石墨烯，半導(dǎo)體的“野心家”

作者：九林

前不久，《自然》雜志網(wǎng)站在線發(fā)表了一個題為《碳化硅上生長的超高遷移率半導(dǎo)體外延石墨烯》的研究成果。

這是天津大學(xué)天津納米顆粒與納米系統(tǒng)國際研究中心馬雷教授團隊在半導(dǎo)體石墨烯領(lǐng)域取得顯著進展，成功制備出高遷移率半導(dǎo)體外延石墨烯，表現(xiàn)出了10倍于硅的性能。

這一突破引起了業(yè)內(nèi)的關(guān)注，石墨烯在半導(dǎo)體界究竟是怎么樣的存在？為什么大家都在關(guān)注石墨烯？

?01困擾石墨烯研究者數(shù)十年的難題

碳元素是人類接觸得最早的元素之一，?也是人類利用得最早的元素之一，?作為碳的同素異形體之一的石墨也被人們熟知與研究。

石墨烯是單層石墨，它的碳原子排列和石墨的單原子層雷同，是碳原子以 sp2 雜化軌道組成六角形，?呈蜂巢晶格 (honeycomb crystal lattice) 排列的單層二維晶體。

從理論來講，人們研究石墨烯已經(jīng)有70多年了，但因為 Landau、Peierls 等研究者指出二維晶體是熱力學(xué)不穩(wěn)定， 不能單獨存在的， 石墨烯一直被視為一種理論上的材料。不過，在2004年，石墨烯在室溫中被制備出來，掀起了石墨烯研究的熱潮。

之前咱們經(jīng)常談?wù)摰奶蓟雽?dǎo)體，其碳基晶圓的基礎(chǔ)就是石墨烯半導(dǎo)體材料。石墨烯是半導(dǎo)體的“野心家”，那么石墨烯相較于硅基半導(dǎo)體，有什么優(yōu)勢呢？

第一，高遷移率，即電子在材料中的移動速度。遷移率是衡量半導(dǎo)體性能的重要指標，它決定了電子器件的運算速度和功耗。

石墨烯的遷移率是硅的10倍以上，這意味著石墨烯半導(dǎo)體可以制造出更快、更節(jié)能的電子器件，例如晶體管、傳感器、顯示屏等。典型的懸浮石墨烯具有高達200000cm2V-1s-1的遷移率，而單晶硅的遷移率只有1000cm2V-1s-1。這種高電子遷移率意味著更高的運行效率和運行速度。

第二，高穩(wěn)定性，即材料的結(jié)構(gòu)不易變化。石墨烯是由單層碳原子構(gòu)成的平面結(jié)構(gòu)，它的原子間距和鍵角都是最優(yōu)化的，因此它具有很強的力學(xué)強度和熱穩(wěn)定性。石墨烯可以在極端的溫度、壓力和電場下保持其性能，而不會像硅那樣受到損壞或噪聲的影響。

第三，高靈活性，即材料的形狀可以隨意改變。石墨烯是一種二維材料，它的厚度只有0.34納米，相當于硅的1/300，這使得它可以輕松地彎曲、折疊、拉伸，甚至卷成管狀或球狀。石墨烯半導(dǎo)體可以適應(yīng)各種復(fù)雜的形狀和表面，為制造柔性電子、可穿戴設(shè)備、生物醫(yī)療等領(lǐng)域提供了巨大的潛力。

這些優(yōu)勢，都讓石墨烯成為鼎鼎有名的下一代“碳基半導(dǎo)體”的候選人。

但石墨烯當半導(dǎo)體還有一個問題，它是零帶隙材料。零帶隙是指禁帶寬度為零。帶隙是導(dǎo)帶的最低點和價帶的最高點的能量之差，帶隙越大，電子由價帶被激發(fā)到導(dǎo)帶越難，本征載流子濃度就越低，電導(dǎo)率也就越低。沒有帶隙的話，就無法充分實現(xiàn)邏輯電路必須的晶體管“關(guān)斷（Switch Off）”功能。

所以它不是半導(dǎo)體，而屬于金屬性質(zhì)，半導(dǎo)體材料的帶隙寬度都是大于零的，其實石墨烯在未來微電子學(xué)領(lǐng)域有極大的應(yīng)用前景，但是其零帶隙的特點阻礙了石墨烯在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用。

突破零帶隙，就成為了困擾石墨烯研究者數(shù)十年的難題。

?02如何突破零帶隙？

人們正嘗試向石墨烯中引入帶隙，這將使它變得半導(dǎo)電，室溫遷移率將比硅高一個數(shù)量級。

前文提到的突破就是，馬雷教授研究團隊通過對外延石墨烯生長過程的精確調(diào)控，成功地在石墨烯中引入了帶隙，創(chuàng)造了一種新型穩(wěn)定的半導(dǎo)體石墨烯。這項科技通過對生長環(huán)境的溫度、時間及氣體流量進行嚴格控制，確保了碳原子在碳化硅襯底上能形成高度有序的結(jié)構(gòu)。這種半導(dǎo)體石墨烯不僅具有帶隙，在室溫下也擁有遠超過硅材料的電子遷移率，并且擁有硅材料所不具備的獨特性質(zhì)。

馬雷表示：“半導(dǎo)體石墨烯在常溫下具有超過硅材料十倍的遷移率的同時，擁有0.6 eV的帶隙。它是一個真正意義上的單晶石墨烯半導(dǎo)體?！?/p>

具體來說，采用的是準平衡退火方法，來制備超大單層單晶疇半導(dǎo)體外延石墨烯。目前看，這種方式基本可以滿足工業(yè)化應(yīng)用需求。相較于傳統(tǒng)生產(chǎn)工藝，生長面積大、均勻性高、工藝流程簡單、成本低廉，室溫遷移率優(yōu)于目前所有單層晶體至少一個數(shù)量級。

其實，在此之前也有一些石墨烯產(chǎn)生禁帶方法。比如說直接產(chǎn)生禁帶法和間接產(chǎn)生禁帶法。

直接產(chǎn)生禁帶方面，研究表明，當構(gòu)造的石墨烯納米帶寬度小于10nm時，可利用納米石墨烯的量子效應(yīng)和邊緣效應(yīng)來有效地打開能帶帶隙，從而使其產(chǎn)生半導(dǎo)體性質(zhì)。2008年，英國研究人員制備出僅一個原子厚幾納米寬的石墨烯量子點器件。在這種尺度下，石墨烯存在約0.5eV的禁帶寬度，且器件仍然能保持較好的導(dǎo)電性。

間接產(chǎn)生禁帶方面，主要是通過引入具有非零禁帶的物質(zhì)作為勢壘產(chǎn)生禁帶，在石墨烯表面和邊界上構(gòu)造異質(zhì)結(jié)，形成異質(zhì)結(jié)晶體管。

?03石墨烯的提早布局

對于新材料來說，不提早布局，就是慢人一步。因此，美國、歐盟、韓國、日本其實是有所布局的。我們可以分別來看看。

美國較早開始探索石墨烯電子技術(shù)。從2006年開始，美國國家科學(xué)基金會設(shè)立了眾多碳基電子基礎(chǔ)研究項目，涵蓋了碳基電子研究和應(yīng)用的各個領(lǐng)域。開展了多項有關(guān)石墨烯、碳納米管、碳化硅的碳基電子技術(shù)研發(fā)項目，主要涵蓋石墨烯電子器件、石墨烯電路、石墨烯傳感器、石墨烯在量子開關(guān)等量子技術(shù)中的應(yīng)用。

2008年，美國高級計劃研究局投資2200萬元開發(fā)碳電子射頻應(yīng)用項目，用于開發(fā)新款石墨烯晶體管。2011年，IBM制備出具有155GHz超高截止頻率的新一代石墨烯晶體管，其具有40nm的選通脈沖寬度。

美國石墨烯和二維材料生產(chǎn)商Grolltex，2019年時，宣布完成其新的產(chǎn)能擴張，其在加利福尼亞州圣地亞哥的CVD單層石墨烯制造廠每年可生產(chǎn)30,000個8英寸石墨烯晶圓（在不同基底上）產(chǎn)品。

再來看歐洲。早在2013年1月，歐盟委員會就計劃把“石墨烯旗艦計劃”列為首批“未來新興技術(shù)旗艦項目”之一。設(shè)立了12個應(yīng)用工作組負責材料應(yīng)用、復(fù)合材料、光電子、電子設(shè)備、傳感器、生物醫(yī)藥、健康及環(huán)境等研究方向，來推進之后的應(yīng)用落地。這個計劃，是歐洲有史以來最大的多方合作研究計劃，投資預(yù)算達10億歐元。

其中，耗資2000萬歐元的“二維實驗試驗線（2D-EPL）”項目2021年啟動，旨在成為首家將石墨烯和層狀材料集成到半導(dǎo)體平臺的石墨烯晶圓廠，將基于二維材料的創(chuàng)新技術(shù)從實驗室引向規(guī)模化生產(chǎn)和商業(yè)化落地。

日本的研究也是2000年代開始，日本學(xué)術(shù)振興機構(gòu)從2007年起開始對石墨烯相關(guān)材料、器件技術(shù)進行資助。

2019年的時候，日本宣布了精確合成出“石墨烯納米帶”。日本的高校和企業(yè)組成聯(lián)合團隊，共同開發(fā)出了通過精確控制結(jié)構(gòu)將其合成為帶狀的方法，并成功制作了較寬的“石墨烯納米帶（GNR）”。

在報道的相關(guān)新聞中提到，GNR作為半導(dǎo)體具有非常優(yōu)異的電氣特性。此次制作的GNR寬約2納米，相當于17個原子，與電流易流動性相關(guān)的“帶隙”僅0.6eV左右，作為既可以成為絕緣體也可以成為導(dǎo)體的半導(dǎo)體材料，表現(xiàn)出了最佳性質(zhì)。

韓國方面，最近，三星電子和LG電子正加速開發(fā)基于石墨烯的組件，旨在提升半導(dǎo)體和家電產(chǎn)品的耐用性與能源效率。

值得注意的是，三星電子是石墨烯領(lǐng)域的先驅(qū)之一，早在2014年，就已經(jīng)成功地實現(xiàn)了石墨烯的商業(yè)化生產(chǎn)。三星電子應(yīng)用了自己的專利技術(shù)，制造出具有高性能的石墨烯薄膜和石墨烯復(fù)合材料，并用于豐富的應(yīng)用中。到目前為止，三星電子在石墨烯領(lǐng)域擁有220多個專利，數(shù)量是其他上市公司的兩倍以上。這些專利涵蓋了石墨烯的各個方面，包括生產(chǎn)、制備、應(yīng)用等，為三星電子在石墨烯市場中贏得了強有力的優(yōu)勢。

?04結(jié)語

傳統(tǒng)硅基集成電路產(chǎn)業(yè)賴以生存的摩爾定律日益逼近物理極限，帶來產(chǎn)學(xué)界對于集成電路產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的擔憂。這一背景下，石墨烯因具備優(yōu)異的電學(xué)特性、導(dǎo)熱性等優(yōu)勢，而被視為有望取代硅基材料的后備材料之一。

在半導(dǎo)體銷售額不斷增長的今天，如何能夠更好地減少在半導(dǎo)體芯片方面的投入是未來不得不面對的問題。

在2016年時，曾獲2010年諾貝爾物理學(xué)獎的K. S. Novoselo展望過，認為2020年后石墨烯晶體管也許可以代替硅技術(shù)。現(xiàn)在看來，似乎還有很長一段距離。石墨烯應(yīng)用于邏輯晶體管中仍有很多的問題需要被解決。

不過，道阻且長，行則將至。