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如何為直流超快充電樁設(shè)計(jì)選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?

03/05 09:40
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充電時(shí)間是消費(fèi)者和企業(yè)評估購買電動(dòng)汽車的一個(gè)主要考慮因素,為了縮短充電時(shí)間,業(yè)界正在轉(zhuǎn)向直流快速充電樁(DCFC)和超快速充電樁。超快速DCFC和超快速充電樁繞過了電動(dòng)汽?的車載充電機(jī)(OBC),直接向電池提供更?的功率,并根據(jù)電池容量以200A-500A的額定電流進(jìn)?充電,以更高功率充電來實(shí)現(xiàn)大幅減少充電時(shí)間的目標(biāo)。

為了實(shí)現(xiàn)更快的充電,以適配更高的電動(dòng)汽車電池電壓并提高整體功率效率,DCFC必須在更高的電壓和功率水平下運(yùn)行,這給OEM制造商帶來的挑戰(zhàn)是必須設(shè)計(jì)一種能在不影響可靠性或安全性的情況下優(yōu)化效率的架構(gòu)。由于DCFC和超快充電樁集成了各種元器件,包括輔助電源、傳感、電源管理、連接和通信器件,同時(shí)需要采?靈活的制造?法以滿?各種電動(dòng)汽?不斷變化的充電需求,這給DCFC和超快速充電樁設(shè)計(jì)帶來更多的復(fù)雜性。

之前我們介紹過設(shè)計(jì)直流超快充電樁方案必知的幾種常見拓?fù)?/strong>,今天將繼續(xù)為大家?guī)?strong>交錯(cuò)式DAB變換器雙有源橋諧振變換器、電平 DNPC LLC 諧振變換器以及串聯(lián)半橋 (SHB) LLC 諧振變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的詳細(xì)解析。

交錯(cuò)式DAB變換器

交錯(cuò)式DAB變換器將損耗分配到兩個(gè)變壓器并允許使?成本優(yōu)化的安森美(onsemi) EliteSiC全橋功率集成模塊。我們可以使?EliteSiC F2全橋功率集成模塊(如NXH008T120M3F2PTHG)來開發(fā)60kW DAB變換器,并使?Elite Power 仿真工具來計(jì)算所有橋的功率損耗。為了實(shí)現(xiàn)360kW直流快速充電系統(tǒng),我們可以并聯(lián)6路60kW充電系統(tǒng)模塊。安森美建議在60kW隔離組件塊的初級和次級上實(shí)施F2全橋模塊。

圖7. 交錯(cuò)式雙有源橋變換器

雙有源橋諧振變換器

對于雙向功率流,雙有源橋(DAB)諧振變換器是DAB變換器的替代解決?案。DAB變換器中添加一個(gè)額外的諧振電路來實(shí)現(xiàn)DAB諧振變換器。這些設(shè)計(jì)中主要使?LC(串聯(lián)諧振)、LLC 和 CLLC諧振電路。由于電路的對稱性,CLLC DAB變換器在兩個(gè)功率流?向上提供相同的電壓增益特性。CLLC變換器在變壓器兩側(cè)使?兩個(gè)諧振電容,與LLC變換器相?,可以減少電容上的應(yīng)力。DAB CLLC諧振變換器如圖8所?。

圖8. 雙有源橋 CLLC 諧振變換器

同DAB變換器相?,因?yàn)榉謩e具有較小的諧振電感和較?的漏感,DAB諧振CLLC變換器中循環(huán)的?功功率較小。然?,DAB諧振變換器(LLC或CLLC)在輕負(fù)載條件下會出現(xiàn)ZVS問題,在寬輸出電壓范圍和負(fù)載條件下會出現(xiàn)效率下降。為了實(shí)現(xiàn)初級和次級橋電路的輸出電壓調(diào)節(jié)和ZVSZCS,需要實(shí)施混合調(diào)制?案。變頻運(yùn)?、移相控制、PWM占空?控制和延遲關(guān)斷控制是常?的控制?法。根據(jù)電池充電器的輸出電壓和負(fù)載范圍,可以組合兩種或三種?法進(jìn)?混合控制。由于所有電源開關(guān)均采?軟開關(guān),DAB諧振變換器可提供最佳的EMI性能。

建議將EliteSiC功率集成模塊(半橋或全橋)?于?功率DAB CLLC諧振變換器應(yīng)?。建議將 NXH003P120M3F2 EliteSiC半橋功率集成模塊?于DAB諧振CLLC變換器,以提供25kW?120kW的功率。對于120kW設(shè)計(jì),可以使用三相交錯(cuò)雙有源半橋諧振變換器在三個(gè)變換器之間分配功率損耗。在初級和次級均具有集成諧振電感的變壓器將提?DAB諧振變換器的密度和效率。交錯(cuò)式三相雙有源半橋諧振變換器如圖9所?。

圖9. 交錯(cuò)式三相雙有源半橋CLLC諧振變換器

三電平DNPC LLC諧振變換器

三電平DNPC LLC諧振變換器由三電平半橋電路、鉗位?極管、諧振 LLC 電路和次級全橋電路組成,如圖10所?

DNPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)被視為諧振LLC電路初級側(cè)的主要拓?fù)?,因?yàn)樗c上?所?的整流PFC前端和兩級全橋的相腳具有相同的結(jié)構(gòu)。DNPC諧振LLC電路的工作原理可以?諧振頻率來解釋。這同樣適?于?于或低于諧振頻率。開關(guān)S2和S3以50%的占空?運(yùn)?,并有死區(qū)時(shí)間。外部開關(guān)S1與S2同時(shí)導(dǎo)通,但較早關(guān)閉以提供另一個(gè)死區(qū)時(shí)間。相對于S3,此模式適?于S4。因此,S1和S4以略低于50%的占空比工作,以適應(yīng)此死區(qū)時(shí)間。

DNPC LLC電路具有復(fù)雜的換相過程,涉及多個(gè)器件。ZVS切換條件將分兩步實(shí)現(xiàn),第一步將輸出電容從初始電壓放電?一半電壓。然后下一步放電?0V以實(shí)現(xiàn)零電壓開啟。由于ZVS的復(fù)雜性,S3和S4的開啟情況不同。與兩電平LLC拓?fù)漕愃?,需要變頻控制來調(diào)節(jié)輸出電壓??梢蕴砑酉嘁瓶刂苹騊WM占空?控制來實(shí)施混合調(diào)制控制,以在所有負(fù)載條件下保持ZVS狀態(tài)。

圖10.? 3電平DNPC LLC諧振變換器

串聯(lián)半橋 (SHB) LLC諧振變換器

串聯(lián)半橋(SHB)LLC 諧振拓?fù)?/strong>是多電平拓?fù)涞牧硪环N變體,可?作 LLC 電路的初級拓?fù)?,以承?輸?電壓。圖11所?的SHB LLC電路具有與DNPC諧振LLC拓?fù)湎嗤闹C振回路和次級全橋電路。

圖11. 串聯(lián)半橋LLC諧振變換器(參考?獻(xiàn)5)

同DNPC LLC相腳相?,SHB LLC相腳的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了兩個(gè)鉗位?極管,可將動(dòng)力電池的元器件數(shù)量減少。SHB LLC拓?fù)渚哂袃煞N?于諧振電路操作的調(diào)制?案,從?為直流電壓轉(zhuǎn)換提供更?的控制靈活性。外部開關(guān)S1和S4發(fā)?對稱調(diào)制,具有相同的信號和50%占空?,?內(nèi)部開關(guān)S3和S4與具有死區(qū)時(shí)間的其他開關(guān)互補(bǔ)。

對于對稱調(diào)制,初級橋相電壓以50%占空?在Vbus和0V之間切換。對于?對稱調(diào)制,外部開關(guān)S1和S4具有25%的占空?,?內(nèi)部開關(guān)S3和S4具有75%的占空?。S1和S4的柵極信號不像對稱調(diào)制那樣同步。相反它們相移180度。該相移也適?于內(nèi)部開關(guān)S3和S4。

在?對稱調(diào)制中,上半部和下半部總線電壓交替連接到相腳輸出,以兩倍于器件開關(guān)頻率的速度在Vbus的一半和零之間切換。兩種調(diào)制?案的諧振回路兩端的電壓也不同。?對稱調(diào)制的相腳電壓的平均值是對稱調(diào)制的相同電壓的一半。然?,?對稱調(diào)制的 相腳電壓的等效頻率是對稱調(diào)制的兩倍。輸出電壓的差異影響很多??,例如輸出電壓范圍、諧振回路值、開關(guān)頻率范圍以及軟開關(guān)條件。

SHB電路的主要優(yōu)點(diǎn)是諧振回路兩端的激勵(lì)電壓有3個(gè)不同的電平(Vbus、0.5Vbus、0)。通過調(diào)制?案電壓具有兩個(gè)頻率。直流電壓轉(zhuǎn)換的輸出電壓可以通過調(diào)制進(jìn)??范圍調(diào)整。開關(guān)頻率可降低一半,以實(shí)現(xiàn)與DNPC LLC 拓?fù)湎嗤牡刃Чぷ鏖_關(guān)頻率。這些功能為SHB LLC電路增加了更多靈活性,可處理寬輸?電壓或輸出電壓范圍。與DNPC拓?fù)湎?,SBH電路的主要優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)更簡單。

結(jié)論

在評估了各種隔離式DC-DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)之后,安森美認(rèn)為雙有源橋變換器( Dual Active Bridge Converter)拓?fù)涫蔷哂须p向充電功能的更優(yōu)化解決?案。DAB變換器具有較少的元器件,且用在?功率直流快速充電樁應(yīng)?中無需串聯(lián)諧振電容,安森美使用NXH010P120M3F1半橋模塊開發(fā)了25kW 直流快速充電樁參考設(shè)計(jì)以演示這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。對于?于100kW的設(shè)計(jì),交錯(cuò)式DAB變換器是一種合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

DC?DC轉(zhuǎn)換的EliteSiC M3S 功率集成模塊選型表

 

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安森美

安森美

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團(tuán)的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨(dú)立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購紀(jì)錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計(jì)和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機(jī)的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點(diǎn)火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達(dá)成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價(jià)共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動(dòng)器;電壓和電流管理邏輯:時(shí)鐘產(chǎn)生;時(shí)鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計(jì);EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個(gè)產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計(jì)中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達(dá)荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達(dá)荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時(shí):梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(dá)(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達(dá)荷州波卡特洛、愛達(dá)荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時(shí):奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團(tuán)的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨(dú)立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購紀(jì)錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計(jì)和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機(jī)的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點(diǎn)火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達(dá)成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價(jià)共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動(dòng)器;電壓和電流管理邏輯:時(shí)鐘產(chǎn)生;時(shí)鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計(jì);EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個(gè)產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計(jì)中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達(dá)荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達(dá)荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時(shí):梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(dá)(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達(dá)荷州波卡特洛、愛達(dá)荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時(shí):奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社收起

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