加入星計劃,您可以享受以下權益:

  • 創(chuàng)作內容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推薦器件
  • 相關推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

賽晶科技公布2024年度中期業(yè)績 錄得總收入人民幣6.56億元 同比增長43%

08/22 08:42
1530
閱讀需 6 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

2024年度中期業(yè)績報告摘要(截至2024年6月30日止6個月)

  • 總收入為人民幣6.56億元,同比增加約43%;歸屬母公司凈利潤3,358萬元,同比扭虧為盈。
  • 配輸電業(yè)務方面,報告期內集團于該分領域的銷售收入達人民幣3.58億元,同比大幅增長105%。其中直流輸電業(yè)務同比增長177%,柔性輸電業(yè)務同比增長196%。
  • 研發(fā)方面,將在8月底正式發(fā)布自研碳化硅SiC MOSFET)晶片,電阻率低至13毫歐,達到了國際領先水準。

賽晶科技集團有限公司(「賽晶科技」或「公司」,連同其附屬公司統(tǒng)稱「集團」;股份代號:0580.HK)披露截至2024年6月30日止半年度(「報告期內」)的業(yè)績公告。

報告期內,公司總收入為人民幣6.56億元,較2023年同期增長43%;歸屬母公司凈利潤3,358萬元,同比扭虧為盈。其中,國內市場收入為人民幣6.17億元,較2023年同期增長40%;國外市場收入為人民幣3,871萬元,較2023年同期增長94%。

直流輸電業(yè)務高歌猛進,輸配電業(yè)務營收同比增長105%

隨著直流輸電專案數(shù)量與市場規(guī)模的迅猛擴張,公司依托在直流輸電領域穩(wěn)固的行業(yè)領導地位,2024上半年輸配電業(yè)務營收達到3.58億元,同比增長105%。其中,在特高壓常規(guī)直流輸電板塊,公司圓滿交付了服務于“金上-湖北”、“哈密-重慶”、“寧夏-湖南”等國家級特高壓工程專案的關鍵設備訂單,推動該領域營收同比增長高達177%。在柔性輸電板塊,公司主要交付了用于德國BorWin6海上風電柔性直流輸電工程及國網(wǎng)四川成都供電公司66KV構網(wǎng)型直掛靜止無功發(fā)生器(SVG)的訂單,實現(xiàn)該領域營收同比增長196%。

此外,公司自主研發(fā)的柔性直流輸電用直流支撐電容器,于2024年初通過國家級新技術產(chǎn)品鑒定,隨后在“國網(wǎng)四川成都供電公司66KV構網(wǎng)型直掛靜止無功發(fā)生器”及“華能玉環(huán)2號海上風電專案220千伏送出工程”等多個專案中實現(xiàn)批量供貨,并完成了100%的國產(chǎn)替代。有望在后續(xù)柔性輸電專案中,帶來新的業(yè)績增長空間。

總體來看,常規(guī)直流輸電工程、柔性輸電工程的在建及儲備專案豐富。上半年“金上-湖北”等專案順利推進,同時“陜北-安徽”等多地儲備專案蓄勢待發(fā),國外專案如“沙特中西和中南”等也有望開工。此外,“疆電送電川渝”等特高壓專案公布,新型輸電技術如低頻、遠海風電直流等不斷涌現(xiàn),拓寬市場空間。直流輸電行業(yè)快速增長,新技術需求旺盛,公司將憑借領先地位,將持續(xù)推動業(yè)績高增長。

功率半導體業(yè)務客戶數(shù)量大幅增長,晶片研發(fā)成果顯著

上半年,公司自研功率半導體業(yè)務的市場推廣和客戶開拓工作依然取得了顯著成績。2024年上半年,盡管銷售收入受到一定影響,但客戶總數(shù)實現(xiàn)了同比104%、環(huán)比45%的大幅增長。其中,完成測試和供應商導入工作并進入批量供貨階段的客戶數(shù)量更是同比增長100%、環(huán)比增長125%。

產(chǎn)能方面,上半年也實現(xiàn)了有序提升。公司已經(jīng)啟動了第三條IGBT模組封裝測試生產(chǎn)線,及第一條碳化硅模組封測生產(chǎn)線的廠房內部建設和設備采購工作,有望在2024年底前完成生產(chǎn)調試前的全部準備工作。

研發(fā)方面,上半年公司自研功率半導體領域取得了顯著成果。下半年將有一系列功率半導體晶片推出,進一步豐富了集團的晶片產(chǎn)品線,為公司在高端功率半導體市場的長遠發(fā)展奠定了堅實基礎:

  • 碳化硅(SiC MOSFET)晶片的研發(fā),電阻率低至【13】毫歐,達到了國際領先水準,將在8月底正式發(fā)布。
  • 采用第七代微溝槽技術的i23系列1200V / 300A IGBT晶片,即將研發(fā)完成。同時,采用i23系列晶片的1200V/800A、900A ED封裝IGBT模組也將陸續(xù)推出。
  • i20系列IGBT晶片產(chǎn)品線進一步擴展,即1200V / 200A、150A、100A,1700V / 150A、100A、75A等多款晶片研發(fā)進展順利,即將推出。
  • EP封裝IGBT模組,研發(fā)進展順利,即將推出。

未來展望

為加快構建新型電力系統(tǒng),促進新能源高質量發(fā)展,推動大規(guī)模設備更新改造,國家電網(wǎng)公司公布:今年全年電網(wǎng)投資將首次超過6000億元,比去年新增711億元。受益于此,特高壓常規(guī)和柔性直流輸電,及海上風電直流送出、構網(wǎng)型SVG、低頻輸電等柔性輸電領域將繼續(xù)呈現(xiàn)旺盛的市場需求,并有助于提升本集團的業(yè)績表現(xiàn)。公司繼續(xù)全力加強行銷開拓,促進自研功率半導體業(yè)務回升及其他各項業(yè)務繼續(xù)增長。

推薦器件

更多器件
器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
CL32B106KBJNNNE 1 Samsung Electro-Mechanics Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 10uF, 50V, ±10%, X7R, 1210 (3225 mm), 0.098"T, -55o ~ +125oC, 7" Reel
$0.19 查看
50-57-9405 1 Molex Board Connector, 5 Contact(s), 1 Row(s), Female, 0.1 inch Pitch, Crimp Terminal, Latch, Black Insulator, Plug,

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.32 查看
BSS123LT1G 1 onsemi Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.07 查看

相關推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜