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1949 年的今天，歷經(jīng)滄桑的中國人盼來了自己的節(jié)日——新中國成立。在戰(zhàn)后恢復(fù)期內(nèi)，經(jīng)濟基礎(chǔ)極為薄弱，建國之初，可謂是一窮二白，科技事業(yè)百廢待興。當(dāng)時，全國專門從事科技研究的機構(gòu)僅有 30 多個，從事科學(xué)技術(shù)工作的人員不超過 5 萬人。新中國的科學(xué)技術(shù)需要在一片近乎"廢墟"的基礎(chǔ)上重建，而電子行業(yè)的發(fā)展就好比是中國科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個縮影。
70 年，篳路藍縷，風(fēng)雨兼程，從一片空白到電子管、晶體管、集成電路時代，是中國人的勤奮與“只怕落后、不怕失敗”的執(zhí)念支撐著中國電子行業(yè)的發(fā)展。
下面請跟著與非網(wǎng)一起來領(lǐng)略電子行業(yè)這 70 年來的艱辛與輝煌吧！
1949 年
伴隨著新中國的誕生，中國科學(xué)院成立，郭沫若被任命為第一屆中國科學(xué)院院長。
1950 年
中央人民政府政務(wù)院公布《政務(wù)院關(guān)于獎勵有關(guān)生產(chǎn)的發(fā)明、技術(shù)改進及合理化建議的決定》和《保障發(fā)明權(quán)與專利暫行條例》，是關(guān)于科技獎勵的首批法規(guī)性文件。
1951 年
中國半導(dǎo)體物理奠基人黃昆返回北大物理系執(zhí)教。
1952 年
大連工學(xué)院電機系并入工程學(xué)校，5 月西北通信工程學(xué)院成立，同年 10 月北京航空學(xué)院成立。
1953 年
中國第一臺全國產(chǎn)化電子管收音機在南京無線電廠試制成功，命名為“紅星牌 502 型”， 結(jié)束了中國收音機依靠進口散件裝配的歷史。
1954 年
1954 年 10 月高教部第一批確定 6 所高校為全國重點大學(xué)：中國人民大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、北京大學(xué)、清華大學(xué)、北京農(nóng)業(yè)大學(xué)、北京醫(yī)學(xué)院。
1955 年
黃昆先生率先在固體物理專門化中增設(shè)了半導(dǎo)體物理方向，使北京大學(xué)成為中國最早培養(yǎng)半導(dǎo)體專門人才的單位。
1956 年
公私合營后，北京地區(qū)形成第一、第二、第三和第四無線電生產(chǎn)合作社，隸屬于北京市手工業(yè)生產(chǎn)合作社。同年成都紅光電子管廠生產(chǎn)出了中國第一支黑白顯像管和第一支投影顯像管。
1957 年
北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。同年，中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管（晶體管）。
1958 年
中國第一臺黑白電視機誕生，命名為“北京牌”，北京電視臺開始試驗播出節(jié)目，由此中國電視工業(yè)開始譜寫歷史。
1959 年
熊貓 1501 型電子管收音機于 1959 年 5 月在南京無線電廠研制成功，在提升收聽效果的同時兼具錄音、電唱功能。
1960 年
中國自行研制的第一套 1000 門縱橫自動電話交換機在上海吳淞電話局開通使用，同年中國第一臺大型通用電子計算機（107 型通用電子數(shù)字計算機）研制成功。
1961 年
中國第一臺開門式硅單晶爐制造成功，解決了“既可開門又可保持爐內(nèi)高真空度”的難題。
1962 年
中國拉制出第一根無位錯的硅單晶，而這臺硅單晶爐也榮獲國家新產(chǎn)品獎。
1963 年
在北京市委、市政府的領(lǐng)導(dǎo)下，無線電廠、元件廠、工業(yè)部門與研究單位等協(xié)調(diào)工作，參照夏普公司 BX327 型收音機，成功地試制了一款晶體管收音機，命名為“牡丹牌 8402 型”。
1964 年
我國研制出每秒運算 50000 次的電子管計算機，這是當(dāng)時運算速度最快的電子管計算機，同年，哈爾濱軍事工程學(xué)院慈云桂教授等人自行研制了我國第一臺晶體管計算機——441B 機，每秒運算達 8000 次。
1965 年
在我國以中科院為代表的研究機構(gòu)的努力下，中國第一塊集成電路問世。
1966 年
上海元件五廠召開產(chǎn)品鑒定會，鑒定了以與非門為主的 TTL 型電路。標(biāo)志著中國已經(jīng)自主研制成功小規(guī)模集成電路。
1967 年
面向工農(nóng)兵的四款收音機：熊貓 302 型、工農(nóng)兵 403 型、工農(nóng)兵 315 型、紅旗 643 型收音機面世，這些收音機具有功能單一、價格便宜、可帶動揚聲器等特點，滿足了農(nóng)村有線廣播轉(zhuǎn)播的需求。
1968 年
國營東光電子廠（878 廠）在北京建立，上海無線電十九廠在上海建立，并稱為“北霸”和“南霸”。同年，上海無線電十四廠首家制成 PMOS 集成電路，拉開了我國發(fā)展 MOS 電路的序幕。
1969 年
國營永紅器材廠（749 廠）成立，后調(diào)遷至華天科技。
1970 年
國營東光電工廠(878 廠)、上海無線電十九廠建成投產(chǎn)，形成中國 IC 產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。
1971 年
聯(lián)合國第 26 屆大會恢復(fù)了中華人民共和國在聯(lián)合國的一切合法權(quán)利。
1972 年
江陰晶體管廠成立，王新潮后擔(dān)任江陰晶體管廠黨支部書記兼廠長，改制后成立今天的長電科技。
1973 年
我國 7 個單位分別從國外引進單臺設(shè)備，期望建成七條 3 英寸工藝線，最后建成的只有北京 878 廠，航天部陜西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。
1974 年
為加速發(fā)展 LSI（大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)），中國在北京召開了第一次全國性會議。
1975 年
北大研制成中國第一臺真正達到 100 萬次運算速度的大型電子計算機 -150 機。
1976 年
中國科學(xué)院計算所研制成功 1000 萬次大型電子計算機，所使用的電路為中國科學(xué)院 109 廠（現(xiàn)中科院微電子中心）研制的 ECL 型（發(fā)射極耦合邏輯）電路。
1977 年
為加速發(fā)展 LSI（大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)），在貴州省召開第三次全國性會議。
1978 年
中科院半導(dǎo)體所成功研制 4K DRAM。
1979 年
上海元件五廠和上海無線電十四廠成功仿制了英特爾的 8080 八位微處理器。
1980 年
中國第一條 3 英寸線在國營東光電子廠（878 廠）的凈化車間內(nèi)投入運行。
1981 年
中科院半導(dǎo)體所研制成功 16K DRAM。
1982 年
國務(wù)院為了加強全國計算機和大規(guī)模集成電路的領(lǐng)導(dǎo)，成立了以萬里副總理為組長的“電子計算機和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組”，制定了中國 IC 發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對半導(dǎo)體工業(yè)進行技術(shù)改造。同期，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742 廠）IC 生產(chǎn)線建成驗收投產(chǎn)，這是一條從日本東芝公司全面引進的彩色和黑白電視機集成電路生產(chǎn)線，不僅擁有封裝部，而且有 3 英寸全新工藝設(shè)備的芯片制造線。這是中國第一次從國外引進集成電路技術(shù)。
1983 年
針對當(dāng)時多頭引進，重復(fù)布點的情況，國務(wù)院大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組提出“治散治亂”，集成電路要“建立南北兩個基地和一個點”的發(fā)展戰(zhàn)略，南方基地主要指上海、江蘇和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈陽，一個點指西安，主要為航天配套。
1984 年
國務(wù)院成立電子工業(yè)振興領(lǐng)導(dǎo)小組，國務(wù)院副總理李鵬任組長。
1985 年
中科院半導(dǎo)體所制造出中國第一塊 64K DRAM。
1986 年
電子部廈門集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出“七五”期間我國集成電路技術(shù)“531”發(fā)展戰(zhàn)略，即普及推廣 5 微米技術(shù)，開發(fā) 3 微米技術(shù)，進行 1 微米技術(shù)科技攻關(guān)。
1987 年
1988 年
上無十四廠在技術(shù)引進項目和建設(shè)新廠房的基礎(chǔ)上建成了我國第一條 4 英寸線，成立了中外合資公司——上海貝嶺微電子制造有限公司。
1989 年
機電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出了“加快基地建設(shè)，形成規(guī)模生產(chǎn)，注重發(fā)展專用電路，加強科研和支持條件，振興集成電路產(chǎn)業(yè)”的發(fā)展戰(zhàn)略。同年，742 廠和永川半導(dǎo)體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團公司。
1990 年
“908 工程”是我國第一個對微電子產(chǎn)業(yè)制定國家規(guī)劃并進行大量投資的計劃。隨后，“908 工程”的代表作，無錫華晶成立。
1991 年
首都鋼鐵公司和日本 NEC 公司成立中外合資公司――首鋼 NEC 電子有限公司。
1992 年
上海飛利浦公司（現(xiàn)在的上海先進半導(dǎo)體制造有限公司）建成了我國第一條 5 英寸線。
1993 年
第一塊 256K DRAM 在中國華晶電子集團公司試制成功。
1994 年
首鋼日電公司建成了我國第一條 6 英寸線。
1995 年
電子部和國家外專局在北京聯(lián)合召開國內(nèi)外專家座談會，加速我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。電子部向國務(wù)院做了專題匯報，確定實施“909 工程”。
1996 年
英特爾公司投資在上海建設(shè)封測廠。
1997 年
上海華虹集團與日本 NEC 公司合資組建上海華虹 NEC 電子有限公司，總投資為 12 億美元，華虹 NEC 主要承擔(dān)“九 O 九”主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目建設(shè)。
1998 年
“908”主體工程華晶項目通過對外合同驗收，這條從朗訊科技公司引進的 0.9 微米的生產(chǎn)線已經(jīng)具備了月投 6000 片 6 英寸晶圓的生產(chǎn)能力。
1999 年
上海華虹 NEC 電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)從計劃的 0.5 微米提升到 0.35 微米，主導(dǎo)產(chǎn)品為 64M 同步動態(tài)存儲器(S－DRAM)。
2000 年
中芯國際成立。現(xiàn)在是中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路芯片制造企業(yè)，其 14nm 制造工藝即將量產(chǎn)。
2001 年
和艦科技（蘇州）有限公司在江蘇蘇州工業(yè)園區(qū)成立，建設(shè)一條 8 英寸芯片生產(chǎn)線。
2002 年
中緯積體電路（寧波）有限公司在浙江寧波保稅區(qū)注冊成立，建設(shè)一條 6 英寸芯片生產(chǎn)線。
2003 年
臺積電（上海）有限公司落戶上海。
2004 年
四川南山之橋微電子有限公司自主研發(fā)的我國第一款擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能以太網(wǎng)路由器、交換器系統(tǒng)芯片——“華夏網(wǎng)芯”TS2401 通過專家鑒定。
2005 年
AMD 公司與中國科技部正式簽署微處理器設(shè)計技術(shù)授權(quán)諒解備忘錄，以提高中國半導(dǎo)體工業(yè)的競爭能力。
2006 年
中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售總收入首次突破 1000 億元大關(guān)，達到 1006.3 億元。
2007 年
中芯國際 12 英寸晶片廠建成投產(chǎn)。
2008 年
國家科技重大專項啟動，“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”和“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”等專項都指向了集成電路。
2009 年
創(chuàng)業(yè)板開市，讓中國集成電路企業(yè)更容易引起資本的注意。
2010 年
上海華力微電子公司成立，在宏力 12 英寸廠房內(nèi)建設(shè) 1 條 12 英寸線，稱為“華力一期”。
2011 年
華為海思拿到 Arm 授權(quán)，并于次年推出 K3V2 四核 A9 架構(gòu)處理器。
2012 年
中芯國際在北京建立 40-28nm 生產(chǎn)線。
2013 年
紫光集團以 17.8 億美元收購展訊通信。
2014 年
國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國家戰(zhàn)略。同年，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡稱“大基金”）成立。
2015 年
中芯國際宣布 28 納米產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。
2016 年
長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布成立。同年，華為發(fā)布 10nm 芯片麒麟 970，進入國際領(lǐng)先陣營。
2017 年
長江存儲 32 層 3D NAND Flash 芯片送樣驗證。
2018 年
阿里巴巴將收購的中天微和達摩院自研芯片業(yè)務(wù)整合成一家獨立的芯片公司，該公司由馬云取名為“平頭哥半導(dǎo)體有限公司”。互聯(lián)網(wǎng)大佬紛紛進入半導(dǎo)體芯片和電子硬件領(lǐng)域，一時間掀起一股硬件科技人才涌向互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)的浪潮。
2019 年
科創(chuàng)板開市，晶晨半導(dǎo)體成為科創(chuàng)板 001 號受理企業(yè)。一個技術(shù)造富的時代正式到來。
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與非網(wǎng)原創(chuàng)內(nèi)容，未經(jīng)許可，不得轉(zhuǎn)載！
