大家好,我是阿軒!在以往的產(chǎn)品設(shè)計中,我經(jīng)常會遇到一種很尷尬的問題。當我選定了一個 LDO 的時候,發(fā)現(xiàn)它的額定電流不夠我使用,或者是發(fā)熱非常嚴重,迫使我不得不重新選擇一個更大封裝,更大功率的 LDO。有沒有辦法實現(xiàn)不更換 LDO,同時又能增大穩(wěn)壓器電流的方法呢?答案是:有!其實在之前我講過的 BMS 系統(tǒng)中就是用過。
文章中第四章講到 AFE 芯片 BQ76930 的內(nèi)部 LDO 電流輸出能力僅有 30mA,已經(jīng)不足以應對外部的單片機工作了,因此我們在外部增加了一個三極管來分擔一部分電流,從而增加了整個穩(wěn)壓系統(tǒng)的電流帶載能力。接下來,我們來看一下這個電路的簡化模式,并簡單的分析。
如圖所示,我們采用了經(jīng)典的 LDO 芯片:AMS1117-3.3V 進行穩(wěn)壓電路設(shè)計。同時選用一個功率合適的 PNP 三極管并聯(lián)在 LDO 的輸入輸出端,這里的功率可以根據(jù)具體的負載進行計算和選型。當 3.3V 輸出端的負載電流小于電流值 I = 0.7V/R1時,所有的負載電流將通過 AMS1117 來提供。當輸出端的負載電流超過 0.7 / R1 時,三極管 T1 將進入導通進入放大區(qū),其集電極和發(fā)射機之間將產(chǎn)生一個電流,為后端的負載提供電流輸出。可能你會想:輸出的 3.3V 會不會發(fā)生變化,直接竄到 9V?不會,我們先來看下 LDO 的內(nèi)部結(jié)構(gòu):
可以看到,LDO 之所以能夠調(diào)節(jié)輸出電壓,是因為它通過一個運放來實現(xiàn)對內(nèi)部的一個 PMOS 進行調(diào)節(jié),這里的 PMOS 也工作在放大區(qū),運放的輸出將決定 PMOS 的內(nèi)阻大小,從而控制輸出電壓的穩(wěn)定性。我們外加的三極管 T1 其實就相當于并聯(lián)在了內(nèi)部的 PMOS 上面,只不過T1 的基極和發(fā)射機之間有一個電阻 R1,也就是 T1 的導通狀態(tài)要根據(jù) R1 上面流過的電流來確定。一旦輸出電壓升高,運放將調(diào)整 PMOS 柵極電壓,使得 PMOS 內(nèi)阻增加,減小電流,R1 的電流減小后,T1 將進入截止狀態(tài),輸出端的電壓也會隨之降低。我們將 R1 的電阻設(shè)置為 5.1R,進行仿真,三極管 T1 和 1117 的電流情況如下圖
從上圖的仿真電流曲線可以看出,當負載電流大于 0.7V / 5.1R = 137mA 時,三極管 T1 開始逐漸的提供負載電流,而 AMS1117 的電流則趨于穩(wěn)定。因此,可以確定AMS1117通過PNP功率三極管進行電流擴容方案可行,通過PNP擴容,的確可以減少對AMS1117的電流壓力,在 BMS 系統(tǒng)中,AFE 中的 LDO 也將減少電流壓力,進而降低 AFE 芯片的發(fā)熱。