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英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V

10/23 08:03
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如今,許多工業(yè)應(yīng)用可以通過(guò)提高直流母線電壓,在力求功率損耗最低的同時(shí),向更高的功率水平過(guò)渡。為滿足這一需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5,這是市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000 V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流鏈路電壓高達(dá)1500 VDC的應(yīng)用,額定電流為10 A至80 A,是光伏、電動(dòng)汽車充電等高直流母線電壓應(yīng)用的完美選擇。

采用TO247-4封裝的CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5

該產(chǎn)品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14 mm,間隙距離為5.4 mm,再加上高達(dá)80 A的額定電流,顯著提升了功率密度。它使開(kāi)發(fā)人員能夠在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的功率水平,而元件數(shù)量?jī)H為 1200 V SiC解決方案的一半。這簡(jiǎn)化了整體設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了從多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到2電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的平穩(wěn)過(guò)渡。

此外,CoolSiC?肖特基二極管2000V G5采用.XT互連技術(shù),大大降低熱阻阻抗,實(shí)現(xiàn)了更好的熱管理。此外,HV-H3TRB可靠性測(cè)試也證明了該二極管對(duì)濕度的耐受性。該二極管沒(méi)有反向或正向恢復(fù)電流,且具有正向低電壓的特點(diǎn),確保系統(tǒng)性能更優(yōu)。

2000 V二極管系列與英飛凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封裝的CoolSiC? MOSFET 2000 V完美適配。CoolSiC?二極管2000 V產(chǎn)品組合將通過(guò)提供TO-247-2封裝而得到擴(kuò)展,該封裝將于2024年12月推出。此外,英飛凌還提供了與CoolSiC? MOSFET 2000 V匹配的柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合。

供貨情況

采用TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5系列及其評(píng)估板現(xiàn)已上市。

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