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本周的周一，周二兩天，Tom分別拜訪了位于深圳市坪山區(qū)的深圳清華大學研究院超滑技術研究所與深圳格芯集成電路裝備有限公司，超滑所具有整條半導體制造的產線，格芯是專門做AOI設備的企業(yè)，Tom和相關負責人針對相應領域技術作了一番交流，這里面涉及到很多半導體機理的內容，特整理出來，供大家參閱。
EBL與傳統(tǒng)的紫外曝光機，激光直寫曝光機的曝光方式上有什么差別？
EBL（電子束光刻）使用電子束進行曝光，精度極高，可實現納米級圖形，但速度較慢。激光直寫曝光機使用激光直接在光刻膠上寫入圖形，分辨率介于EBL和紫外曝光之間.這兩種都是無掩膜的光刻方式。而紫外曝光機使用紫外光通過掩膜版進行曝光，快速，是投影式的一種曝光方式。激光直寫與電子束直寫如何選擇？電子束直寫精度能夠達到600nm左右，而EBL的精度在5nm左右。因此低精度的無掩膜光刻選用激光直寫，高精度的無掩膜光刻選用EBL。
激光直寫光刻膠與電子束光刻膠的區(qū)別是什么？
激光直寫光刻膠一般為紫外或近紫外波段的膠，而電子束光刻膠一般為PMMA、HSQ等，本身不具有光敏性，靠電子束的作用，發(fā)生聚合或分解反應。什么是接觸式光刻，與投影光刻有何不同？接觸式光刻中，掩膜版直接接觸到涂有光刻膠的晶圓表面，投影光刻使用投影光學系統(tǒng)，掩膜與基片不接觸，圖形通過投影方式縮小并轉移到基片上。
DLC沉積是什么？DLC沉積的應用領域？
DLC是Diamond-Like Carbon的縮寫，即類金剛石薄膜，DLC薄膜兼具金剛石的高硬度和碳材料的潤滑性，可以通過PVD或CVD的方法來制作，可以通過改變工藝條件來改變DLC薄膜的性質，使其更偏向于金剛石或碳膜。二氧化碳超臨界點干燥儀，有什么用途？原理是什么？二氧化碳超臨界點干燥儀，主要是用來干燥MEMS等容易因表面張力而塌陷的樣品。二氧化碳在31.1°C、72.8 atm（約7.39 MPa）的條件下達到超臨界狀態(tài)，在此狀態(tài)下二氧化碳無表面張力，能夠將微孔中的水進行替換，之后將二氧化碳逐步降壓釋放，使其轉化為氣態(tài)并排出系統(tǒng)，完成樣品干燥。
AOI是什么？
AOI 的全稱是 Automated Optical Inspection，即自動光學檢測。利用攝像頭捕捉樣品的圖像，與預設的圖形做對比，判斷是否存在缺陷。
AOI的應用場景？
明場和暗場各有什么作用？AOI在封裝，半導體制造，PCB板中應用很廣泛。明場光源直接照射到樣品表面，反射光進入檢測相機，適合較大缺陷，劃痕的檢測。暗場光源以傾斜的角度照射樣品表面，只有表面細小的缺陷會散射光進入相機，因此適合小顆粒，小缺陷的檢測。
AOI的2D檢測與3D檢測原理有什么不同？
相機數目不同，3D 檢測一般有一臺主相機，再配以數臺副相機，通過全方位地對樣品進行拍照，整合成為3D圖形。而2D設備一般只有一臺相機。
AOI墨點標記與激光標記是如何實現的？
AOI檢測設備在識別出缺陷后，發(fā)送信號給微型噴頭，噴頭將少量墨水噴在缺陷位置，形成小點。而激光標記則利用激光束在產品表面刻蝕出標記。激光標記適合小尺寸芯片，墨點標記適合大尺寸的芯片。
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