IGBT是一種四層半導(dǎo)體器件,結(jié)合了雙極晶體管(集電極-發(fā)射極)的電壓特性和MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性。這個(gè)概念最早記錄在山神于1968年提交的一項(xiàng)日本專利中。第一個(gè)設(shè)備是平面技術(shù),但最近垂直的溝槽設(shè)備已經(jīng)流行起來(lái)。
近年來(lái),由于IGT擅長(zhǎng)的高電壓、高功率應(yīng)用的增加,IGT的普及程度飆升。雖然開關(guān)速度比MOSFET慢,但在大電流下,VCE(SAT)特性比MOSFET有顯著改善,特別是對(duì)于高壓器件。它們的額定電壓范圍為300至1200伏以上,單個(gè)芯片的額定電流為15至100安培。IGBT模塊的電流額定值可達(dá)100安培。