918
- HDBaseT技術(shù)簡介
HDBaseT技術(shù)，由全球知名的家電巨頭如LG、Samsung、Sony（均來自亞洲），攜手以色列的半導體技術(shù)先鋒Valens Semiconductor，共同創(chuàng)立了HDBaseT聯(lián)盟。該聯(lián)盟于2009年成功獲得了Intel的HDCP（高清內(nèi)容保護）認證，標志著其技術(shù)標準的權(quán)威性與安全性。隨后，在2010年6月底，HDBaseT 1.0的官方規(guī)范正式確立，為行業(yè)樹立了新的里程碑。
與HDMI和DisplayPort等標準不同，HDBaseT并未引入全新的接口設(shè)計，而是巧妙地采用了RJ45接口，這一接口常被稱為水晶頭或以太網(wǎng)接口，極大地提升了用戶的熟悉度與便捷性。同時，HDBaseT采用了普遍易得的網(wǎng)線作為傳輸介質(zhì)，進一步降低了部署成本，增強了其普及性。
HDBaseT標準不僅限于視頻信號的傳輸，它還集成了網(wǎng)絡(luò)連接功能，實現(xiàn)了音視頻信號與數(shù)據(jù)通信的同步傳輸。該技術(shù)還支持以太網(wǎng)供電（PoE），即可以通過網(wǎng)線同時為連接的設(shè)備提供電力，極大地簡化了布線工作，提升了系統(tǒng)的整體效能與靈活性。
- HDBaseT版本介紹
| HDBaseT Versions | |||
| Specifications | SPEC 1.0 | SPEC 2.0 | SPEC 3.0 |
| Video & distance | 1080p,100m/328ft | 4K@30 4:4:4, 100m/328ft | 4K@60 4:4:4, 100m/328ft |
| UHD 4K, 90mv295ft | 4K@30 4:4:4, 100m/328ft | ||
| USB | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
| Power | 100 Watts | 100 Watts | 100 Watts |
| Ethernet | 100MbpS | 100MbpS | Gigabit |
| Recommended cables | Category 5e and above | Category 6a and above | Category 6a and above |
表1? HDBaseT版本介紹
- 湖南靜芯HDBaseT產(chǎn)品推薦
靜芯推出超小體積、超高峰值電流，低鉗位電壓的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC，該產(chǎn)品專為HDBaesT接口的TX（發(fā)送）和RX（接收）線路設(shè)計。SENC26F3V4UC為單路保護器件，具備3.3V低觸發(fā)電壓和7V低鉗位電壓特性，滿足115V低壓浪涌（8/20us)的過壓保護需求（VRWM=3.3V MAX，VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us)）。以其更小的容值和更高的峰值電流，為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了高速信號線提供優(yōu)異的瞬態(tài)過壓保護效果，確保了信號的完整性和設(shè)備的安全性。
圖1? 基本電性圖
- SENC26F3V4UC參數(shù)對比RClamp2504N（包含測試圖形）
| 器件參數(shù)對比 | |||||||||||||||
| Parameters | Symbol | ? | SENC26F3V4UC | ? | RCLamp2504N | ||||||||||
| IPP | VC | Min | Typ | Max | Unit | IPP | VC | Min | Typ | Max | Unit | ||||
| Peak pulse current (tp=8/20us)@25℃ | IPP | - | 46 | 14 | - | - | - | A | 28 | 14.2 | - | - | - | A | |
| Reverse Stand-off Voltage | VRWM | - | - | - | - | - | 3.3 | V | - | - | - | - | 2.5 | V | |
| Clamping Voltage | VC | IPP=10A; tp=8/20us | - | - | - | - | 7 | V | - | - | - | - | 7 | V | |
| Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | - | - | - | 4 | 6 | pF | - | - | - | 3.8 | 5 | pF | |
表2? 器件測試參數(shù)對比
圖2? 峰值電流10A 8/20測試曲線
（左邊RClamp2504N，右邊SENC26F3V4UC）
圖3 極限測試 8/20浪涌測試曲線
（左邊RClamp2504N，右邊SENC26F3V4UC）
SENC26F3V4UC的實測過流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的實測過流能力28A， SENC26F3V4UC的鉗位電壓14V@46.4A, RCLAMP2504N的鉗位電壓14.2V@28A，超過10A后的鉗位電壓，SENC26F3V4UC的鉗位電壓會明顯好于RCLAMP2504N，考慮系統(tǒng)的穩(wěn)健性是通過測試極端參數(shù)條件下的可靠性，在RCLAMP2504N的極限電流28A的條件下，SENC26F3V4UC的鉗位電壓會低于11V（RCLAMP2504N為14.2V）,對系統(tǒng)的防護效果更好。
在1A附近的鉗位電壓的實測數(shù)據(jù)：SENC26F3V4UC的鉗位電壓6.32V@1.28A, RCLAMP2504N的鉗位電壓4.8V@1.44A,兩者差別不大（規(guī)格書上 SENC26F3V4UC的余量留的比較足，標的典型值7V，最大值10V；RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是這個值已經(jīng)和實測的典型值接近了。）
SENC26F3V4UC第5號管腳可以接3.3V的VCC（RCLAMP2504N的5號管腳規(guī)格書提示不能接VCC，有風險），對3.3V提供比較好的防護，對靠近接口部分的電源提供靜電和浪涌防護，實際布線電源走線可以先連接到器件5號腳，再給到應(yīng)用電路。
- HDBaseT電路框圖
圖? 典型應(yīng)用圖
防護方案中所使用ESD型號參數(shù)描述（詳盡參數(shù)請與我司代理聯(lián)系）：
| 信號線 | 型號 | 描述 | 電流
A |
鉗位電壓
V |
電容
pF |
封裝 |
| HDBT+
HDBT- |
SENC26F3V4UC | 3.3V
單向 ESD30kV |
40 | 7 | 4 | DFN2626-10L |
| D+/D- | SEUC10F5V4U | 5.0V
單向 ESD12kV |
4.5 | 9 | 0.3 | DFN2510-10L |
| REMOTE/CLK
DAT/OUT |
SEUC236T5F4U | 5
單向 ESD12kV |
4.5 | 9 | 0.3 | SOT-23-6L |
| TP+/TP- | SELC3D3V1BA
SELC3D5V1BA |
3.3/5V
雙向 ESD15kV |
20 | 20 | 0.8 | SOD323 |
| VCC/GND
D+/D- |
SELC143T5V2UB | 5V
單向 ESD15kV |
5 | 9 | 0.6 | SOT-143 |
?
下載ECAD模型
