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近日，市場調(diào)研機(jī)構(gòu) IC Insights 預(yù)測，2017 年全球有 11 家半導(dǎo)體公司資本支出預(yù)算超過 10 億美元，這 11 家資本支出預(yù)算總和占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總資本支出預(yù)算的比例是 78%， 對比一下，2013 年有 8 家公司資本支出超過 10 億美元。如圖所示，這 11 家全球資本支出預(yù)算最大的公司中，有三家（英特爾、格芯和意法半導(dǎo)體）資本支出預(yù)算同比增加了 25%或以上。
2016 年資本支出同比增長最多的是純代工廠中芯國際，近年來中芯國際的產(chǎn)能利用率一直在 95%以上。中芯國際 2016 年資本支出預(yù)算原本定為 21 億美元，2016 年 11 月份，中芯國際將該年資本支出預(yù)算提升到 26 億美元，所以相比 2015 年，中芯國際 2016 年資本支出同比增長了 87%。
與中芯國際資本支出猛增不同，由于對 DRAM 市場預(yù)期悲觀，三星和 SK 海力士都削減了資本支出，三星 2016 年資本支出同比下降 13%，而海力士則下降了 14%。雖然總支出減少了，但兩家公司在 3D NAND 方面的投入相比 2015 年都有增加。
2016 年底，美光收購了 Inotera，但合并 Inotera 的預(yù)算后，美光 2017 年資本支出預(yù)算也比其 2016 年支出（僅計(jì)美光）減少了 13%。
由于產(chǎn)能充沛，2016 年格芯（GlobalFoundries）大幅壓縮資本支出，與 2015 年相比，同比減少了 62%。格芯 2017 年資本支出預(yù)算同比增加了 33%（但仍然僅相當(dāng)于 2015 年資本支出的一般左右，主要是 2016 年砍太狠），增幅在前十一大半導(dǎo)體設(shè)備廠金主中居榜眼位置。格芯的資本支出增長主要用于先進(jìn)工藝技術(shù)投產(chǎn)上（格芯宣布將跳過 10 納米節(jié)點(diǎn)，全力開發(fā) 7 納米工藝）。
索尼在 2016 年的資本支出達(dá)到了 10.6 億美元，主要用于增加其影像傳感器的產(chǎn)能。但 2017 年預(yù)算減至 10 億美元以下。意法半導(dǎo)體 2017 年資本支出預(yù)算達(dá)到了 10.5 億美元，同比暴增 73%，因此取代了索尼的位置，成為十億美元資本支出俱樂部最后一名。值得注意的一點(diǎn)是，意法半導(dǎo)體已經(jīng)做出聲明，2017 年資本支出預(yù)算大幅增加為特例，以后還是會將資本支出限制在其銷售額的 10%或以內(nèi)。
短評：IC Insights 前不久剛公布全球半導(dǎo)體研發(fā)投入十億美元俱樂部，此次又公布了資本支出十億美元俱樂部名單。與研發(fā)投入不同，資本支出主要用于生產(chǎn)設(shè)備等固定資產(chǎn)投資，所以在前十中看不到 IC 設(shè)計(jì)公司的身影。
與非網(wǎng)分析師王樹一認(rèn)為，可以從資本支出預(yù)算，來估計(jì)主要半導(dǎo)體廠商對市場榮枯的預(yù)判，資本支出與半導(dǎo)體產(chǎn)能需求息息相關(guān)。以存儲器市場為例，由于三星和海力士對 2016 年 DRAM 市場前景預(yù)期悲觀，因此大幅削減了資本支出，IC Insights 得到的消息是這兩家在 3D NAND 上的投資反而增加了，這樣算下來，在 DRAM 產(chǎn)能的投資就更少，所以在下半年出現(xiàn)缺貨也在情理之中。
樹一從專業(yè)人士處得到的消息也顯示，包括三星、海力士與東芝等主要閃存廠商在 2016 年都在 3D NAND 上投入了巨額資金，但目前 3D NAND 的良率依然不盡如人意，這或許也是閃存繼續(xù)漲價(jià)的原因之一。
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