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上海2021年10月29日 /美通社/ -- 瀾起科技宣布其DDR5第一子代內存接口及模組配套芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。該系列芯片是DDR5內存模組的重要組件，包括寄存時鐘驅動器 (RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器 (DB)、串行檢測集線器 (SPD Hub)、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC)，可為DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等內存模組提供整體解決方案。
隨著信息技術的飛速發(fā)展，內存技術現(xiàn)已發(fā)展至DDR5世代。作為業(yè)界領先的內存接口芯片組供應商和JEDEC內存標準的積極貢獻者，瀾起科技專注于內存接口技術的持續(xù)創(chuàng)新，這次推出的DDR5第一子代內存接口芯片RCD/DB，支持的最高速率達4800Mbps，是DDR4最高速率的1.5倍；接口電壓低至1.1V，能耗更低；采用創(chuàng)新的信號校準協(xié)議及均衡技術，大幅提高了內存信號完整性。
與DDR4內存模組相比，DDR5內存模組在架構上進行了革新，除配置內存顆粒和內存接口芯片之外，還需要搭配其它專用配套芯片。瀾起科技精準把握這一技術趨勢，首次推出了DDR5 PMIC、TS 及SPD Hub這三款配套芯片，可為DDR5內存模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測、I3C串行總線及路由等輔助功能。這些配套芯片與內存接口芯片一起，共同助力DDR5內存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實現(xiàn)全面提升，滿足新一代服務器、臺式機及便攜式電腦對內存系統(tǒng)的更高要求。
10月27-28日，作為英特爾公司多年的生態(tài)伙伴，瀾起科技應邀參加了英特爾舉辦的在線創(chuàng)新峰會 (Intel Innovation)，并在英特爾官網(wǎng)布置虛擬展臺，以視頻、圖片和宣傳彩頁等形式向業(yè)界展示了這五款芯片及其應用場景。
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瀾起科技在英特爾創(chuàng)新峰會布置虛擬展臺
瀾起科技的銷售及商務拓展副總裁Geof Findley表示：“瀾起在內存接口芯片領域深耕多年，基于DDR2、DDR3、DDR4這幾代產(chǎn)品的成功研發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗，我們非常高興能為英特爾最新一代的服務器和客戶端產(chǎn)品提供性能更強、可靠性更高的DDR5內存接口解決方案?！?/p>
英特爾公司數(shù)據(jù)平臺集團副總裁兼內存和IO技術總經(jīng)理Carolyn Duran表示：“英特爾與瀾起科技在內存領域已密切合作了十多年，熱切期待在DDR5內存世代繼續(xù)與瀾起科技展開深度合作?！?/p>
展望未來，瀾起科技將以自身在內存接口領域的深厚積累和生態(tài)優(yōu)勢，持續(xù)為客戶提供卓越的內存接口產(chǎn)品與服務，為數(shù)據(jù)中心、云計算及人工智能行業(yè)創(chuàng)造更大價值。
