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中芯成都代工，采用上海微光刻機 SSA800/10W浸入式光刻機參數

2021/10/29
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中芯成都代工，采用上海微光刻機 SSA800/10W浸入式光刻機參數：鏡頭NA：1.35 單次曝光分辨率：38-41nm 雙工件臺：DWSi，產率在每小時200片晶圓 套刻精度：優(yōu)于2.5nm 設計指標：能夠在單次曝光條件下滿足28nm平面planner晶體管邏輯電路工藝需求。

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