Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

三款新器件為SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優(yōu)勢，此類高功率系統(tǒng)需要在高功率密度的情況下實現(xiàn)更高的可靠性和性能，并產(chǎn)生較低的熱量

新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可靠性——而市場上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。 如需索取樣品，請訪問 Transphorm 的產(chǎn)品網(wǎng)頁：https://transphormusa.cn/zh/products/

這三款表面貼裝型器件(SMD)可支持平均運行功率范圍為1至3千瓦的較高功率應(yīng)用，這樣的電力系統(tǒng)常用于高性能領(lǐng)域，如計算（人工智能、服務(wù)器、電信、數(shù)據(jù)中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機）以及其他廣泛的工業(yè)市場。目前，氮化鎵在這一市場領(lǐng)域的全球潛在市場規(guī)模(TAM)達25億美元。值得關(guān)注的是，該新型功率器件是目前快速發(fā)展的人工智能(AI)系統(tǒng)最佳解決方案，AI系統(tǒng)依賴于GPU，而GPU的功耗是傳統(tǒng)CPU的10到15倍。

目前，各種高性能領(lǐng)域的主流客戶開始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統(tǒng)提供電力支持，應(yīng)用領(lǐng)域包括數(shù)據(jù)中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。新型TOLL封裝器件也能夠用于電動汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器應(yīng)用，因為核心SuperGaN芯片已通過汽車行業(yè)(AEC-Q101)標準認證。

TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封裝類型，給予了客戶最廣泛的封裝選擇，以滿足客戶的不同設(shè)計需求。與所有Transphorm產(chǎn)品一樣，該TOLL封裝器件利用了Transphorm常閉型d-mode SuperGaN平臺所固有的性能和可靠性優(yōu)勢。如需詳細了解SuperGaN與 e-mode氮化鎵的對比分析，請下載Transphorm公司最新發(fā)布的白皮書『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』，該技術(shù)白皮書的結(jié)論與Transphorm今年初發(fā)布的一份對比報告相一致——該比較顯示，在一款市售280W電競筆記本電腦充電器中，使用72 毫歐 SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫歐e-mode器件，充電器的性能會更好。

SuperGaN 器件憑借無比卓越的性能引領(lǐng)市場：

• 可靠性：FIT< 0.03
• 柵極安全裕度：± 20 V
• 抗噪性：4 V
• 電阻溫度系數(shù)（TCR）比 e-mode 器件低 20%
• 驅(qū)動方式更靈活：利用硅基控制器/驅(qū)動器中現(xiàn)成的標準驅(qū)動和保護電路

器件規(guī)格

該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩(wěn)健，且已獲得JEDEC資格認證。由于常閉型d-mode平臺是將GaN HEMT與低電壓硅管配對，因此，SuperGaN FET 可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅(qū)動，應(yīng)用于各種軟/硬開關(guān)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓撲中，提高功率密度，同時減小系統(tǒng)尺寸、重量和總成本。

供貨情況和設(shè)計開發(fā)資源

SuperGaN TOLL 封裝器件目前可提供樣品。如需申請樣品, 請在公司網(wǎng)頁提交申請。