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    • 巨頭們需求無限大,臺(tái)積電順勢漲價(jià)
    • 跟著臺(tái)積電有[肉]吃,制造商急增產(chǎn)能
    • [CoWoS_S]的改進(jìn)助推HPC系統(tǒng)演進(jìn)
    • 彌補(bǔ)產(chǎn)能不足,CoWoS-L需求將增長
    • 結(jié)尾:
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產(chǎn)業(yè)丨CoWoS的巨大需求,到明年濤聲依舊

11/16 08:25
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作者 | 方文三

依據(jù)Yole最新發(fā)布的《2024年先進(jìn)封裝狀況》報(bào)告,預(yù)計(jì)在2023年至2029年期間,先進(jìn)封裝市場的年復(fù)合增長率將達(dá)到11%,市場規(guī)模預(yù)計(jì)會(huì)增長至695億美元。

DIGITIMES Research指出,由于云端AI加速器需求的強(qiáng)勁增長,預(yù)計(jì)到2025年,全球?qū)oWoS及類似封裝產(chǎn)能的需求可能會(huì)上升113%。

巨頭們需求無限大,臺(tái)積電順勢漲價(jià)

憑借CoWoS技術(shù),臺(tái)積電幾乎已躍升為全球領(lǐng)先的封裝廠商。

先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)在臺(tái)積電整體業(yè)績中所占比例逐漸上升,相應(yīng)的毛利率亦穩(wěn)步增長。

據(jù)分析師預(yù)測,臺(tái)積電今年在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的營收有望突破70億美元大關(guān),甚至挑戰(zhàn)80億美元。

目前,先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)約占臺(tái)積電總營收的7%至9%,預(yù)計(jì)在未來五年內(nèi),該部門的增長速度將超過臺(tái)積電整體平均水平。

這一成就與臺(tái)積電的CoWoS封裝技術(shù)密不可分。眾多AI芯片均需采用CoWoS封裝技術(shù)。

英偉達(dá)在臺(tái)積電整體供應(yīng)量中的占比已超過50%。先前推出的A100和H100等產(chǎn)品均采用了CoWoS封裝技術(shù)。

后續(xù)的Blackwell Ultra產(chǎn)品也將采用臺(tái)積電的CoWoS封裝工藝。

預(yù)計(jì)到明年,英偉達(dá)將推廣采用CoWoS-L技術(shù)的B300和GB300系列產(chǎn)品。

AMD的MI300產(chǎn)品則結(jié)合了臺(tái)積電的SoIC(3D)和CoWoS(2.5D)兩種封裝技術(shù)。

據(jù)預(yù)測,英偉達(dá)對(duì)CoWoS-L工藝的需求量將從2024年的3.2萬片晶圓大幅增長至2025年的38萬片晶圓,同比增長率高達(dá)1018%。

據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),AMD和博通對(duì)CoWoS產(chǎn)能的需求合計(jì)占比已超過27.7%。

AMD計(jì)劃于明年上半年率先推出基于CDNA4架構(gòu)的MI350產(chǎn)品。

展望未來,AMD有望在2026年推出基于Next架構(gòu)的MI400高速運(yùn)算芯片,這將使其成為英偉達(dá)的有力競爭者。

預(yù)計(jì)明年3納米技術(shù)的價(jià)格將上調(diào)約5%,而CoWoS技術(shù)的價(jià)格漲幅預(yù)計(jì)在10%至20%之間。

價(jià)格上漲的原因并非源于AI芯片的供應(yīng)不足,而是臺(tái)積電在CoWoS封裝技術(shù)方面的產(chǎn)能出現(xiàn)了短缺。

在最近舉辦的歐洲技術(shù)研討會(huì)上,臺(tái)積電宣布計(jì)劃以超過60%的復(fù)合年增長率(CAGR)擴(kuò)大CoWoS產(chǎn)能,至少持續(xù)至2026年。

因此,預(yù)計(jì)到2026年底,臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能將比2023年的水平增長超過四倍。

跟著臺(tái)積電有[肉]吃,制造商急增產(chǎn)能

作為全球領(lǐng)先的封測服務(wù)提供商,日月光承接了臺(tái)積電在CoWoS技術(shù)領(lǐng)域的溢出需求。

憑借其掌握的先進(jìn)封裝技術(shù),日月光成為臺(tái)積電應(yīng)對(duì)CoWoS封裝產(chǎn)能緊張問題的理想合作伙伴。

特別是在CoWoS-S先進(jìn)封裝的后段制程中,日月光與臺(tái)積電展開了緊密的合作。

業(yè)界專家預(yù)測,至2025年,臺(tái)積電可能會(huì)將CoWoS-S后段的oS封裝制程的40%至50%外包給日月光,此舉有望為日月光帶來約1.5億至2億美元的業(yè)績?cè)鲩L。

近日,安靠與臺(tái)積電共同宣布,雙方已簽署諒解備忘錄,計(jì)劃在亞利桑那州共同推進(jìn)先進(jìn)封裝與測試能力的建設(shè),以進(jìn)一步擴(kuò)展該地區(qū)的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。

實(shí)際上,臺(tái)積電在亞利桑那州規(guī)劃的三座先進(jìn)晶圓制程工廠,結(jié)合安靠的先進(jìn)封裝生產(chǎn)線,將有助于提升臺(tái)積電當(dāng)?shù)貜S區(qū)的附加價(jià)值,并確保訂單的穩(wěn)定性。

業(yè)界專家指出,封裝測試廠與晶圓制造廠在先進(jìn)封裝市場的定位及優(yōu)勢存在差異,雙方的合作關(guān)系超越競爭。

目前,諸如日月光、Amkor、長電科技等封裝測試行業(yè)的巨頭已經(jīng)掌握了先進(jìn)封裝技術(shù),并且由于技術(shù)升級(jí)和成本優(yōu)勢,有望成為大型制造商的另一選擇。

隨著AI市場的迅速擴(kuò)張和先進(jìn)封裝需求的激增,這些封裝測試企業(yè)不僅有望獲得更多客戶的訂單,還有可能進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,這對(duì)設(shè)備供應(yīng)商而言極為有利。

[CoWoS_S]的改進(jìn)助推HPC系統(tǒng)演進(jìn)

在過去的十年中,臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)大了集成規(guī)模,并提升了每一代產(chǎn)品的性能。

同時(shí),臺(tái)積電為[CoWoS]系列開發(fā)了衍生產(chǎn)品,目前該系列主流產(chǎn)品的命名已更新為[CoWoS_S]。

[_S]這一標(biāo)識(shí)代表了臺(tái)積電采用了硅(Si)基板作為中間基板(中介層)。

[CoWoS_S]中集成的HBM數(shù)量將會(huì)增加,Si中介層的面積將會(huì)擴(kuò)大,SoC的制造技術(shù)將會(huì)進(jìn)一步微型化。

SoC的形態(tài)將從單芯片演變?yōu)樾⌒酒?,進(jìn)而發(fā)展為SoIC(集成芯片系統(tǒng))。

臺(tái)積電在2021年推出的第五代[CoWoS_S]進(jìn)一步擴(kuò)展了Si中介層至2500mm2,相當(dāng)于三個(gè)光罩的面積,是第三代產(chǎn)品的兩倍,并且集成了8個(gè)高帶寬內(nèi)存(HBM)。

第六代[CoWoS_S]的Si中介層尺寸進(jìn)一步增大,覆蓋了四個(gè)掩模版的面積,其面積大約為3400mm2(約58.6mm見方)。

得益于AI芯片需求的增長,但硅中間層面積的增加導(dǎo)致12英寸晶圓切割出的中間層數(shù)量減少,這將使得臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能持續(xù)面臨供不應(yīng)求的局面。

隨著中間層面積的增加,從12英寸晶圓中獲得的中間層數(shù)量減少;同時(shí),安裝的HBM數(shù)量以倍數(shù)增長,并且HBM標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提升。

在CoWoS中,GPU周圍放置多個(gè)HBM,而HBM也被視為瓶頸之一。

彌補(bǔ)產(chǎn)能不足,CoWoS-L需求將增長

臺(tái)積電正在研發(fā)CoWoS的其他版本(即CoWoS-L),該版本將能夠構(gòu)建多達(dá)8個(gè)掩模版尺寸的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP),因此在三年內(nèi)將CoWoS產(chǎn)能增長四倍可能仍不足以滿足需求。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的最新報(bào)告,英偉達(dá)公司近期宣布,其Blackwell Ultra系列圖形處理單元(GPU)產(chǎn)品將更名為B300系列。

此次更名被視為一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措,預(yù)計(jì)將在2025年顯著促進(jìn)CoWoS-L(Chip on Wafer on Substrate-Less)封裝技術(shù)市場需求的增長。

CoWoS_L通過插入器與LSI芯片實(shí)現(xiàn)芯片間的互連,并利用RDL層進(jìn)行電力與信號(hào)的傳輸。

英偉達(dá)計(jì)劃將重點(diǎn)放在向北美大型云服務(wù)提供商(CSP)提供采用CoWoS-L技術(shù)的B300或GB300等GPU產(chǎn)品上。

全球四大云服務(wù)供應(yīng)商——微軟、Google、亞馬遜及META——持續(xù)擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),預(yù)計(jì)今年的資本支出總額將達(dá)到1,700億美元。

總體而言,臺(tái)積電預(yù)計(jì),在未來幾年內(nèi),用于AI和高性能計(jì)算等高要求應(yīng)用的尖端系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)將同時(shí)采用CoWoS和SoIC 3D堆疊技術(shù)。

這正是臺(tái)積電需要增加這兩種技術(shù)產(chǎn)能以構(gòu)建這些高度復(fù)雜處理器的原因。

結(jié)尾:

當(dāng)前,盡管AI芯片尚未采用最尖端的制造工藝,但其性能的提升在很大程度上依賴于先進(jìn)的封裝技術(shù)。

全球半導(dǎo)體企業(yè)能否從臺(tái)積電獲取更先進(jìn)的封裝產(chǎn)能,將對(duì)其市場占有率及影響力產(chǎn)生決定性作用。

部分資料參考:

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫:《CoWoS,是一門好生意》,創(chuàng)業(yè)板日?qǐng)?bào):《CoWoS供不應(yīng)求!臺(tái)積電無奈委外》,半導(dǎo)體芯聞:《臺(tái)積電CoWoS需求火爆》,集成芯思路:《AI芯片潮起,CoWoS封裝帶來新增量》,電子業(yè)財(cái)經(jīng):《CoWoS擴(kuò)產(chǎn)超預(yù)期,AI引領(lǐng)需求增長與資本熱潮》

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