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CINNO Research產業(yè)資訊，據JDI（日本顯示器公司）3月30日官網發(fā)布消息稱，其位于千葉縣茂原的G6工廠，成功開發(fā)出全球首個背板革新技術，從根本上改善了目前傳統(tǒng)氧化物半導體薄膜晶體管 (OS-TFT) 的性能。進一步將立即開始推進該技術的商業(yè)化。
１． 新技術概要
新技術的可生成場效應遷移率，是傳統(tǒng) OS-TFT 技術2 倍以上的高遷移率氧化物半導體 (HMO，High Mobility Oxide)技術，以及傳統(tǒng) OS-TFT 技術4 倍以上的超高遷移率氧化物半導體 (UHMO，Ultra High Mobility Oxide)技術。UHMO在JDI G6量產線上的場效應遷移率為52cm2/Vs，氧化物半導體TFT在量產生產線上實現了非常高速的特性?？梢哉f，該技術可實現與 LTPS 相同水平的導通電流，同時保持低截止漏電流。
另一個優(yōu)勢是，雖然傳統(tǒng)的高遷移率 AMOLED 背板需要 LTPS 技術，這將玻璃基板尺寸限制在 G6，但該技術可用于 G8 或更大的生產線。
晶體管I-V特性比較
據悉，JDI 稱該技術將極大地加速顯示技術創(chuàng)新，并有助于提高 OLED 和 LCD 顯示性能，包括：
顯示器的低功耗
提高VR/AR顯示性能，更高分辨率和更高刷新率，為用戶帶來更深的沉浸感和現實融合
可提高透明顯示器的更高透明度和圖像質量，以及實現顯示器的大尺寸化
低功耗 提高影像的真實感和臨場感
傳統(tǒng)的 OS-TFT 技術存在偏置溫度應力 (BTS) 的問題，當試圖獲得高場效應遷移率時，這會導致可靠性差和圖像劣化問題出現。一直以來，高場效應和BST二者難以共存的問題成為需要解決的課題。
此次， JDI通過利用多年來在OS-TFT積累的制造工藝專有技術，克服困難，實現了具有卓越特性的全新OS-TFT突破性技術。該技術同時實現了高場效應遷移率和穩(wěn)定的BTS，同時實現了OS-TFT的低截止漏電流和LTPS的圖像驅動穩(wěn)定性。
該技術采用了日本出光興產株式會社開發(fā)的結晶氧化物材料
場效應遷移率比較
偏置溫度應力變化特性比較
2. 未來展望
(1) 關于量產計劃：已經和客戶進行了關于該技術量產日期的商談，目前計劃從2024年開始量產。
(2) 關于銷售目標：JDI預計該突破性技術，今后在顯示類型和客戶應用中具有極其廣泛的應用。計劃將該技術與下一代 OLED 技術相結合，以擴大 G6 可穿戴設備生產，2025財年約 250 億日元（約人民幣13億元），2026財年為 500 億日元（約人民幣26億元）。
(3) 關于技術開發(fā)成本：由于該技術建立在 JDI 多年積累的背板技術核心研發(fā)技術之上。因此，商業(yè)化所需的額外費用將低于 10 億日元。
(4) 對業(yè)績影響：預測對2022年3月期業(yè)績影響不大，但將加強 JDI 的全球顯示技術領導地位，并推動 JDI 的長期可持續(xù)增長，為中長期企業(yè)價值提升做出貢獻。
