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日前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）和 WiLAN Inc. 聯(lián)合宣布，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與 WiLAN Inc. 合資子公司 Polaris Innovations Limited 有關(guān)達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。依據(jù)專利許可協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從 Polaris 獲得大量奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda）的 DRAM 技術(shù)專利的實(shí)施許可。此專利許可和專利采購(gòu)協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款在此不予披露。
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Polaris 于 2015 年 6 月以 3000 萬(wàn)歐元（約合 2 億元人民幣）的價(jià)格從英飛凌（Infineon）收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá) 7000 多項(xiàng)專利和申請(qǐng)，包括與 DRAM、FLASH 存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體工藝、半導(dǎo)體制造、光刻（lithography）、封裝、半導(dǎo)體電路和存儲(chǔ)器接口（Memory Interfaces）相關(guān)的技術(shù)，其中包括約 5000 種美國(guó)專利和申請(qǐng)。截至目前，7000 多項(xiàng)專利和申請(qǐng)中，已頒發(fā)的專利的平均剩余壽命約為 4 年。
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這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)繼 2019 年 5 月宣布獲得奇夢(mèng)達(dá)一千多萬(wàn)份有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件（約 2.8TB 數(shù)據(jù)）后，再次宣布獲得奇夢(mèng)達(dá)的專利許可。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明表示，兩份協(xié)議標(biāo)志著，在完善知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合、進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)戰(zhàn)略和保障 DRAM 業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)方面，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采取了新舉措。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將繼續(xù)通過(guò)自主研發(fā)以及與 WiLAN 等國(guó)際伙伴的合作，不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價(jià)值知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面的積累。
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奇夢(mèng)達(dá)的前身是西門(mén)子（Siemens）半導(dǎo)體部門(mén)，1999 年西門(mén)子半導(dǎo)體部門(mén)獨(dú)立成為英飛凌科技，2006 年 5 月英飛凌存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門(mén)分拆成立奇夢(mèng)達(dá)。
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2006 年奇夢(mèng)達(dá)財(cái)年銷售收入為 49 億歐元，是當(dāng)時(shí)世界第二大存儲(chǔ)器制造商。產(chǎn)品包括 DRAM、圖形 DRAM、移動(dòng) DRAM 和 FLASH 閃存。
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奇夢(mèng)達(dá)是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)界最先實(shí)際轉(zhuǎn)換使用 12 英寸晶圓技術(shù)生產(chǎn) DRAM 的供應(yīng)商，2006 年 9 月成功研制 75 納米深溝槽技術(shù)；2008 年 58 納米深溝槽技術(shù)投產(chǎn)。由于 2008 年金融危機(jī)和半導(dǎo)體價(jià)格的大幅下跌，2009 年奇夢(mèng)達(dá)經(jīng)歷了財(cái)務(wù)困難和最終破產(chǎn)，但很有價(jià)值的知識(shí)產(chǎn)權(quán)在 2014 年被英飛凌收購(gòu)。
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芯思想研究院的報(bào)告中稱，2008 年奇夢(mèng)達(dá)在 IEDM2008 大會(huì)上發(fā)表的論文《6F2 buried wordline DRAM cell for 40nm and beyond》中提出 46 納米級(jí)的 6F2 buried wordline 技術(shù)，制造出了最小尺寸單元為 0.013mm2 的產(chǎn)品，buried wordline 技術(shù)可以形成低電阻互連和陣列晶體管的金屬柵極，文中還提到，陣列器件可以縮小到 30 納米而不會(huì)影響其性能。其實(shí) buried wordline 和現(xiàn)在的主流技術(shù)堆疊式異曲同工。
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芯思想研究院認(rèn)為，此次從 Polaris 獲得奇夢(mèng)達(dá)的專利許可，再次表明長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)建立了嚴(yán)謹(jǐn)合規(guī)的研發(fā)體系，將進(jìn)一步助力長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)開(kāi)發(fā) DRAM 關(guān)鍵技術(shù)，強(qiáng)化長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)地位。
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