AI大勢(shì)之下,高性能AI芯片需求緊俏,與之相關(guān)的CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急,AI芯片大廠加速生產(chǎn)的同時(shí),也在積極尋求其他先進(jìn)封裝技術(shù),以緩解AI芯片供應(yīng)不足的難題。
英偉達(dá)GB200需求增長(zhǎng),CoWoS產(chǎn)能吃緊
今年3月AI芯片大廠英偉達(dá)發(fā)布了平臺(tái)Blackwell,包括B系列GPU及整合NVIDIA自家Grace Arm CPU的GB200等。
與前一代GH200相比,GB200性能與功耗均大幅升級(jí),因而備受關(guān)注,未來需求有望持續(xù)增長(zhǎng)。
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢今年4月調(diào)查顯示,供應(yīng)鏈對(duì)NVIDIA GB200寄予厚望,預(yù)估2025年出貨量有機(jī)會(huì)突破百萬(wàn)顆,占NVIDIA高端GPU近4~5成。
臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能也將同步成長(zhǎng),集邦咨詢表示,英偉達(dá)B系列包含GB200、B100、B200等將耗費(fèi)更多CoWoS產(chǎn)能,臺(tái)積電(TSMC)亦提升2024全年CoWoS產(chǎn)能需求,預(yù)估至年底每月產(chǎn)能將逼近40k,相較2023年總產(chǎn)能提升逾150%;2025年規(guī)劃總產(chǎn)能有機(jī)會(huì)幾近倍增,其中英偉達(dá)需求占比將逾半數(shù)。
不過,業(yè)界指出,AI爆發(fā)式發(fā)展浪潮下,CoWoS當(dāng)前仍難以滿足高性能AI芯片需求,主要問題在于芯片變大以及HBM堆疊。
英偉達(dá)B200、B100等產(chǎn)品使芯片中間層面積(interposer area)變大,這意味著12英寸晶圓能切割出的芯片數(shù)量減少,CoWoS難于滿足AI芯片需求;同時(shí)隨著HBM不斷迭代,HBM涵蓋的DRAM數(shù)量同步上升,這對(duì)CoWoS封裝而言也是一大挑戰(zhàn)。
FOPLP,AI芯片新選擇?
為應(yīng)對(duì)CoWoS產(chǎn)能不足的問題,業(yè)界透露英偉達(dá)計(jì)劃導(dǎo)入面板級(jí)扇出型封裝(FOPLP)技術(shù)。據(jù)媒體最新報(bào)道,供應(yīng)鏈表示,英偉達(dá)正規(guī)劃將其GB200提早導(dǎo)入FOPLP,從2026年提前到2025年。
資料顯示,CoWoS與FOPLP同為先進(jìn)封裝技術(shù),CoWoS基于芯片堆疊的封裝技術(shù),可將多個(gè)芯片(通常是處理器和存儲(chǔ)器)堆疊在一起,并通過一個(gè)中介層(如硅中介層)將它們連接到一個(gè)基板上,能顯著提高系統(tǒng)的性能和集成度,同時(shí)減少整體封裝尺寸和重量;FOPLP則是將半導(dǎo)體芯片重新分布在大面板上,而不是使用單獨(dú)封裝。這種技術(shù)能夠集成多個(gè)芯片、無(wú)源元件和互連于一個(gè)封裝內(nèi),提供更高的靈活性、可擴(kuò)展性和成本效益。
FOPLP此前主要應(yīng)用于高功率、大電流的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用中,隨著AI時(shí)代到來,F(xiàn)OPLP有望憑借I/O密度、電氣性能、成本等優(yōu)勢(shì),未來在AI芯片市場(chǎng)大展拳腳。
業(yè)界認(rèn)為,CoWoS產(chǎn)能告急,F(xiàn)OPLP有望成為解決AI芯片供應(yīng)不足的一大利器。