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6月29日，三星宣布，與Synopsys合作的采用GAA架構(gòu)的3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。三星先臺(tái)積電一步，提前在3nm制程中采用GAA工藝。
據(jù)了解，三星于去年1月便宣布將生產(chǎn)世界上第一個(gè)3nm GAAFET工藝原型。3nm GAAFET需要一套不同于臺(tái)積電和英特爾使用的FinFET晶體管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和認(rèn)證工具，在此方面，三星使用了Synopsys的Fusion Design Platform。因此，這次流片是由Synopsys和三星代工廠合作完成的，旨在加速為GAA流程提供高度優(yōu)化的參考方法。
三星表示，GAA架構(gòu)改進(jìn)了靜電特性，從而提高了性能并降低了功耗，能夠?yàn)榛诩{米片寬度控制的額外矢量帶來(lái)新的優(yōu)化機(jī)會(huì)，并搭配完善的電壓閾值，能夠更好地優(yōu)化功率，為性能或面積 (PPA) 的提供更好地設(shè)計(jì)。
然而，這已經(jīng)不是三星第一次在工藝節(jié)點(diǎn)上先臺(tái)積電一步引入新的技術(shù)，先前在7nm的工藝中，三星也同樣先臺(tái)積電一步采用EUV光刻技術(shù)，可見(jiàn)，三星在新技術(shù)方面表現(xiàn)的更加大膽，也彰顯了其與臺(tái)積電“一決高下”的態(tài)度。
然而，在3nm芯片中提前采用GAA工藝是否真的能如愿給三星帶來(lái)更多競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)嗎？
Gartner研究副總裁盛陵海認(rèn)為，提前采用新的工藝技術(shù)，實(shí)則會(huì)產(chǎn)生一定的風(fēng)險(xiǎn)性，“FinFET工藝結(jié)構(gòu)已經(jīng)在先進(jìn)集成電路芯片中發(fā)展應(yīng)用了10年之久，可見(jiàn)FinFET技術(shù)在各方面已經(jīng)相對(duì)比較成熟，也能夠更好地控制成本，而引入GAA之后，在很多技術(shù)方面需要進(jìn)行重新考量，需要花費(fèi)更多成本來(lái)進(jìn)行研發(fā)，這也容易造成芯片成本更高，性能也不一定比采用FinFET工藝結(jié)構(gòu)的芯片更佳。”盛凌海同《中國(guó)電子報(bào)》記者說(shuō)道。
與此同時(shí)，芯謀研究研究總監(jiān)宋長(zhǎng)庚也認(rèn)為，對(duì)于客戶(hù)而言，并不會(huì)由于代工廠采用了新的技術(shù)，而選擇進(jìn)行嘗試，依然會(huì)從功耗、性能、價(jià)格等各方面來(lái)綜合考量芯片的技術(shù)，蔡虎進(jìn)行采納，因此在客戶(hù)競(jìng)爭(zhēng)方面，搶先一步采用GAA工藝或許并不一定能為三星帶來(lái)更多客戶(hù)。
“但這并不意味著三星提前采用GAA工藝是完全不合理的，先前，三星在存儲(chǔ)器方面已經(jīng)用到了GAA的晶體管，可以看出三星在GAA技術(shù)方面已經(jīng)積累了一定的經(jīng)驗(yàn)，提前在3nm芯片中采用GAA工藝，或許能為三星帶來(lái)一定的優(yōu)勢(shì)。” 宋長(zhǎng)庚說(shuō)道。
