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此設計方案實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設計

2019/02/02
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描述

此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設計不僅可以顯著改善功率密度，同時還能實現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級設計可廣泛應用于眾多需要快速響應的空間受限型應用，例如 5G 電信電源、服務器和工業(yè)電源。

特性

基于 GaN 的緊湊型功率級設計，具有高達 50MHz 的開關(guān)頻率

適用于高側(cè)和低側(cè)的彼此獨立的 PWM 輸入，或具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時間的單一 PWM 輸入

最小脈沖寬度為 3ns

300V/ns 的高壓擺率抗擾性

驅(qū)動器 UVLO 和過熱保護

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    描述：原理圖
  • 設計文件.rar
    描述：設計文件
  • 設計指南.pdf
    描述：設計指南

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