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（一）一二代半導體各有瓶頸，難以滿足新興市場需求
第一代半導體以硅（Si）、鍺(Ge)為代表，主要應用在數據運算領域，硅基芯片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝，隨著科技需求的日益增加，硅傳輸速度慢、功能單一的不足暴露了出來，同時集成電路產業(yè)遵循的“摩爾定律”演進趨緩，以新材料、新結構以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產業(yè)新的發(fā)展方向。第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表，是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料，主要應用于通信領域。從 21 世紀開始，智能手機、新能源汽車、機器人等新興的電子科技發(fā)展迅速，同時全球能源和環(huán)境危機突出，能源利用趨向低功耗和精細管理，傳統(tǒng)的第一、二代半導體材料由于自身的性能限制已經無法滿足科技的需求，這就呼喚需要出現新的材料來進行替代。
（二）第三代半導體優(yōu)勢明顯，重點領域市場需求量大
以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料憑借其寬禁帶、高熱導率、高擊穿電場、高抗輻射能力等特點，在許多應用領域擁有前兩代半導體材料無法比擬的優(yōu)點，有望突破第一、二代半導體材料應用技術的發(fā)展瓶頸，市場應用潛力巨大。根據第三代半導體不同的發(fā)展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器以及其他 4 個領域，每個領域產業(yè)成熟度各不相同，其中前沿研究領域，寬禁帶半導體還處于實驗室研發(fā)階段。預計到 2020 年，第三代半導體技術應用將在節(jié)能減排、信息技術、國防三大領域催生上萬億元潛在市場，而碳化硅和氮化鎵器件很可能成為推動整個電力電子、光電子和微波射頻三大領域效率提升和技術升級的關鍵動力之一。
（三）發(fā)達國家展開全面部署，美日歐欲搶戰(zhàn)略制高點
國際上第三代半導體產業(yè)已經整體進入產業(yè)形成期，并開始步入激烈競爭的階段，眾多國家將其列入國家戰(zhàn)略，從國際競爭角度看，美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，并展開全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點。
（四）國家意志驅動產業(yè)發(fā)展，第三代半導體迎來機遇
我國政府高度重視第三代半導體材料的研究與開發(fā)，從 2004 年開始對第三代半導體領域的研究進行了部署，啟動了一系列重大研究項目，2013 年科技部在 863 計劃新材料技術領域項目征集指南中明確將第三代半導體材料及應用列為重要內容。2015 年 5 月，國務院發(fā)布《中國制造 2025》，新材料是《〈中國制造 2025〉重點領域技術路線圖》中十大重點領域之一，其中第三代半導體被納入關鍵戰(zhàn)略材料發(fā)展重點；同年，京津冀聯合共建了第三代半導體材料及應用聯合創(chuàng)新基地，欲搶占第三代半導體戰(zhàn)略新高地，并引進國際優(yōu)勢創(chuàng)新資源。2016 年作為“十三五”開局之年，科技部、工信部、國家發(fā)改委等多部委出臺多項政策，對第三代半導體材料進行布局。從政策的內容來看，科技創(chuàng)新仍是重點，產業(yè)化布局、專業(yè)人才儲備、投資鼓勵、產業(yè)園規(guī)劃建設、生產制造扶植等方面的支持政策也逐步出臺，力爭全面實現“換道超車”。地方政策也在 2016 年大量出臺，一方面多地均將第三代半導體寫入“十三五”相關規(guī)劃（17 項）；另一方面不少地方政府有針對性的對當地具有一定優(yōu)勢的 SiC 和 GaN 材料企業(yè)進行扶持。
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