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近日，全球半導體硅片大廠環(huán)球晶和汽車零部件供應商博世均宣布，獲得美國芯片法案的巨額補貼。該項補貼將分別用于12英寸先進制程硅晶圓制造廠及8英寸碳化硅晶圓廠的擴產。
據全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，美國政府在近兩個月內就接連宣布了11筆芯片補貼計劃，補貼金額總計約達230億美元，涉及企業(yè)除了上述環(huán)球晶和博世外，還包括美光、Coherent、Skywater Technology、X-Fab、Absolics、Entegris、英特爾、格芯、臺積電。
環(huán)球晶獲4.06億美元補助，用于12英寸先進制程硅晶圓等擴產
12月18日，半導體硅晶圓廠環(huán)球晶（GlobalWafers）宣布，其美國子公司GlobalWafers America（GWA）及MEMC LLC（MEMC）已獲美國芯片法案高達4.06億美元的直接補助。
這筆資金將用于支持環(huán)球晶在美國德州謝爾曼市及密蘇里州圣彼得斯市的先進半導體晶圓廠投資計劃，預計總投資額將達到40億美元。環(huán)球晶表示，此次補助將對其在美國的擴產計劃起到至關重要的推動作用。GWA將于2025年上半年成為美國首座量產12英寸先進制程硅晶圓的制造廠，而MEMC則計劃在同一時間段內開始生產12英寸絕緣層上覆硅（SOI）晶圓。
除了直接補助外，環(huán)球晶還將申請美國財政部的先進制造業(yè)投資稅收抵免。根據該政策，GWA和MEMC廠區(qū)符合資格的支出可獲得最高25%的稅賦抵免。此外，芯片法案還提供了600萬美元的直接補助金，專門用于強化GWA的勞動力發(fā)展計劃，以提升員工技能和促進就業(yè)增長。
博世獲2.25億美元補貼，用于加州8英寸碳化硅廠房建設
近日，美國商務部表示，已與德國汽車零部件供應商博世（Bosch）達成初步協(xié)議，將為博世在加州的碳化硅功率半導體工廠興建計劃，提供多達2.25億美元（約16.38億人民幣）的補貼。
據悉，美國商務部將以這筆補貼支持博世將在加州羅斯維爾市（Roseville）投資19億美元（約138.33億人民幣），把制造設施轉型為生產碳化硅功率半導體工廠的計劃。博世預期，這座半導體工廠2026年起將以200毫米（8英寸）晶圓生產芯片。美國商務部稱，博世這座工廠產能全開時，在全美碳化硅芯片制造產能中的占比將超過40%。
碳化硅產業(yè)競爭激烈，多家大廠紛紛表示有望在今年年底開始至明年正式邁入8英寸時代。
Wolfspeed方面，今年6月Wolfspeed曾表示，其位于美國紐約的莫霍克谷8英寸碳化硅晶圓工廠的利用率達到了20%。
意法半導體則計劃在2025年將碳化硅產品全面升級為8英寸，目前8英寸碳化硅芯片產線正在安裝調試中，預計2025年完成階段性建設并逐步投產。
英飛凌則在今年8月宣布其位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠一期項目正式啟動運營，預計2025年可實現規(guī)模量產。
安森美位于韓國富川的碳化硅晶圓廠已于2023年完成擴建，計劃于2025年完成相關技術驗證后過渡到8英寸生產，屆時產能將擴大到當前規(guī)模的10倍。
羅姆在日本福岡縣筑后工廠的碳化硅新廠房已于2022年開始量產6英寸晶圓，后續(xù)將切換為8英寸晶圓產線。按照羅姆的規(guī)劃，其預計在2025年量產8英寸碳化硅晶圓。
三菱電機方面，其位于熊本縣正在建設的8英寸碳化硅晶圓廠將提前開始運營。該工廠的運作日期將從2026年4月變更為2025年11月。
國內企業(yè)中，士蘭微8英寸碳化硅功率器件項目已進入土方工程收尾階段，一期項目預計將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產；芯聯(lián)集成擁有一條8英寸碳化硅晶圓試驗線，其8英寸碳化硅晶圓工程批已于今年4月20日下線，計劃今年四季度正式開始向客戶送樣，2025年進入規(guī)模量產；方正微電子當前有兩個Fab，其中，Fab2的8英寸碳化硅晶圓生產線預計將于2024年底通線。
美光獲美補貼61.65億美元，加強尖端DRAM供應能力
12月10日，美國商務部宣布向美國存儲芯片大廠美光科技提供高達61.65億美元的直接資金資助，以支持美光科技未來20年內在紐約州投資1000億美元和在愛達荷州投資250億美元的產能建設計劃，并將幫助其在先進存儲制造領域的份額從目前的不到2%提高到2035年的約10%。
據悉，商務部將根據美光項目里程碑的完成情況發(fā)放資金。此外，美國還宣布，商務部已與美光科技簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，擬撥款高達2.75億美元，用于支持美光擴建和現代化位于弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。
美國商務部表示，這項投資將通過加強國內尖端DRAM芯片的可靠供應，來幫助增強美國經濟的韌性，上述國內尖端DRAM芯片是個人計算、工業(yè)、高性能計算、汽車、工業(yè)、無線通信和人工智能等先進技術的重要組成部分。另外美光的DRAM芯片還為該公司的高性能內存（HBM）提供動力，這對于實現新的AI模型至關重要。利用這筆資金，美光計劃在紐約和愛達荷州擴大最先進內存半導體技術的開發(fā)和生產，并承諾在2030年前投入約500億美元。
廠房建設的進一步細節(jié)也隨之披露，擬議項目將包括把美光的1-alpha技術引入其馬納薩斯工廠，并顯著提高每月晶圓產量。公開資料顯示，美光的1-alpha節(jié)點是一種先進的DRAM工藝技術，在位密度、功率效率和性能方面都有顯著的改進。
Coherent建6英寸InP生產線，獲3300萬美元補貼
12月6日，美國宣布將向Coherent提供高達3300萬美元的擬議直接補貼資金，該筆資金用于該公司在德克薩斯州謝爾曼現有的?700,000 平方英尺工廠的現代化和擴建，通過增加先進的晶圓制造設備來大規(guī)模生產磷化銦（InP）器件，從而建立世界上第一條 150 毫米 InP 生產線。
Skywater Technology獲1600萬美元補貼，提高30%晶圓產能
12月6日，美國宣布將向SkyWater提供高達1600萬美元的擬議直接補貼資金，以支持其位于明尼蘇達州布盧明頓的現有設施的現代化改造，通過更換設備、升級設施的潔凈室和空間以及 IT 系統(tǒng)來提高生產和晶圓服務的質量，并將90納米和130納米晶圓的整體產能提高約30%。
X-Fab獲5000萬美元補貼，X-Fab 碳化硅代工廠開展擴產
12月6日，美國宣布將向X-Fab提供高達5000萬美元的擬議直接補貼資金，將支持X-Fab 碳化硅（SiC）代工廠的擴建和現代化改造。據悉這是美國唯一的大批量SiC代工工廠。
Absolics獲7500萬美元補貼，新建工廠開發(fā)先進封裝基板技術
12月5日，美國宣布將向韓國SKC的子公司Absolics 提供高達7500萬美元的直接補貼資金。該補貼將用于Absolics在美國佐治亞州科文頓建造一座120,000平方英尺的工廠，以及開發(fā)用于半導體先進封裝的基板技術。
Entegris獲7700萬美元補貼，擴產芯片制造用關鍵產品
12月5日，美國宣布將向Entegris 提供高達7700萬美元的直接補貼資金。該筆補貼將用于Entegris為尖端芯片生產提供關鍵的半導體供應鏈和制造設備材料，并支持 Entegris 在科羅拉多州科羅拉多斯普林斯建造其最先進的制造中心。
公開資料顯示，Entegris的制造中心計劃于2025年開始初步商業(yè)運營，最初將支持液體過濾產品以及前開式統(tǒng)一吊艙 (FOUP) 的生產。FOUP是高度專業(yè)化的容器，可在制造過程中處理和運輸半導體晶圓時保護它們。其客戶群涵蓋英特爾、臺積電、美光（Micron）及格羅方德等主要芯片制造廠商。
英特爾獲78.6億美元補貼用于先進制造和先進封裝廠房建設
11月26日，美國商務部聲明將為英特爾的商業(yè)半導體制造項目提供高達78.6億美元的直接資助。這筆資金將用于支持英特爾此前宣布的在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州推進關鍵半導體制造和先進封裝項目的計劃。英特爾還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預計最高可獲得超過1000億美元合格投資額的25%。
格芯獲15億美元補貼，擴建車用半導體產能
11月20日，美國商務部披露將向格芯（GlobalFoundries）提供高達15億美元的補貼。格芯計劃在紐約州馬耳他建設一座新的大型12英寸晶圓廠，并擴建現有制造工廠以提升車用半導體產能。此外，格芯在佛蒙特州伯靈頓的現有晶圓廠也將獲得1.25億美元的補貼。格芯計劃在該廠實現8英寸硅基氮化鎵制造技術的商業(yè)化，并建設美國首家同類大規(guī)模量產設施，以支持電動汽車、電網、5G和6G智能手機等關鍵領域的技術發(fā)展。
臺積電獲66億美元補貼，加速投入芯片生產中
11月15日，美國商務部表示，已最終敲定向臺積電在亞利桑那州的美國子公司提供66億美元政府補助，用于芯片生產。臺積電還計劃在亞利桑那州設立第三座晶圓廠，其在亞利桑那州菲尼克斯的總資本支出超過650億美元。
