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利用 MOS管設(shè)計(jì)一種基于H橋的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的改進(jìn)方案分享

2017/07/14
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在飛思卡爾比賽中電機(jī)驅(qū)動(dòng)肯定必不可少,在對(duì)比了大多數(shù)用集成的MOS驅(qū)動(dòng)半橋設(shè)計(jì)中,根據(jù)芯片手冊(cè)和芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)做出的驅(qū)動(dòng)不管是仿真還是實(shí)物都不盡人意,歸根結(jié)底是高側(cè)MOS的重載沒(méi)有得到很好的解決,所謂的重載問(wèn)題就是高側(cè)MOS導(dǎo)通時(shí)壓降很小,源極接近于VDD,而MOS要導(dǎo)通Vgs需要大于開啟電壓,這就導(dǎo)致了高側(cè)MOS沒(méi)有完全導(dǎo)通,還處于高阻區(qū),電壓大部分降在MOS上了。

一般的做法是利用自舉電路將電壓抬高,自舉電路是直流與方波通過(guò)二極管電容的耦合。個(gè)人感覺(jué)不好使,通過(guò)幾次的改進(jìn),用三極管將隔離升壓芯片的電壓以上拉的形式導(dǎo)通MOS,因?yàn)閷?dǎo)通MOS的柵極基本不需要電流,所以升壓芯片沒(méi)有太大的負(fù)擔(dān),NPN與PNP的配合使用,邏輯上也得到了很好的解決,即輸入的控制信號(hào)邏輯同時(shí)期為1或0時(shí)4個(gè)MOS都不導(dǎo)通,避免同側(cè)MOS將電源短路。這個(gè)電路已經(jīng)同過(guò)理論、實(shí)踐和模電老師的法眼(本人大二,大一時(shí)已自學(xué)模電),但是還是決定用7971,原因有的悲催。。。。。

原理圖PCB共享,希望用得上的可以拿去用?;蛘吒倪M(jìn)?;蛘邔W(xué)習(xí)?;蛘咧更c(diǎn)一二。高手大伽肯定看不上。

出自北方民族大學(xué)

  • 復(fù)用H橋.SchDoc
    描述:原理圖
  • 復(fù)用H橋.PcbDoc
    描述:PCB

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