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1月11日，瑞薩電子宣布與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm達成最終協(xié)議。根據協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，該公司估值約為3.39億美元。
Transphorm核心業(yè)務是GaN制造以及高壓功率轉換應用設計。據Transphorm公司介紹，其電力電子技術的創(chuàng)新實現(xiàn)了“99%的效率提升、50%功率密度的提升并降低了20%的系統(tǒng)成本” 。
SiC和GaN等寬禁帶半導體材料相較于傳統(tǒng)硅基器件具備更廣泛的電壓和開關頻率范圍，其需求量也在逐年增長，有機構預測GaN的需求每年將增長50%以上。早在去年3月，另一家生產IGBT與其他功率器件的半導體企業(yè)英飛凌斥資8.3億美元收購了GaN System（氮化鎵系統(tǒng)）公司，以構建包含硅、SiC和GaN三種主要功率半導體技術的業(yè)務版圖。
2023年7月5日，瑞薩電子與SiC材料企業(yè)Wolfspeed簽訂了價值20億美元、為期10年的SiC晶圓裸片和外延襯底的供應協(xié)議。而此次對Transphorm的收購則是在瑞薩電子的寬禁帶半導體版圖中對GaN進行補強。瑞薩電子表示，此次收購將為自身提供GaN的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器、適配器等快速增長市場的業(yè)務范圍。
瑞薩電子首席執(zhí)行官柴田英利表示：“（Transphorm的GaN技術）將推動和擴大作為我們關鍵增長支柱之一的功率產品陣容，使我們的客戶能夠選擇最佳的電源解決方案?！?/p>
據悉，Transphorm公司總部位于加利福尼亞，并在日本會津設有工廠，這將給瑞薩電子帶來一定地理優(yōu)勢。該交易預計于2024年下半年完成，但需獲Transphorm股東批準和監(jiān)管部門許可，并滿足其他慣例成交條件。
作者丨王信豪，編輯丨趙晨，美編丨馬利亞，監(jiān)制丨連曉東
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