DDR3最后的漲聲？

作者：六千

不久前，有媒體報道三星和 SK 海力士最終將永久關(guān)閉各自的 DDR3 生產(chǎn)線，兩家韓國存儲制造商可能在今年下半年停止向市場供應 DDR3 內(nèi)存。隨后市場傳出DDR3產(chǎn)品漲價的消息。兩家公司做出這一改變的理由并不難理解，AI火熱的當下，相關(guān)內(nèi)存供不應求。為了利潤率，搶占未來十年的市場，存儲巨頭們發(fā)力HBM和DDR5等產(chǎn)品也不難理解。

SK海力士的HBM供應在2024年和2025年大部分時間都已售罄，這導致所有HBM（包括HBM2E、HBM3和HBM3E）內(nèi)存類型的價格明年預計上漲5%至10%。有媒體預測，到2025年，由于強烈的HBM需求，HBM市場份額將增加一倍以上，從2023年的2%增長到2024年的5%，再到2025年的10%。值得一提的是，DDR5內(nèi)存也受到HBM需求的影響，據(jù)報道，其價格將上漲20%，因為前三大存儲制造商將生產(chǎn)重點轉(zhuǎn)向HBM。至于服務器和個人電腦市場，早就不再使用DDR3了。

DDR3 真的垂暮了嗎？

DDR3于2007 年首次推出，已經(jīng)問世17年。相對于 DDR2，DDR3 在邏輯 Bank 數(shù)量上，起步為 8 個且為未來 16 個做準備（DDR2 只有 4Bank 和 8Bank 設(shè)計）。在封裝方面，引腳增加，有特定封裝規(guī)格且必須環(huán)保（8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝），與 DDR2 的多種封裝規(guī)格不同。在突發(fā)長度上，預取為 8bit 導致突發(fā)傳輸周期固定為 8，還增加新模式且禁止突發(fā)中斷操作，比 DDR2 更靈活。在尋址時序上，CL 周期提升且范圍不同，附加延遲設(shè)計變化，還新增寫入延遲參數(shù)，DDR2 的 CL 范圍與之不同。在新增功能上，具備重置功能可停止操作節(jié)約電力，以及新增 ZQ 校準功能自動校驗相關(guān)電阻值，這是 DDR2 所沒有的。

對于內(nèi)存產(chǎn)品來說，迭代就像人類正常的新陳代謝。設(shè)計的進步、工藝的突破讓產(chǎn)品的能耗越來越低，傳輸速度越來越快、存儲容量也越來越大。隨著DDR5的登場，DDR3是否真的要和時代說再見了？

網(wǎng)絡通信、電視、監(jiān)控、機頂盒、工業(yè)、智慧家庭等領(lǐng)域，仍是廣泛應用DDR3的場景。據(jù)中泰電子數(shù)據(jù)，2022/2021年，DDR3占DRAM比例為8%/8%，達75/74億美金。

DDR3用戶接口在設(shè)計與性能上展現(xiàn)出諸多顯著優(yōu)勢。相較前代產(chǎn)品，DDR3內(nèi)存模組在傳輸速率方面實現(xiàn)了大幅提升，從而顯著加快了數(shù)據(jù)的讀取和寫入速度，有效滿足了多任務處理和大規(guī)模數(shù)據(jù)運算的需求。同時，其低功耗特性顯著降低了計算機系統(tǒng)的能耗，進一步提升了電池續(xù)航能力，為移動設(shè)備用戶帶來了極大的便利。DDR3內(nèi)存模塊表現(xiàn)出高度的兼容性，可以適配臺式機、筆記本電腦，服務器、工作站等設(shè)備上，確保系統(tǒng)運行的穩(wěn)定性和可靠性。這一廣泛的兼容性為用戶提供了更自由的選擇空間，無需擔心內(nèi)存模塊的兼容性問題，從而大大減輕了用戶的困擾。

DDR3報價從2023年9月起陸續(xù)走揚，DDR3 4Gb至11月累計漲幅近一成，DDR3 2Gb累計漲幅則有14%。

2023年年末之際，DDR3相關(guān)業(yè)者普遍持積極態(tài)度，對市況發(fā)展充滿信心。鈺創(chuàng)公司認為，隨著庫存的逐步消化，行業(yè)已度過循環(huán)低谷，逐步邁向復蘇階段。晶豪科公司亦在推進自車規(guī)用的利基型存儲產(chǎn)品，以滿足市場的多元化需求。供應鏈透露，隨著產(chǎn)業(yè)經(jīng)過逾一年去庫存，近期終端消費性電子訂單大增，帶動DDR3芯片需求爆發(fā)，因應客戶需求，華邦、鈺創(chuàng)向載板協(xié)力廠備貨量激增，晶豪科投片量也有上升趨勢，市況回溫以及價格反轉(zhuǎn)之際，業(yè)者都在備貨迎接盛況。

不難發(fā)現(xiàn)有相當一部分半導體公司仍在DDR3市場上發(fā)力，主要關(guān)注的市場仍是物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。

華邦的DDR3定價在第二季度上漲了約 10%，主要是 2Gb 和 4GbDDR3報價。因此，華邦正全力以赴推進DDR3規(guī)格DRAM市場的發(fā)展，位于高雄的工廠今年的產(chǎn)能已全面釋放，旨在抓住DDR3價格上漲這一有利的市場機遇。據(jù)預測，華邦今年DDR3產(chǎn)品所帶來的DRAM總收入貢獻有望達到五成，從而充分把握轉(zhuǎn)接訂單所帶來的豐富商業(yè)機會。隨著制程技術(shù)升級至DDR3階段，該公司已加大對DDR3產(chǎn)能建設(shè)的投入力度。高雄工廠引進了先進的20納米設(shè)備，產(chǎn)能正逐步釋放，未來有望成為華邦新制程DRAM產(chǎn)品的主要制造基地。

中國大陸市場上，兆易創(chuàng)新也擁有多款DDR3產(chǎn)品。根據(jù)公司官網(wǎng)，兆易創(chuàng)新的利基型DDR3L兼容1.5V/1.35V電壓供電，讀寫速率為1866Mbps，最高可達2133Mbps，滿足主流應用需求。兆易創(chuàng)新?lián)碛卸嗫罾虳DR3L產(chǎn)品， 能提供1Gb/2Gb/4Gb容量， x8/x16數(shù)據(jù)接口，適應0 ~ 95℃ / -40 ~ 95℃ / -40 ~ 105℃ 不同溫度范圍的應用場景。

5月17日，鈺創(chuàng)公司董事長盧超群指出，當前階段，市場正處于復蘇進程之中，尤其在本年度上半年。鈺創(chuàng)公司的其DDR3系列產(chǎn)品已經(jīng)進入Wi-Fi 6及Wi-Fi 7市場。業(yè)界普遍預期，2024年下半年市場活力將顯著增強，預計到2025年，市場將保持持續(xù)增長的強勁勢頭，整體DRAM價格有望恢復至疫情前水平。

DDR4的成熟期來了

正如所有產(chǎn)品一樣，DDR3終究會面臨市場的淘汰。

現(xiàn)實是，雖然DDR3價格開始上漲，但其市場的玩家依舊在做“虧本生意”。南亞科技、華邦電子、精英半導體存儲器科技（ESMT）等中國臺灣存儲器公司在 2024 年第一季度仍處于虧損狀態(tài)。不過2024 年Q1的虧損有所收窄，ESMT的虧損（179 萬美元）在環(huán)比和同比上都有所收窄。

內(nèi)存產(chǎn)品每兩到三年就會升級一次。由于全球重要內(nèi)存供應商主要集中在 DDR5 或 HBM 內(nèi)存上，利基Dram制造商將在今年從 DDR4 獲得新的發(fā)展前景。DDR4 目前正接近上一個DDR3階段的過渡，預計將促進價格和銷量的增長。據(jù)相關(guān)廠商表示，預計DDR4的出貨量將大幅攀升，芯片平均售價也將大幅攀升。

這意味著DDR4將會接替DDR3現(xiàn)階段所在的利基市場。隨著三星、SK海力士停止生產(chǎn)DDR3，DDR3向 DDR4 的轉(zhuǎn)變已經(jīng)開始，據(jù)報道中國臺灣內(nèi)存制造商將從 2024 年開始優(yōu)先考慮 DDR4 以提高收入。出貨量和平均銷售價格 (ASP) 的結(jié)合將有助于他們今年的增長。

一些中國臺灣的內(nèi)存制造商正在考慮擴大產(chǎn)品范圍并開發(fā) 2Gb DDR4 解決方案，以滿足客戶對更低密度和更低成本的需求。中國大陸廠商兆易創(chuàng)新也計劃推出 8Gb DDR4 和 LPDDR4 產(chǎn)品。

內(nèi)存市場下半場

后端廠商對自2024年第二季度起始的內(nèi)存行業(yè)訂單持有樂觀預期。為應對內(nèi)存價格上揚態(tài)勢，內(nèi)存芯片制造商計劃終止減產(chǎn)措施，并逐步提升產(chǎn)能利用率，以增強盈利能力。關(guān)于上游供應增加對整體內(nèi)存市場的影響，目前尚待進一步觀察。然而，據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士指出，內(nèi)存后端企業(yè)普遍預計訂單量將有所增長。

市場顯示，在3D NAND領(lǐng)域的訂單增長預期將尤為顯著，而DRAM領(lǐng)域的訂單增長勢頭亦將從第二季度開始顯現(xiàn)。據(jù)報道，SK海力士和美光科技已著手提升其產(chǎn)能利用率，特別是針對HBM和DDR5等高端DRAM產(chǎn)品（顯然是受AI帶動的服務器領(lǐng)域增長）。

同時，消息人士稱，第一季度存儲器行業(yè)整體的產(chǎn)能利用率已回升至80%以上水平，預計第二季度將進一步升至90%以上。有媒體表示，主要NAND供應商Kioxia亦將結(jié)束減產(chǎn)措施，其產(chǎn)能利用率亦將回升至90%以上。

供應鏈制造商的積極備貨正推動著內(nèi)存市場的持續(xù)發(fā)展，進而促進了內(nèi)存后端企業(yè)的銷售業(yè)績。多家中國臺灣后端公司的業(yè)績在2月就出現(xiàn)了增長。茂茂科技2月份綜合銷售額數(shù)據(jù)顯示，其銷售額達到新臺幣17.8億元（約合5,652萬美元），同比增長23.64%，環(huán)比增長4%。ChipMOS亦表示，其在內(nèi)存領(lǐng)域的銷售額表現(xiàn)強勁，超越了顯示驅(qū)動IC（DDI）領(lǐng)域的銷售表現(xiàn)。盡管客戶目前仍主要下達短期訂單，但預計第一季度的銷售額將實現(xiàn)環(huán)比增長。力成科技發(fā)布的2月份合并銷售額數(shù)據(jù)顯示，其銷售額為新臺幣58.8億元，環(huán)比下降3.86%，但同比增長12.6%。在2024年1至2月期間，其合并銷售額累計達到新臺幣119.9億元，同比增長17.3%。

然而根據(jù)閃存市場的數(shù)據(jù)，最新一周渠道市場內(nèi)存條最新報價全面下跌，二季度過半，消費類存儲需求持續(xù)遇冷。值得注意的是，HBM產(chǎn)品產(chǎn)量的持續(xù)增長將會對DRAM產(chǎn)品供應產(chǎn)生擠兌。HBM、DDR與LPDDR5X在制程上存在沖突，當生產(chǎn)相同bit量的產(chǎn)品時，HBM3E所需的晶圓量大約是DDR5的兩至三倍。由于HBM的生產(chǎn)過程還涉及TSV封裝技術(shù)，這使得HBM的生產(chǎn)周期較DDR5增加1.5至2個月。

隨著更多產(chǎn)能傾斜至服務器市場，消費類終端可能面臨存儲資源結(jié)構(gòu)性緊缺。在巨大的成本壓力之下，終端廠商可能會通過降低存儲配置來削減成本。2024的下半場，DDR3和DDR4這些老將或許仍有一戰(zhàn)的機會。