382
前面的話
最近做的電機(jī)控制項(xiàng)目，之前糾結(jié)電流采樣的方案，在這里簡(jiǎn)單總結(jié)了一下；
目錄
1 電流采樣的作用
2 硬件架構(gòu)
3 采樣關(guān)鍵
4 采樣方案
5 三電阻采樣
- 5.1 三電阻采樣點(diǎn)
- 5.2 雙電阻采樣
- 5.3 雙電阻采樣點(diǎn)
- 5.4 單電阻采樣
6 總結(jié)
7 附錄
1 電流采樣的作用
在 FOC 算法中，電流采樣在反饋環(huán)節(jié)是相當(dāng)重要的一部分，無(wú)論是有感 FOC，還是無(wú)感 FOC，相電流是交流三相同步電機(jī)在進(jìn)行坐標(biāo)變換的關(guān)鍵，最終通過(guò) SVPWM 實(shí)現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)子磁場(chǎng)和定子磁場(chǎng)的同步轉(zhuǎn)動(dòng)，通常這里有三種方案，單電阻采樣，雙電阻采樣，三電阻采樣，關(guān)系到整體系統(tǒng)的成本，算法的復(fù)雜程度和最終運(yùn)行的效果，這里需要更加項(xiàng)目的具體需求進(jìn)行選擇。
本文參考 ST 的單電阻和三電阻采樣以及 TI 的雙電阻采樣，還有 microchip 的資料，結(jié)合實(shí)際中可能需要注意的地方進(jìn)行總結(jié)分析。
幾種電流采樣方案的對(duì)比；
| 電流采樣 | 成本 | 算法 |
|---|---|---|
| 單電阻 | 低 | 復(fù)雜 |
| 雙電阻 | 適中 | 適中 |
| 三電阻 | 高 | 簡(jiǎn)單 |
2 硬件架構(gòu)
硬件上的設(shè)計(jì)通常是采集三相電流，通過(guò)運(yùn)算放大器加偏置電壓，這樣可以就可以采集正負(fù)電流，最終在MCU中處理的時(shí)候減去偏置電壓就行，以Infineon XC167CI SK Board單電阻的方案為例子，具體電路拓?fù)?/a>圖如下；
下面是TI C2000 的方案
AP1608410 原文鏈接運(yùn)算放大器
?
3 采樣關(guān)鍵
采樣的關(guān)鍵是需要在三相逆變器高端關(guān)閉，低端打開(kāi)的情況下進(jìn)行采樣，這是整體的采樣點(diǎn)。因此，采樣會(huì)存在窗口時(shí)間，因?yàn)?code>ADC轉(zhuǎn)換完成需要一定數(shù)量級(jí)的時(shí)間，也就是說(shuō)，在ADC轉(zhuǎn)換完成之前，橋低端是不能關(guān)閉的，在這里，雙電阻和單電阻采樣需要考慮窗口時(shí)間的限制，而三電阻采樣則不存在窗口時(shí)間（PWM 占空比接近 100%），可以根據(jù)SVPWM當(dāng)前所在象限，進(jìn)行分類，只需要采集其中不受窗口時(shí)間限制的兩相電流，然后根據(jù) ，進(jìn)行電流的重構(gòu)。
4 采樣方案
電流采樣比較關(guān)鍵的地方主要是硬件的設(shè)計(jì)和采樣點(diǎn)的設(shè)置，這里在后面會(huì)涉及到通過(guò)相應(yīng)的觸發(fā)信號(hào)去通知ADC進(jìn)行電流采樣，最后進(jìn)行電流重構(gòu)。
5 三電阻采樣
TI的三電阻采樣
?
5.1 三電阻采樣點(diǎn)
正如前面所提到的三電阻采樣可以避免窗口時(shí)間，如下圖所示；在不同扇區(qū)需要采樣的相電流，可以看到，共同點(diǎn)是避免去采樣PWM占空比接近 100%的那一相電流。
可以參考一下 ST 的電機(jī)庫(kù)的做法，通過(guò)TIMER_CH4作為ADC采樣的觸發(fā)信號(hào)，而采樣則可以通過(guò)修改 TIM_CCR4 寄存器去改變采樣點(diǎn)，相當(dāng)靈活的做法；
?
5.2 雙電阻采樣
雙電阻采樣無(wú)法避免窗口時(shí)間，所以需要限制最終 PWM 的占空比，為ADC轉(zhuǎn)換預(yù)留足夠的時(shí)間；
5.3 雙電阻采樣點(diǎn)
?
5.4 單電阻采樣
單電阻采樣需要在一個(gè)PWM周期內(nèi)進(jìn)行兩次采樣，下面需要在 SVPWM 六個(gè)扇區(qū)進(jìn)行相電流的分類，這里可以對(duì)SVPWM的原理進(jìn)行分析，從而了解如何對(duì)電流進(jìn)行重構(gòu)；單電阻的電路結(jié)構(gòu)如下圖所示；
為了便于理解整個(gè)采樣的過(guò)程，為了表示逆變器的開(kāi)關(guān)管的狀態(tài)， Sa 表示 A 相的上下管，同理 Sb 表示 B 相的上下管；
這里規(guī)定：Sa = 1表示上管導(dǎo)通，下管斷開(kāi)；Sa = 0表示下管導(dǎo)通，上管斷開(kāi)；
Sb和Sc以此類推；
5.4.1 Sa Sb Sc：100
5.4.2 Sa Sb Sc：110
5.4.3 SVPWM 的開(kāi)關(guān)狀態(tài)
| 開(kāi)關(guān)狀態(tài) | AH | BH | CH | 電流 |
|---|---|---|---|---|
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 1 | 1 | 0 | 0 | IA |
| 2 | 1 | 1 | 0 | -IC |
| 3 | 0 | 1 | 0 | IB |
| 4 | 0 | 1 | 1 | -IA |
| 5 | 0 | 0 | 1 | IC |
| 6 | 1 | 0 | 1 | -IB |
| 7 | 1 | 1 | 1 | 0 |
因此，單電阻采樣，需要在一個(gè)PWM周期內(nèi)進(jìn)行兩次采樣；具體如下圖所示；
圖中的 SAL，SBL，SCL 分別對(duì)應(yīng)整流橋的下管，因此在一個(gè)周期內(nèi)分別進(jìn)行了Sample 1和Sample 2這兩次采樣，對(duì)照上表可以推出；
Sample 1：采集了開(kāi)關(guān)管狀態(tài)為SAL SBL SCL：101==>SAH SBH SCH：010，此時(shí)采樣電流為 ；Sample 2：采集了開(kāi)關(guān)管狀態(tài)為SAL SBL SCL：100==>SAH SBH SCH：011，此時(shí)采樣電流為 ；
原理搞清楚之后，下面要注意的地方還有兩點(diǎn)采樣點(diǎn)的確認(rèn)和窗口時(shí)間的限制；
5.4.4 ST 方案
?
6 總結(jié)
本文介紹和對(duì)比了三種電流采樣方案，簡(jiǎn)單給出了需要注意的地方，由于本人能力有限，文中難免出現(xiàn)錯(cuò)誤和紕漏，請(qǐng)大佬不吝賜教。
7 附錄
microchip 資料匯總 TI 1-, 2-, and 3-Shunt FOC Inverter Reference Design
