1.n溝道與p溝道的區(qū)別
在mos管中,每個晶體管都有一個柵極、漏極和匯極。而溝道是指柵極和源極(或漏極)之間形成的導(dǎo)電途徑。n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管之間最大的區(qū)別在于溝道中注入的摻雜物不同。n溝道中摻雜的是與硅原子電子數(shù)量相比較少的雜質(zhì)(如磷),而p溝道中摻雜的則是與硅原子電子數(shù)量相比較多的雜質(zhì)(如硼)。
2.區(qū)分n溝道和p溝道導(dǎo)通條件
n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管的導(dǎo)通條件及其區(qū)別如下:
- n溝道m(xù)os管:當(dāng)管子?xùn)艠O正極電壓高于源極電壓時,n溝道內(nèi)的電子會沿著電場移動并形成導(dǎo)電通路,從而完成導(dǎo)通。同時,由于柵極正極電壓高于源極電壓,柵極和n溝道之間的結(jié)電容會變得很小,并通過這種方式調(diào)整阻態(tài)。
- p溝道m(xù)os管:與n溝道m(xù)os管不同,在p溝道m(xù)os管中,當(dāng)柵極負(fù)極電壓低于源極電壓時,p溝道內(nèi)的空穴會沿著電場移動并形成導(dǎo)電通路,從而導(dǎo)通。由于柵極負(fù)極電壓低于源極電壓,柵極和p溝道之間的結(jié)電容會變得很小,并通過這種方式調(diào)整阻態(tài)。
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