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EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場效應晶體管 （eGaN? FET），器件型號為EPC2067，專為設計人員而設。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應用。
宜普電源轉換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領導者。新推的EPC2067（典型值為 1.3 mΩ、40 V）擴大了可選的低壓器件，可立即供貨。
EPC2067非常適合需要高功率密度的應用，包括48 V-54 V輸入服務器。較低的柵極電荷和零反向恢復損耗可實現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在9.3 mm2 的微小占位面積內，實現(xiàn)高功率密度。
EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 表示：“EPC2067器件專為從40 V-60 V轉至12 V的LLC DC/DC轉換器的次級側而設計。與上一代40 V的GaN FET相比，這款40 V器件具有更高的性能和成本效益，從而讓設計師可以在更低的成本下，實現(xiàn)更高的效率和功率密度”。
開發(fā)板
EPC90138開發(fā)板的最大器件電壓為40 V、最大輸出電流為40 A，配備板載柵極驅動器的半橋器件，采用了EPC2067 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的電路板專為實現(xiàn)最佳開關性能而設計，并包含所有關鍵元件，讓工程師易于評估EPC2067器件。
一個1,000顆的卷盤的EPC2067的單價為2.69美元。EPC90138開發(fā)板的單價為123.75美元，均可從Digi-Key購買。
宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵（eGaN?）的功率管理器件的領先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標應用包括直流- 直流轉換器、激光雷達（LiDAR）、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅動器，以及低成本衛(wèi)星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。
