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最近遇到了穩(wěn)壓二極管漏電流偏大的案例，問題還在持續(xù)分析中，借助這個由頭，總結(jié)下穩(wěn)壓二極管方面的基礎(chǔ)知識。（圖片來源于 VISHAY 官網(wǎng)）
穩(wěn)壓二極管的工作原理
定義：穩(wěn)壓二極管，英文名稱 Zener diode，又叫齊納二極管；穩(wěn)壓二極管是二極管中的一種，由硅材料制成，也是一個 PN 結(jié)，但是由于制造工藝不同，當這種 PN 結(jié)處于反向擊穿狀態(tài)時，PN 結(jié)不會損壞，并且當電流在一定范圍變化時，穩(wěn)壓值幾乎不變；穩(wěn)壓二極管就是利用這種反向擊穿特性。（圖片來源于 VISHAY 官網(wǎng)）
進一步地，穩(wěn)壓值在 4V 以下的管子屬于齊納擊穿（可恢復(fù)），為負溫度系數(shù)；而穩(wěn)壓值在 7V 以上的管子屬于雪崩擊穿（也可恢復(fù)），為正溫度系數(shù)；4V~7V 之間的穩(wěn)壓管，溫度系數(shù)非常小，齊納擊穿與雪崩擊穿可能都存在；穩(wěn)壓管在正向?qū)〞r為負溫度系數(shù)。（關(guān)于電壓劃分的邊界值，說法并不統(tǒng)一，有 5V 的、有 6V 的，不過基本都很接近）
下圖為穩(wěn)壓管的伏安曲線，可以分為 4 個區(qū)域。
正向?qū)▍^(qū)域與普通二極管特性相同，PN 結(jié)正向偏置。
當施加反向電壓在穩(wěn)壓管兩端，電壓 VR 由 0 逐漸增大，就進入了截止區(qū)域，這個區(qū)域中穩(wěn)壓管不工作，會存在很小的漏電流 IR。
當反向電壓增加到 VBR 后，穩(wěn)壓管的漏電流開始迅速增大，穩(wěn)壓管開始進入了擊穿區(qū)域；反向電壓達到 VZ 后，即使大幅度增加反向電流（從 IZT 到 IZM），穩(wěn)壓值卻變化很小（VZ 到 VZM），這個就是我們想要的穩(wěn)壓狀態(tài)。
繼續(xù)增大反向電壓超過 VZM 后，穩(wěn)壓管上面的功率會出現(xiàn)超出最大限制值，進而結(jié)溫過高而燒毀。
上面是科普文章中都會介紹的基本原理，在 BMS 中主要有如下幾個地方應(yīng)用穩(wěn)壓管。
BMS 上面應(yīng)用穩(wěn)壓管的地方
電壓基準源
例如大家熟悉的 ADR504X 系列，基本原理就是穩(wěn)壓管擊穿后穩(wěn)壓。
需要注意的是，這里的應(yīng)用場景需要穩(wěn)壓管持續(xù)工作在擊穿狀態(tài)，而且電壓變化不能很大，以提供一個幾乎恒定的基準電壓，這就要求 ADR504X 工作在一定的電流區(qū)間內(nèi)（50uA~15mA），電流太大了會燒毀穩(wěn)壓管；電流太小了電壓值不穩(wěn)定，稍微電流值有點變化，就會導(dǎo)致穩(wěn)壓值跳動；而且還要考慮負載的大小以及外部供電電壓的大小，折中選取一個符合要求的限流電阻。
MOS 管或 MCU 輸入保護
這種用法就比較常見了，MOS 管的柵極 - 源極之間為了防止過壓而并聯(lián)一個穩(wěn)壓管，如下圖所示；在單板正常工作時這個穩(wěn)壓管是處在反向截止狀態(tài)下的，只有出現(xiàn)異常浪涌電壓時，穩(wěn)壓管才會被擊穿，將柵極 - 源極之間電壓鉗位住。
還有就是主控板上單片機的 AD 口或 IO 口處，會放置一個穩(wěn)壓管作保護。
因為這些場景下的保護，不需要穩(wěn)壓管擊穿后的電壓多么穩(wěn)定，只要不超過被保護器件的極限電壓即可，所以穩(wěn)壓管前面的限流電阻在選取時，大小其實大家都沒怎么仔細關(guān)注，有點憑感覺的哈。
這個用法也是很常見的，例如 ADI 早期的 LTC68XX 系列的 AFE，基本都會建議在采樣通道上面并聯(lián)一個穩(wěn)壓管，來實現(xiàn)熱插拔的防護；這里的穩(wěn)壓管不僅實現(xiàn)了電壓鉗位，而且也有分流功能，讓一部分本來需要從 AFE 內(nèi)部流過的電流，而從穩(wěn)壓管流過，降低了內(nèi)部燒毀的風(fēng)險。
目前很多廠家的 AFE 都不需要增加這個穩(wěn)壓管了，而且我們從成本出發(fā)也是不想加，不過這個穩(wěn)壓管的防護作用是真實存在的；我之前體會過它的重要性，在某個應(yīng)用下，沒有這個穩(wěn)壓管的話，AFE 就很容易熱插拔燒毀，你會聽到細小斷裂的聲音，然后就冒煙了。
總結(jié)：
最近沒啥感悟，不多說了；以上所有，僅供參考。
