閃存模組和內(nèi)存模組結構構成

1. 固態(tài)硬盤，應用于大容量存儲場景
2. 嵌入式存儲，應用于電子移動終端低功耗場景
3. 移動存儲，U 盤、移動盤等，應用于便攜式存儲場景

??其內(nèi)部組成包括：

• 主控芯片，一方面合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個閃存顆粒的負荷，另一方面承擔 整體數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)，連接閃存芯片和外部 SATA 接口。此外，主控還負責糾錯、耗損平衡、壞塊映射、讀寫緩存、垃圾回收以及加密等一系列功能算法。各類型存儲器主控芯片如下：

• NAND Flash 顆粒，起數(shù)據(jù)存儲與讀寫作用，按照密度差異可以分為 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC，從前至后讀寫速度、存儲穩(wěn)定性、使用壽命依 次遞減，存儲密度、價格性價比依次遞增。
• DRAM 顆粒（主要存在于中高端 SSD），可提高輸入/輸出性能和耐用 性，用于臨時保存從閃存讀取的數(shù)據(jù)、要寫入閃存的數(shù)據(jù)或地址映射表。 目前，中低端的新品 SSD為節(jié)省成本選擇不配備 DRAM 顆粒，采用 HMB （Host Memory Buffer，主機內(nèi)存緩沖技術）技術和主機共享內(nèi)存，也可滿足使用要求。

??DRAM 模組

? 主要應用于客戶端（個人電腦等）、服務器（企業(yè)級）的內(nèi)存條。

??其內(nèi)部主要組成包括：

1. DRAM 顆粒，起數(shù)據(jù)存儲和讀寫的作用，占據(jù)內(nèi)存條模組成本的絕大部分。
2. SPD Hub（串行檢測集線器），用于存儲內(nèi)存模組的相關信息和參數(shù)配 置，管理對外部控制器的訪問，并將內(nèi)部總線的內(nèi)存負載與外部分離。
3. PMIC（電源管理芯片），起電源轉(zhuǎn)化和管理的作用，為其他芯片提供電 源支持。DDR5內(nèi)存條將 PMIC集成在內(nèi)存模組上（前幾代將 PMIC 放在主板端），從而降低主板的復雜性，帶來更高的兼容性和信號完整度， 并減少噪音。 此外在服務器（企業(yè)級）內(nèi)存條上還需要增加內(nèi)存接口芯片（RCD 寄存時鐘驅(qū)動器+DB 數(shù)據(jù)緩沖器）、TS（溫度傳感器，DDR5 新增）。
4. 接口芯片（RCD+DB），其中，RCD 用來緩沖來自內(nèi)存控制器的地址、命令及控制信號，DB 用來緩沖來自內(nèi)存控制器或內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號。其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，以匹配 CPU日益提高的運行速度及性能。
5. TS（溫度傳感器），對內(nèi)存條溫度監(jiān)控，從而更精細地控制系統(tǒng)散熱。