)品功能
東方晶源的PanOVL軟件利用PanGen OPC?引擎以及PanGen Sim?嚴格電磁場仿真引擎，借助GPU+CPU混算平臺和PanGen?分布式計算框架，可以進行大規(guī)模套刻標記仿真，并綜合多個維度的仿真結果優(yōu)選出表現(xiàn)更佳的套刻標記方案用于實際光刻工藝。 PanOVL可以識別具有較大工藝窗口的套刻標記、給出滿足良好信噪比并且探測信號抗工藝擾動能力更強的套刻標記，還可以仿真曝光過程像差對套刻標記的影響，提供令套刻測量結果更貼合器件實際情況的套刻標記。
展望
東方晶源PanOVL產(chǎn)品的發(fā)布豐富了PanGen?計算光刻平臺產(chǎn)品矩陣，同時通過以PanOVL產(chǎn)品為紐帶可以加強與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的合作，為客戶提供更全面的服務，助力客戶在晶圓制造能力方面的提升。PanOVL的研發(fā)將進一步夯實東方晶源在計算光刻領域的技術全面性和拓展性，為業(yè)界帶來更加領先、前瞻的晶圓制造EDA解決方案。
