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大聯大世平集團推出基于onsemi產品的直流無刷電機(BLDC)驅動器方案

2022/10/11
754
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致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP81075 MOSFET驅動器運算放大器直流無刷電機(BLDC)驅動器方案。

圖示1-大聯大世平基于onsemi產品的直流無刷電機(BLDC)驅動器方案的展示板圖

隨著應用智能化趨勢日益顯著,無刷直流電機的高能效、長壽命等優(yōu)勢逐漸被市場認知,并廣泛運用在各種領域之中。據相關統(tǒng)計顯示,近幾年無刷直流電機行業(yè)收入逐年增加,電機市場以交流電機、有刷直流電機為主的格局正在被無刷直流電機所打破。在這種趨勢下,大聯大世平基于onsemi NCP81075 MOSFET驅動器和運算放大器推出了直流無刷電機(BLDC)驅動器方案,可廣泛應用于空調外機和自動化制造中。

圖示2-大聯大世平基于onsemi產品的直流無刷電機(BLDC)驅動器方案的場景應用圖

本方案采用NCP81075來做直流無刷電機的驅動元件,NCP81075是一款高性能的雙MOSFET柵極驅動器,其能夠承受的最高電壓可達180V,非常適用于在高電壓下運行的MOSFET/IGBT驅動應用。器件內部集成了驅動IC和片上自舉二極管,消除了外部離散二極管的需要。并且該器件的Low-side和High-side端可以獨立控制,在彼此的開啟和關閉之間匹配了4ns的延遲時間。此外,NCP81075也提供獨立的欠電壓鎖定保護機制,當驅動電壓低于特定閾值電壓時,Low-side和High-side端驅動器會強制輸出低電平保護電路。

除了NCP81075外,本方案還應用了NCS20166和NCS21911運算放大器。其中,NCS20166用來監(jiān)測電流,其具有軌對軌的輸入和輸出能力,以及10MHz頻帶寬度。這種低靜態(tài)電流、低噪聲放大器經過微調,可為電路提供極低的輸入偏移電壓。NCS21911是高精度運算放大器,具有低輸入偏移電壓以及極低的零點漂移特性。

圖示3-大聯大世平基于onsemi產品的直流無刷電機(BLDC)驅動器方案的方塊圖

得益于這些高效能器件,此直流無刷電機(BLDC)驅動器方案可提供高達1KW的應用功率,為電機系統(tǒng)帶來高效能和可靠性的同時,緊湊電機設計,是廣大電機工程師的理想選擇。

核心技術優(yōu)勢:

NCP81075

  • 在高端和低端驅動兩個N溝道MOSFET配置;
  • 浮動頂部驅動器可承受高達180V的升壓電壓;
  • 20ns傳播延遲時間;
  • UVLO保護;
  • 規(guī)定溫度范圍為-40℃至140℃。

NCS21911

  • 輸入偏移電壓:最大±25μV;
  • 零漂移偏移電壓:最大±0.085V/℃;
  • 單位頻寬:2MHz;
  • 操作電壓:4~36V。

NCS20166

  • 輸入偏移電壓:最大550μV(Vs=5V);
  • 單位頻寬:10MHz;
  • 操作電壓:3~5.5V;
  • 軌對軌輸入和輸出。

方案規(guī)格:

  • 輸入紋波:2.6V(@1200W);
  • 自舉紋波:2800mV(@1200W);
  • 最大溫度:73℃;
  • OCP限制(HW):45A;
  • 測試速度:3000RPM;
  • PWM頻率:20KHz(@1200W Load);
  • 最大功率:1200W(功率級輸出);
  • 測試電壓:96V。
安森美

安森美

歷史安森美半導體前身是摩托羅拉集團的半導體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產摩托羅拉的分立晶體管,標準模擬和標準邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設計和制造設施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導體和富士通半導體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現金收購飛兆半導體公司。2016年八月,安森美半導體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關型晶閘管產品線,售價共1.04億美元現金。2016年九月,安森美半導體完成收購飛兆半導體公司。產品安森美半導體制造以下的各種產品:定制:ASIC;定制代工服務;定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產生;時鐘及數據分配;存儲器;微控制器;標準邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關;音頻/視頻的ASSP;數字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產品部安森美半導體的各個產品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

歷史安森美半導體前身是摩托羅拉集團的半導體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產摩托羅拉的分立晶體管,標準模擬和標準邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設計和制造設施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導體和富士通半導體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現金收購飛兆半導體公司。2016年八月,安森美半導體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關型晶閘管產品線,售價共1.04億美元現金。2016年九月,安森美半導體完成收購飛兆半導體公司。產品安森美半導體制造以下的各種產品:定制:ASIC;定制代工服務;定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產生;時鐘及數據分配;存儲器;微控制器;標準邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關;音頻/視頻的ASSP;數字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產品部安森美半導體的各個產品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社收起

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