超低功耗嵌入式存儲(chǔ)器專家SureCore宣布,由Innovate UK(IUK)資助的項(xiàng)目“開發(fā)CryoCMOS以實(shí)現(xiàn)下一代可擴(kuò)展量子計(jì)算機(jī)”的下一個(gè)關(guān)鍵部分成功下線。這是一個(gè)將驗(yàn)證該項(xiàng)目中開發(fā)的低溫SPICE模型和IP的芯片,該芯片將用于控制和測(cè)量將與量子位一起容納在低溫恒溫器內(nèi)的ASIC。需要將控制電子設(shè)備從低溫恒溫器外部移動(dòng)到低溫恒溫器內(nèi)部,以減少延遲和布線,但這意味著電子設(shè)備必須在低至4開爾文的前所未有的低溫下運(yùn)行,這就是該項(xiàng)目的目的。
sureCore首席執(zhí)行官Paul Wells表示:“這是聯(lián)盟成員團(tuán)隊(duì)合作的成果,他們都為控制芯片的設(shè)計(jì)做出了寶貴的貢獻(xiàn)。他們的低溫IP已經(jīng)由敏捷模擬公司的一個(gè)非常能干的物理設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)成功集成?!?br />
Agile Analog首席執(zhí)行官Barry Paterson補(bǔ)充道:“我們很高興能參與這個(gè)項(xiàng)目,并獲得在這些極具挑戰(zhàn)性的低溫下硅性能的經(jīng)驗(yàn)和知識(shí)。這一經(jīng)驗(yàn)將有助于量子空間未來的IP開發(fā)?!?br />
該圖顯示了各種IP塊。一個(gè)來自格拉斯哥大學(xué)的DAC,一個(gè)來自通用量子和sureCore的PLL、ROM塊、寄存器文件塊和SRAM塊的DAC。剩下的紫色區(qū)域主要是控制邏輯。
Wells補(bǔ)充道:“這是一個(gè)很好的例子,說明了InnovateUK如何將專家團(tuán)隊(duì)聚集在一起,創(chuàng)造出否則不可能實(shí)現(xiàn)的創(chuàng)新。該項(xiàng)目將使英國不僅被視為量子計(jì)算的卓越中心,而且被視為低溫晶體管建模以及低溫IP和芯片設(shè)計(jì)的卓越中心。通過作為一個(gè)專注的專家團(tuán)隊(duì),該項(xiàng)目能夠及時(shí)有效地成功完成關(guān)鍵的里程碑和最后期限。如果沒有InnovateUK的支持,這是不可能的?!?br />
項(xiàng)目背景
sureCore利用其最先進(jìn)的超低功耗存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技能創(chuàng)建了嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),這是任何數(shù)字子系統(tǒng)的重要組成部分,能夠在77K(-196°C)至量子計(jì)算機(jī)(QC)所需的接近絕對(duì)零度的溫度下運(yùn)行。此外,標(biāo)準(zhǔn)電池和IO電池庫都已被重新表征為在低溫下操作,從而使工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)RTL到GDSII物理設(shè)計(jì)流程能夠容易地被采用。
QC縮放的一個(gè)關(guān)鍵障礙是能夠在量子位附近配置越來越復(fù)雜的控制電子設(shè)備,量子位必須在低溫下放置在低溫恒溫器中。在這樣做的過程中,至關(guān)重要的是,控制芯片功耗保持盡可能低,以確保將多余的熱量保持在最低限度,從而不會(huì)在低溫恒溫器上造成額外的熱負(fù)載。在這里,sureCore的低功耗設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)被證明是至關(guān)重要的。
目前的QC設(shè)計(jì)的控制電子設(shè)備位于低溫恒溫器外部,因?yàn)楝F(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)只能在-40°C以下工作。當(dāng)溫度降低到接近絕對(duì)零度時(shí),晶體管的工作特性顯著變化。在過去幾個(gè)月里,對(duì)這種行為變化的測(cè)量、理解和建模展示了構(gòu)建能夠在低溫下控制和監(jiān)測(cè)量子位的接口芯片的潛力。
目前,昂貴而笨重的電纜將室溫控制電子設(shè)備連接到低溫恒溫器中的量子位。使QC開發(fā)人員能夠利用無晶圓廠設(shè)計(jì)范式,創(chuàng)建他們自己的定制低溫控制SoC,該SoC可以與低溫恒溫器內(nèi)的量子位一起容納,這將迅速實(shí)現(xiàn)QC擴(kuò)展。直接的好處包括成本、大小,最重要的是,還包括減少延遲。下一步將在低溫下對(duì)演示芯片進(jìn)行表征,以進(jìn)一步完善和驗(yàn)證模型,幫助提高性能?!?br />
IUK資助的財(cái)團(tuán)是一個(gè)完整的公司生態(tài)系統(tǒng),擁有開發(fā)耐低溫半導(dǎo)體IP所需的專業(yè)知識(shí)和核心能力。該項(xiàng)目的目的是開發(fā)和證明一套基礎(chǔ)知識(shí)產(chǎn)權(quán),這些知識(shí)產(chǎn)權(quán)可以授予設(shè)計(jì)師許可,使他們能夠創(chuàng)建自己的Cryo-CMOS SoC解決方案。通過這樣做,他們?cè)诹孔佑?jì)算領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)將大大提高。