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4月8日，斯達半導(dǎo)體發(fā)布2023年年報：2023年公司實現(xiàn)營業(yè)收入36.6億元，同比增長35.4%，扣非后歸母凈利潤為8.86億元，同比增長16.25%。分季度來看，第四季度實現(xiàn)收入10.44億元，同比增長25.6%，環(huán)比增長12.1%，呈現(xiàn)逐季上漲的態(tài)勢。
毛利率方面，2023年前三季度，公司毛利率水平處于相對低位，維持在36%左右，四季度恢復(fù)到歷史高位40.5%，全年低開高走。2023年全年毛利率為37.5%，相比2022年，下降2.79%。
2023年斯達半導(dǎo)體IGBT模塊銷售量1274萬只，同比增長29.9%，而IGBT模塊貢獻的收入為33.3億元，同比增長49.7%，2023年IGBT模塊銷售均價上漲了14.9%，可見IGBT市場端需求仍然旺盛，供給環(huán)境相比MCU/模擬芯片沒那么卷。全年毛利率下降的原因主要是營業(yè)成本的上升，同期IGBT模塊的營業(yè)成本上升54.5%，單個IGBT模塊成本上漲18.9%，年報顯示主要是因為部分原材料成本上升所致。
值得關(guān)注的是，2023年，斯達半導(dǎo)體海外業(yè)務(wù)取得快速發(fā)展：子公司斯達歐洲實現(xiàn)營業(yè)收入3.1億元，同比增長226.7%，連續(xù)兩年保持翻翻以上成長；斯達歐洲以外的出口業(yè)務(wù)實現(xiàn)營業(yè)收入0.77億元，同比增長70.9%，海外市場的表現(xiàn)可以用高歌猛進來形容。
斯達半導(dǎo)體致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、MOSFET等功率芯片的設(shè)計和工藝及IGBT、SiC MOSFET等功率模塊的設(shè)計、制造和測試。2023年IGBT模塊的銷售收入占公司主營業(yè)務(wù)收入的91.55%，是公司的主要產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制和電源、新能源、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域。
過去一年，公司下游應(yīng)用領(lǐng)域業(yè)務(wù)均實現(xiàn)穩(wěn)步增長：
- 新能源行業(yè)
2023年，斯達半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營業(yè)收入為21.6億元，增長48.1%，新能源領(lǐng)域的營收比例高達59%。近年來，無論是新能源汽車還是光風(fēng)儲行業(yè)，終端市場規(guī)模均呈現(xiàn)快速增長的態(tài)勢。
在新能源汽車領(lǐng)域，根據(jù)EVTank數(shù)據(jù)：2023年全球新能源汽車銷量達到1465.3萬輛，同比增長35.4%，其中中國新能源汽車銷量達到949.5萬輛，占全球銷量的64.8%。EVTank預(yù)計2024年全球新能源汽車銷量將達到1830萬輛，其中中國新能源汽車銷量將達到1180萬輛，仍將保持高增速。
報告期內(nèi)，公司生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機控制器的車規(guī)級IGBT模塊合計配套超過200萬套新能源汽車，在車用空調(diào)、充電樁、電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導(dǎo)體器件份額進一步提高。
2023年，斯達半導(dǎo)體基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級IGBT模塊大批量裝車，基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車規(guī)級IGBT模塊新增多個800V系統(tǒng)車型的主電機控制器項目定點，將對2024年-2030年公司新能源汽車IGBT模塊銷售增長提供持續(xù)推動力。
SiC MOSFET模塊方面也取得較大突破，公司應(yīng)用于新能源汽車主控制器的車規(guī)級SiC MOSFET模塊大批量裝車應(yīng)用，同時新增多個使用車規(guī)級SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機控制器項目定點。
值得一提的是，2023年，斯達半導(dǎo)體自主的車規(guī)級SiC MOSFET芯片在公司多個車用功率模塊封裝平臺通過多家客戶整車驗證并開始批量出貨。
海外方面，公司車規(guī)級IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1開始大批量交付，同時新增多個IGBT/SiC MOSFET主電機控制器項目定點，海外新能源汽車市場呈現(xiàn)快速增長趨勢。
在風(fēng)光儲領(lǐng)域，“雙碳”戰(zhàn)略背景下，風(fēng)光儲產(chǎn)業(yè)同樣處于快速發(fā)展態(tài)勢，根據(jù)國家能源局數(shù)據(jù)：2023年中國光伏新增并網(wǎng)容量達到了216.88GW，同比增長148%；2023年全國新增風(fēng)電并網(wǎng)裝機75.9GW，同比增長102%；2023年中國新型儲能新增裝機規(guī)模約為22.6GW，同比去年增加 261%。
斯達半導(dǎo)體基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的IGBT 模塊在地面光伏電站和大型儲能批量裝機，并在北美等海外電站批量裝機；公司1200V 650V大電流單管已大批量應(yīng)用于工商業(yè)光伏和儲能。
目前，公司產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)戶用型、工商業(yè)、地面電站光伏和儲能系統(tǒng)全功率覆蓋，成為全球光伏和儲能行業(yè)的重要戰(zhàn)略供應(yīng)商。
- 工業(yè)控制和電源行業(yè)
2023年，斯達半導(dǎo)體在工業(yè)控制和電源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營業(yè)收入為12.8億元，增長15.6%。公司目前已經(jīng)成為國內(nèi)多家頭部變頻器企業(yè)IGBT模塊的主要供應(yīng)商，也已經(jīng)正式進入工控行業(yè)多家國際企業(yè)的供應(yīng)商。
據(jù)睿工業(yè)數(shù)據(jù)，去年中國工業(yè)自動化市場相對萎靡，全年增長-1.8%。盡管過去20年中國自動化市場復(fù)合增速驚人，但2021-2023年，市場年復(fù)合增長率突然轉(zhuǎn)負，下降了0.22%。睿工業(yè)預(yù)測整體市場增速將會在2023年后呈“L”曲線發(fā)展，增速放緩。
在終端市場規(guī)模下滑或長期低增速的背景下，成長的邏輯只能是份額提升。年報顯示，斯達半導(dǎo)體未來將充分利用650V/750V、1200V、1700V自主芯片產(chǎn)品的性能優(yōu)勢、成本優(yōu)勢、交付優(yōu)勢，在變頻器、電焊機、電梯控制器、伺服器、電源等領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，提高現(xiàn)有客戶的采購份額，加大海外市場的開拓力度，突破海外頭部客戶，提高市場占有率。
- 變頻白色家電及其他行業(yè)
2023年，斯達半導(dǎo)體在變頻白色家電及其他領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)營業(yè)收入為2億元，增長69.5%。
中國白色家電產(chǎn)量在2023年都有2位數(shù)的增長，空調(diào)、洗衣機和電冰箱分別增長13.5%、19.3%和14.5%，隨著國家對節(jié)能減排的大力推行，具有變頻功能的白色家電將逐漸替代傳統(tǒng)家電，變頻功能的白色家電的市場規(guī)模增速應(yīng)該更快，而斯達半導(dǎo)體具有高頻開閉合功能的IPM模塊在這一趨勢中發(fā)揮著重要作用。
中國擁有全球銷售規(guī)模最大的白色家電廠商，尤其空調(diào)行業(yè)，80%以上的產(chǎn)能在中國，相關(guān)功率器件的國產(chǎn)替代空間巨大，也是本土以斯達半導(dǎo)體為代表的功率器件廠商的巨大機會。
根據(jù)集微咨詢數(shù)據(jù)，中國市場中IGBT在新能源汽車和風(fēng)光儲市場的應(yīng)用規(guī)模占比超50%，而本土新能源汽車和風(fēng)光儲的快速發(fā)展保證了IGBT市場旺盛的需求，本土廠商除了行業(yè)貝塔提升業(yè)績外，國產(chǎn)替代下的份額提升也是關(guān)鍵助力。
斯達半導(dǎo)體作為本土規(guī)模最大的IBGT產(chǎn)品廠商，其產(chǎn)品競爭力相對其他本土廠商還是有一定優(yōu)勢的，無論是IGBT技術(shù)還是自身的產(chǎn)品矩陣的豐富度。
本土IGBT廠商中，目前已有多家實現(xiàn)第七代IGBT技術(shù)，而斯達半導(dǎo)體是本土少有的已實現(xiàn)第七代IGBT大批量交貨的廠商。
- 斯達半導(dǎo)體已經(jīng)基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級IGBT模塊實現(xiàn)大批量裝車；
- 新潔能基于650V和1200V產(chǎn)品平臺，使用第七代微溝槽場截止技術(shù)的IGBT芯片，多款模塊產(chǎn)品完成開發(fā)，逐步量產(chǎn)；
- 時代電氣研發(fā)突破第七代超精細溝槽STMOS技術(shù)；
- 士蘭微電子已經(jīng)也推出了第七代產(chǎn)品，內(nèi)部對應(yīng)的是5+，性能測試下來完全符合，目前已在客戶驗證導(dǎo)入和小批量階段；
- 宏微科技的IGBT技術(shù)已更新到第七代，已實現(xiàn)了25A小批量交付、完成了150A、200A的拓展；
- 振華永光成功研制出第七代IGBT芯片的1200V/900A功率模塊。
另外，從IGBT電壓覆蓋范圍來看，一般低壓IGBT（1200V以下）常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領(lǐng)域；中壓IGBT（1200-2500V）常用于工業(yè)控制、新能源汽車等領(lǐng)域；高壓IGBT（2500V以上）常用于軌道交通、電網(wǎng)等領(lǐng)域。本土主流廠商已經(jīng)具備中低壓IGBT產(chǎn)品的生產(chǎn)能力，而具備高壓IGBT芯片生產(chǎn)能力的中國廠商則只有時代電氣和斯達半導(dǎo)體兩家，斯達半導(dǎo)體覆蓋100-3300V，而時代電氣覆蓋最廣750-6500V。
對于未來的研發(fā)方向，年報顯示，斯達半導(dǎo)體將圍繞新一代IGBT技術(shù)、高壓IGBT以及車規(guī)級SiC功率器件方面展開：
加速公司下一代IGBT芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化持續(xù)加大芯片研發(fā)力度，豐富基于第七代微溝槽Trench FieldStop技術(shù)的IGBT芯片以及和相匹配的快恢復(fù)二極管芯片的產(chǎn)品系列。
利用公司第六代Fieldstop Trench芯片平臺及大功率模塊生產(chǎn)平臺，推出應(yīng)用于軌道交通和輸變電等行業(yè)的3300V-6500V高壓IGBT產(chǎn)品。
開發(fā)出更多符合市場需求的車規(guī)級SiC功率模塊，并加大SiC功率芯片的研發(fā)力度，繼續(xù)推出符合市場需求的自主的車規(guī)級SiC芯片。
寫在最后
新能源市場的快速發(fā)展，帶來了IGBT旺盛的需求，正是上游本土IGBT廠商產(chǎn)品導(dǎo)入下游客戶的關(guān)鍵時期，斯達半導(dǎo)體憑借相對領(lǐng)先的IGBT技術(shù)、豐富的產(chǎn)品矩陣以及海外市場的成功開拓，近年來發(fā)展迅猛。
目前斯達半導(dǎo)體的IGBT芯片主要采用Fabless加工模式，且仍有相當比例的是外購的，這也解釋了為什么在終端產(chǎn)品加價的情況下毛利率還下跌的原因，目前公司擬自建晶圓產(chǎn)線向IDM模式轉(zhuǎn)型，未來將在成本端和生產(chǎn)端更具自主性。
值得關(guān)注的是，未來隨著行業(yè)IDM廠商及Fab廠IGBT 產(chǎn)能的擴產(chǎn)放量，IGBT行業(yè)的毛利率水平是否會像MCU/模擬芯片一樣持續(xù)下行呢？
